Ангстрем. Каталог продукции (2022 год) - часть 9

 

  Главная      Книги - Разные     Ангстрем. Каталог продукции (2022 год)

 

поиск по сайту            правообладателям  

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

содержание      ..     7      8      9      10     ..

 

 

 

Ангстрем. Каталог продукции (2022 год) - часть 9

 

 

130

ДМОП n-канальные транзисторы

Наименование

U

СИ.макс

В

I

С.макс

А

U

ЗИ.пор

В

R

СИ.отк

Ом

С

11

,

нФ

Размер 

кристалла, 

мм

Наименование ТУ

Описание 

кристалла

Прим.

2ПЕ203ГН5

200

32

2,0 – 4,0

0,06

4,4

7,30 × 7,30

АЕЯР.432140.665ТУ

Рис.69

2ПЕ204ГН5

200

6

2,0 – 4,0

0,4

0,9

4,00 × 2,60

Рис.70

2П7245А-5

250

4,0

2,0 – 4,0

0,45

0,66

3,16 × 2,48

АЕЯР.432140.617ТУ

Рис.71

2ПЕ303БН5

250

38

2,0 – 4,0

0,055

7,9

8,28 × 8,28

АЕЯР.432140.746ТУ

Рис.67

2П7168А-5

400

23

2,0 – 4,0

0,20

7,1

8,93 × 7,33

АЕЯР.432140.382ТУ

Рис.72

2П830Д-5

400

24

3,0 – 5,0

0,23

4,4

8,50 × 7,70

АЕЯР.432140.491ТУ

Рис.68

2П7244А-5

400

5,5

2,0 – 4,0

1,0

0,76

3,70 × 2,48

АЕЯР.432140.617ТУ

Рис.73

2ПЕ207АН5

400

12

2,0 – 4,0

0,2

6,3

8,28 × 8,28

АЕЯР.432140.733ТУ

Рис.74

2ПЕ221АН5

400

22

2,0 – 4,0

0,12

7,3

9,00 × 8,00

АЕЯР.432140.751ТУ

Рис.75

Малый заряд 

затвора

2ПЕ222АН5

400

10

2,0 – 4,0

0,3

1,8

5,50 × 4,50

АЕЯР.432140.752ТУ

Рис.76

2ПЕ223АН5

400

5,5

2,0 – 4,0

1,0

0,85

4,00 × 2,60

Рис.78

2П7168Б-5

500

20

2,0 – 4,0

0,23

6,5

8,93 × 7,33

АЕЯР.432140.382ТУ

Рис.72

2П830Г-5

500

22

3,0 – 5,0

0,28

4,4

8,50 × 7,70

АЕЯР.432140.491ТУ

Рис.68

2П7168В-5

600

20

2,0 – 4,0

0,27

6,0

8,93 × 7,33

АЕЯР.432140.382ТУ

Рис.72

2П833А-5

600

20

2,0 – 4,0

0,15

9,5

11,50 × 11,50

АЕЯР.432140.486ТУ

Рис.80

2П830В-5

600

15,5

3,0 – 5,0

0,4

4,4

8,50 × 7,70

АЕЯР.432140.491ТУ

Рис.68

2П837А-5

600

1,0

2,0 – 5,0

12,5

0,46

1,98 × 1,84

АЕЯР.432140.732ТУ

Рис.81

2П838А-5

600

2,0

2,0 – 5,0

5,0

0,5

2,62 × 2,28

Рис.82

2П7242А-5

600

20

2,0 – 4,0

0,2

5,2

9,40 × 9,40

АЕЯР.432140.617ТУ

Рис.83

2ПЕ221БН5

600

15

2,0 – 4,0

0,25

7,3

9,00 × 8,00

АЕЯР.432140.751ТУ

Рис.75

Малый заряд 

затвора

2ПЕ222БН5

600

7,0

2,0 – 4,0

0,7

1,8

5,50 × 4,50

АЕЯР.432140.752ТУ

Рис.76

2ПЕ223БН5

600

3,5

2,0 – 4,0

2,2

0,85

4,00 × 2,60

Рис.78

2П7243А-5

650

8,5

2,0 – 4,0

0,93

1,5

6,20 × 5,20

АЕЯР.432140.617ТУ

Рис.84

2П832А-5

800

15

2,0 – 4,0

0,5

10,02 × 10,02

АЕЯР.432140.486ТУ

Рис.85

2П830Б-5

800

11

3,0 – 5,0

0,75

4,4

8,50 × 7,70

АЕЯР.432140.491ТУ

Рис.68

2П820А-5

800

7,5

2,0 – 4,0

1,0

3,4

7,30 × 7,30

АЕЯР.432140.311ТУ

Рис.86

2П820Б-5

800

7,5

2,0 – 4,0

1,0

3,4

7,30 × 7,30

Рис.86

2ПЕ221ВН5

900

10

2,0 – 4,0

0,62

7,3

9,00 × 8,00

АЕЯР.432140.751ТУ

Рис.75

Малый заряд 

затвора

2ПЕ222ВН5

900

4,0

2,0 – 4,0

2,1

1,8

5,50 × 4,50

АЕЯР.432140.752ТУ

Рис.76

2ПЕ223ВН5

900

2,0

2,0 – 4,0

8,0

0,85

4,00 × 2,60

Рис.78

2П831А-5

1200

10

2,0 – 4,0

1,0

7,5

10,02 × 10,02

АЕЯР.432140.486ТУ

Рис.87

2П830А-5

1200

7,0

3,0 – 5,0

1,7

4,4

8,50 × 7,70

АЕЯР.432140.491ТУ

Рис.68

2ПЕ222ГН5

1200

3,0

2,0 – 4,0

4,2

1,8

5,50 × 4,50

АЕЯР.432140.752ТУ

Рис.77

Малый заряд 

затвора

2ПЕ223ГН5

1200

1,4

2,0 – 4,0

15

0,85

4,00 × 2,60

Рис.79

2ПЕ222ДН5

1500

2,0

2,0 – 4,0

7,0

1,8

5,50 × 4,50

Рис.77

2ПЕ223ДН5

1500

1,0

2,0 – 4,0

22

0,85

4,00 × 2,60

Рис.79

131

ДМОП p-канальные транзисторы

ДМОП p-канальные транзисторы

Корпус КТ-28

Корпус КТ-92

Корпус КТ-95

Корпус КТ-93

Корпус КТ-94

Корпус КТ-105

Серийные корпусные изделия специального назначения, стойкие к СВВФ

Наименование

U

СИ.макс

В

I

С.макс

А

U

ЗИ.пор

В

R

СИ.отк

Ом

С

11

нФ

R

Т П-К

,

°С/Вт

Тип 

корпуса НаименованиеТУ

Аналоги

Прим.

2П7165А

-30

-30

-2,2 – -0,7

0,04

2,1

1,35

КТ-28

АЕЯР.432140.547ТУ

NDP6030PL

2П7165А9

-30

-34

-2,2 – -0,7

0,04

2,1

1,35

КТ-94

2П7165Б

-30

-30

-4,0 – -2,0

0,04

2,1

1,35

КТ-28

NDP6030

2П7165Б9

-30

-34

-4,0 – -2,0

0,04

2,1

1,35

КТ-94

2П7165А1

-30

-32

-2,2 – -0,7

0,04

2,1

1,35

КТ-28-2

АЕЯР.432140.548ТУ

NDP6030PL

2П7165Б1

-30

-32

-4,0 – -2,0

0,04

2,1

1,35

КТ-28-2

NDP6030

2П7165А91

-30

-32

-2,2 – -0,7

0,04

2,1

1,35

КТ-90

NDB6030PL

2П7165Б91

-30

-32

-4,0 – -2,0

0,04

2,1

1,35

КТ-90

NDB6030

2ПЕ305А

-30

-70

-4,0 – -2,0 0,004

14

0,8

КТ-105

АЕЯР.432140.747ТУ

Trench

2ПЕ209А9

-30

-26

-4,0 – -2,0

0,03

3,5

3,0

КТ-93

2ПЕ211А1

-30

-52

-4,0 – -2,0

0,015

8,8

1,5

КТ-28-2

АЕЯР.432140.748ТУ

SUP45P03-09

SUP75P03-09

Trench

2ПЕ211А91

-30

-52

-4,0 – -2,0

0,015

8,8

1,5

КТ-90

SUB45P03-09

SUB75P03-09

2ПЕ209А2

-30

-28

-4,0 – -2,0

0,03

3,5

2,5

КТ-92

2ПЕ209А92

-30

-28

-4,0 – -2,0

0,03

3,5

2,5

КТ-89

SUD45P03-09

2ПЕ305Б

-60

-70

-4,0 – -2,0 0,006

14

0,8

КТ-105

АЕЯР.432140.747ТУ

Trench

2ПЕ209Б9

-60

-20

-4,0 – -2,0 0,045

3,5

3,0

КТ-93

2ПЕ211Б1

-60

-44

-4,0 – -2,0

0,02

8,8

1,5

КТ-28-2

АЕЯР.432140.748ТУ

Trench

2ПЕ211Б91

-60

-44

-4,0 – -2,0

0,02

8,8

1,5

КТ-90

SUM110P06-08L

2ПЕ209Б2

-60

-22

-4,0 – -2,0

0,04

3,5

2,5

КТ-92

2ПЕ209Б92

-60

-22

-4,0 – -2,0

0,04

3,5

2,5

КТ-89

SUD50P06-15

2П7210А9

-100

-6,0

-2,2 – -0,7

0,2

1,8

4,0

КТ-93

АЕЯР.432140.505ТУ

SPP15P10PL H

2П7210Б9

-100

-6,0

-4,0 – -2,0

0,2

1,8

4,0

КТ-93

IRFU9120PbF

IRFU5410PbF

132

ДМОП p-канальные транзисторы

Наименование

U

СИ.макс

В

I

С.макс

А

U

ЗИ.пор

В

R

СИ.отк

Ом

С

11

нФ

R

Т П-К

,

°С/Вт

Тип 

корпуса НаименованиеТУ

Аналоги

Прим.

2ПЕ305В

-100

-70

-4,0 – -2,0

0,01

14

0,8

КТ-105

АЕЯР.432140.747ТУ

IXTK170P10P

Trench

2ПЕ209В9

-100

-14

-4,0 – -2,0

0,1

3,5

3,0

КТ-93

2ПЕ211В1

-100

-28

-4,0 – -2,0

0,05

8,8

1,5

КТ-28-2

АЕЯР.432140.748ТУ

IXTT78P10THV

Trench

2ПЕ211В91

-100

-28

-4,0 – -2,0

0,05

8,8

1,5

КТ-90

2ПЕ209В2

-100

-15

-4,0 – -2,0

0,11

3,5

2,5

КТ-92

2ПЕ209В92

-100

-15

-4,0 – -2,0

0,11

3,5

2,5

КТ-89

SUD50P1006-

08L

Серийные корпусные изделия специального назначения стойкие к СВВФ и ТЗЧ

Наименование

U

СИ.макс

В

U

СИ.макс

(60 

МэВ) В

I

С.макс

А

U

ЗИ.пор

В

R

СИ.отк

Ом

С

11

нФ

R

Т П-К

,

°С/Вт

Тип 

корпуса

Наименование 

ТУ

Примечание

2ПЕ211А1

-30

-24

-52

-4,0 – -2,0 0,015

8,8

1,5

КТ-28-2

АЕЯР.432140.748ТУ

Trench

2ПЕ211А91

-30

-24

-52

-4,0 – -2,0 0,015

8,8

1,5

КТ-90

2ПЕ211Б1

-60

-25

-44

-4,0 – -2,0

0,02

8,8

1,5

КТ-28-2

2ПЕ211Б91

-60

-25

-44

-4,0 – -2,0

0,02

8,8

1,5

КТ-90

2ПЕ215А

-60

-60

-28

-4,0 – -2,0

0,05

3,1

1,5

КТ-28

АЕЯР.432140.749ТУ

Аналог 

IXTA28P065T

2ПЕ219А9

-60

-60

-12

-4,0 – -2,0

0,11

1,1

3,0

КТ-93

Аналог SUD08P06-

155L-GE3

2ПЕ219А2

-60

-60

-14

-4,0 – -2,0

0,11

1,1

2,0

КТ-92

АЕЯР.432140.750ТУ

2ПЕ219А92

-60

-60

-14

-4,0 – -2,0

0,11

1,1

2,0

КТ-89

Аналог SUD08P06-

155L-GE3

2ПЕ220А9

-60

-60

-32

-4,0 – -2,0

0,04

6,9

1,5

КТ-94

АЕЯР.432140.749ТУ

2ПЕ307А9

-60

-60

-50

-4,0 – -2,0 0,025

8,1

1,0

КТ-95

2ПЕ215Б

-100

-100

-22

-4,0 – -2,0 0,085

3,1

1,5

КТ-28

2ПЕ219Б9

-100

-100

-10

-4,0 – -2,0

0,2

1,1

3,0

КТ-93

2ПЕ211В1

-100

-30

-28

-4,0 – -2,0

0,05

8,8

1,5

КТ-28-2

АЕЯР.432140.748ТУ

Trench

2ПЕ211В91

-100

-30

-28

-4,0 – -2,0

0,05

8,8

1,5

КТ-90

2ПЕ219Б2

-100

-100

-12

-4,0 – -2,0

0,2

1,1

2,0

КТ-92

АЕЯР.432140.750ТУ

2ПЕ219Б92

-100

-100

-12

-4,0 – -2,0

0,2

1,1

2,0

КТ-89

Аналог SUD09P10-

195

2ПЕ220Б9

-100

-100

-28

-4,0 – -2,0

0,05

6,9

1,5

КТ-94

АЕЯР.432140.749ТУ

2ПЕ307Б9

-100

-100

-38

-4,0 – -2,0

0,04

8,1

1,0

КТ-95

2ПЕ215В

-200

-160

-10

-4,0 – -2,0

0,32

3,1

1,5

КТ-28

Аналог IRFI9640G

2ПЕ219В9

-200

-160

-5,0

-4,0 – -2,0

0,8

1,1

3,0

КТ-93

2ПЕ219В2

-200

-160

-6,0

-4,0 – -2,0

0,8

1,1

2,0

КТ-92

АЕЯР.432140.750ТУ

Аналог IRFR9220

2ПЕ219В92

-200

-160

-6,0

-4,0 – -2,0

0,8

1,1

2,0

КТ-89

2ПЕ220В9

-200

-160

-14

-4,0 – -2,0

0,2

6,9

1,5

КТ-94

АЕЯР.432140.749ТУ

Аналог IRFN240

2ПЕ307В9

-200

-160

-20

-4,0 – -2,0

0,15

8,1

1,0

КТ-95

Аналог IRFM250

Серийные бескорпусные изделия специального назначения 

Наименование

U

СИ.макс

В

I

С.макс

А

U

ЗИ.пор

В

R

СИ.отк

Ом

С

11

нФ

Размер 

кристалла, 

мм

Наименование

ТУ

Описание 

кристалла

Примечание

2П7165А-5

-30

-15

-2,2 – -0,7

0,04

2,1

4,40 × 3,40

АЕЯР.432140.386ТУ

Рис.93

2П7165Б-5

-30

-15

-4,0 – -2,0

0,04

2,1

4,40 × 3,40

Рис.93

2ПЕ305АН5

-30

-140

-4,0 – -2,0

0,004

14

12,00 × 12,00

АЕЯР.432140.747ТУ

Рис.42

Trench

2ПЕ209АН5

-30

-28

-4,0 – -2,0

0,03

3,5

4,00 × 2,60

Рис.41

2ПЕ211АН5

-30

-52

-4,0 – -2,0

0,015

8,8

5,50 × 4,50

АЕЯР.432140.748ТУ

Рис.43

2ПЕ305БН5

-60

-114

-4,0 – -2,0

0,006

14

12,00 × 12,00

АЕЯР.432140.747ТУ

Рис.42

Trench

2ПЕ209БН5

-60

-22

-4,0 – -2,0

0,045

3,5

4,00 × 2,60

Рис.41

2ПЕ211БН5

-60

-44

-4,0 – -2,0

0,02

8,8

5,50 × 4,50

АЕЯР.432140.748ТУ

Рис.43

133

ДМОП p-канальные транзисторы

Наименование

U

СИ.макс

В

I

С.макс

А

U

ЗИ.пор

В

R

СИ.отк

Ом

С

11

нФ

Размер 

кристалла, 

мм

Наименование

ТУ

Описание 

кристалла

Примечание

2ПЕ215АН5

-60

-28

-4,0 – -2,0

0,05

3,1

5,50 × 4,50

АЕЯР.432140.749ТУ

Рис.88

2ПЕ219АН5

-60

-12

-4,0 – -2,0

0,11

1,1

4,00 × 2,60

Рис.89

2ПЕ220АН5

-60

-32

-4,0 – -2,0

0,04

6,9

7,30 × 7,30

Рис.90

2ПЕ307АН5

-60

-50

-4,0 – -2,0

0,025

8,1

8,28 × 8,28

Рис.91

2П7166А-5

-100

-17

-2,2 – -0,7

0,1

8,6

6,60 × 6,10

АЕЯР.432140.386ТУ

Рис.94

2П7166Б-5

-100

-17

-4,0 – -2,0

0,1

8,6

6,60 × 6,10

Рис.94

2П7210А-5

-100

-6,0

-2,2 – -0,7

0,2

1,8

3,56 × 2,46

АЕЯР.432140.505ТУ

Рис.92

2П7210Б-5

-100

-6,0

-4,0 – -2,0

0,2

1,8

3,56 × 2,46

Рис.92

2ПЕ305ВН5

-100

-88

-4,0 – -2,0

0,01

14

12,00 × 12,00

АЕЯР.432140.747ТУ

Рис.42

Trench

2ПЕ209ВН5

-100

-15

-4,0 – -2,0

0,1

3,5

4,00 × 2,60

Рис.41

2ПЕ211ВН5

-100

-28

-4,0 – -2,0

0,05

8,8

5,50 × 4,50

АЕЯР.432140.748ТУ

Рис.43

2ПЕ215БН5

-100

-22

-4,0 – -2,0

0,085

3,1

5,50 × 4,50

АЕЯР.432140.749ТУ

Рис.88

2ПЕ219БН5

-100

-10

-4,0 – -2,0

0,2

1,1

4,00 × 2,60

Рис.89

2ПЕ220БН5

-100

-28

-4,0 – -2,0

0,05

6,9

7,30 × 7,30

Рис.90

2ПЕ307БН5

-100

-38

-4,0 – -2,0

0,04

8,1

8,28 × 8,28

Рис.91

2П7167А-5

-200

-10

-2,2 – -0,7

0,2

7,8

6,46 × 5,96

АЕЯР.432140.386ТУ

Рис.95

2П7167Б-5

-200

-10

-4,0 – -2,0

0,2

7,8

6,46 × 5,96

Рис.95

2ПЕ215ВН5

-200

-10

-4,0 – -2,0

0,32

3,1

5,50 × 4,50

АЕЯР.432140.749ТУ

Рис.88

2ПЕ219ВН5

-200

-5,0

-4,0 – -2,0

0,8

1,1

4,00 × 2,60

Рис.89

2ПЕ220ВН5

-200

-14

-4,0 – -2,0

0,2

6,9

7,30 × 7,30

Рис.90

2ПЕ307ВН5

-200

-20

-4,0 – -2,0

0,15

8,1

8,28 × 8,28

Рис.91

134

Новые разработки

Новые разработки

Корпус КТ-28

Корпус КТ-92

Корпус КТ-95

Корпус КТ-43

Корпус КТ-94

Корпус КТ-105

N-канальные корпусные ДМОП транзисторы специального назначения

Наименование

U

СИ.макс

В

I

С.макс

А

U

ЗИ.пор

В

R

СИ.отк

Ом

С

11

нФ

R

Т П-К

,

°С/Вт

Тип 

корпуса

Аналоги

Примечание

2П836А

30

45

2,0 – 4,0

0,006

12,7

0,7

КТ-43

2П836Б

30

45

1,0 – 2,5

0,006

12,7

0,7

КТ-43

2П7161А

30

45

2,0 – 4,0

0,008

8,1

1,0

КТ-43

IRF3709PbF

2ПЕ210А

30

30

2,0 – 4,0

0,005

8,2

1,5

КТ-28

Trench

2ПЕ210Б

60

30

2,0 – 4,0

0,01

8,2

1,5

КТ-28

2П835Б

60

45

2,0 – 4,0

0,008

10,4

0,7

КТ-43

IRFB4410

2П7161Б

60

45

2,0 – 4,0

0,012

10,9

0,8

КТ-43

STW80NF06

IXTQ 150N06P

2П7248А9

80

40

1,0 – 2,4

0,009

6,2

1,2

КТ-94

IXFH 76N07-11

STL75N8LF6

2П7248А

80

45

1,0 – 2,4

0,009

6,2

1,2

КТ-43

IXFH 76N07-11

STL75N8LF6

2ПЕ205А2

100

12

1,5 – 2,5

0,1

КТ-92

IRLU3410PbF

2ПЕ205А92

100

12

1,5 – 2,5

0,1

КТ-89

IRLR3410PbF

2ПЕ210В

100

30

2,0 – 4,0

0,015

8,2

1,5

КТ-28

2П835А

100

45

2,0 – 4,0

0,012

10,6

0,7

КТ-43

STW120NF10

IXFH140N10P

2П7231А2

100

14

1,0 – 2,5

0,1

1,5

3,0

КТ-92

IRLU3410PbF

2П7231Б2

100

14

2,0 –4,0

0,1

1,5

3,0

КТ-92

IPI80CN10N G 

IRLU3410PbF

2П7231А92

100

14

1,0 – 2,5

0,1

1,5

3,0

КТ-89

FDD850N10L 

IRLR3410PbF

2П7231АБ2

100

14

2,0 – 4,0

0,1

1,5

3,0

КТ-89

IPI80CN10N G 

IRLU3410PbF

2П7249А2

100

10

1,0 – 2,4

0,1

4,0

КТ-92

IRLU3410PbF

Trench

2П7249А92

100

10

1,0 – 2,4

0,1

4,0

КТ-89

FDD86113LZ 

IRLR3410PbF

135

Новые разработки

Наименование

U

СИ.макс

В

I

С.макс

А

U

ЗИ.пор

В

R

СИ.отк

Ом

С

11

нФ

R

Т П-К

,

°С/Вт

Тип 

корпуса

Аналоги

Примечание

2П7257А

100

14

−4,4 – −2,7

0,13

1,8

2,0

КТ-28

IXTH16N10D2

Встроенный канал

2П7257А2

100

14

−4,4 – −2,7

0,13

1,8

2,0

КТ-92

IXTH16N10D2

2П7257А92

100

14

−4,4 – −2,7

0,13

1,8

2,0

КТ-89

IXTT16N10D2

2П7248Б9

120

20

1,0 – 2,4

0,018

7,9

1,2

КТ-94

STP80NF12

IRLU3110ZPbF

IXTH 75N10

2П7248Б

120

45

1,0 – 2,4

0,018

7,9

1,2

КТ-43

STP80NF12

IRLU3110ZPbF

IXTH 75N10

Trench

2П7248В

200

32

1,0 – 2,4

0,05

5,2

1,2

КТ-43

STW40NF20 

IRFP250NPbF

2П7248В9

200

10

1,0 – 2,4

0,05

5,2

1,2

КТ-94

STW40NF20 

IRFP250NPbF

2П830Е9

200

40

3,0 – 5,0

0,065

4,4

0,62

КТ-95

2П834А

200

40

2,0 – 4,0

0,05

9,8

0,7

КТ-43

FDP52N20

2П7170А

200

26

2,0 – 4,0

0,08

6,5

1,0

КТ-43

BUZ 350

IRFP250N

2П7170А9

200

26

2,0 – 4,0

0,08

6,5

1,0

КТ-94

BUZ 350

IRFP250N

2П7170Б

200

36

2,0 – 4,0

0,055

7,9

0,8

КТ-43

IRFB42N20D

FDP52N20

2П7170Б9

200

36

2,0 – 4,0

0,055

7,9

0,8

КТ-95

IRFB42N20D

FDP52N20

2П7245А

250

4,0

2,0 – 4,0

0,45

0,66

2,0

КТ-28

Малый заряд затвора

2П7245А2

250

4,0

2,0 – 4,0

0,45

0,66

2,0

КТ-92

FQU9N25

2П7245А92

250

4,0

2,0 – 4,0

0,45

0,66

2,0

КТ-89

FQD9N25

2П7244А

400

5,5

2,0 – 4,0

1,0

0,76

2,5

КТ-28

2П7168А9

400

22

2,0 – 4,0

0,17

7,1

0,7

КТ-95

FDA24N40F

2П7168А

400

22

2,0 – 4,0

0,17

7,1

0,7

КТ-43

FDA24N40F

2П830Д9

400

24

3,0 – 5,0

0,23

4,4

0,62

КТ-95

2ПЕ7168Б

500

20

2,0 – 4,0

0,23

6,5

0,7

КТ-43

FQA20N50

2ПЕ7168Б9

500

20

2,0 – 4,0

0,23

6,5

0,7

КТ-95

FQA20N50

2П830Г9

500

22

3,0 – 5,0

0,28

4,4

0,62

КТ-95

2П830В9

600

15,5

3,0 – 5,0

0,4

4,4

0,62

КТ-95

2П833А

600

20

2,0 – 4,0

0,15

9,5

0,625

КТ-105

2П837А2

600

1,0

2,0 – 5,0

10,5

0,46

2,5

КТ-92

STD5NK50Z-1

Малый заряд затвора

2П837А92

600

1,0

2,0 – 5,0

10,5

0,46

2,5

КТ-89

STD5NK50ZT4

2П838А2

600

2,0

2,0 – 5,0

4,4

0,5

3,0

КТ-92

STD4NK50Z-1

2П838А92

600

2,0

2,0 – 5,0

4,4

0,5

3,0

КТ-89

STD4NK50ZT4

2П7242А

600

2,0

2,0 – 4,0

0,2

5,2

0,6

КТ-105

2П839А2

600

4,0

2,0 – 5,0

2,3

0,7

4,0

КТ-92

IXTA8N50P

2П839А92

600

4,0

2,0 – 5,0

2,3

0,7

4,0

КТ-89

FDD8N50NZ 

IXTA8N50P

2П840А

600

6,0

3,0 – 5,0

1,3

0,9

1,3

КТ-28

IXTP7N60P

2П840А1

600

7,0

3,0 – 5,0

1,3

0,9

1,3

КТ-28-2

IXTP7N60P

2П840А91

600

7,0

3,0 – 5,0

1,3

0,9

1,3

КТ-90

IXTP7N60P

2ПЕ7168В

600

18

2,0 – 4,0

0,27

6,0

0,7

КТ-43

FQA24N60

2ПЕ7168В9

600

18

2,0 – 4,0

0,27

6,0

0,7

КТ-95

FQA24N60

2ПЕ7168В

600

20

2,0 – 4,0

0,2

5,2

0,6

КТ-105

2П7243А

650

8,0

2,0 – 4,0

0,93

1,5

1,0

КТ-43

STP10N65K3

2П830Б9

800

11

3,0 – 5,0

0,75

4,4

0,62

КТ-95

2П832А

800

15

2,0 – 4,0

0,5

0,625

КТ-105

2П830А9

1200

7,0

3,0 – 5,0

1,7

4,4

0,62

КТ-95

2П831А

1200

10

2,0 – 4,0

1,2

7,5

0,625

КТ-105

136

Новые разработки

P-канальные корпусные ДМОП транзисторы специального назначения

Наименование

U

СИ.макс

В

I

С.макс

А

U

ЗИ.пор

В

R

СИ.отк

Ом

С

11

нФ

R

Т П-К

,

°С/Вт

Тип 

корпуса

Аналоги

2П7165А9

-30

-30

-2,2 – -0,7

0,04

2,2

1,35

КТ-94

NDB6030PL

2П7165Б9

-30

-30

-4,0 – -2,0

0,04

2,2

1,35

КТ-94

NDB6030

2ПЕ211А

-30

-30

-4,0 – -2,0

0,015

8,8

1,5

КТ-28

2ПЕ211Б

-60

-30

-4,0 – -2,0

0,02

8,8

1,5

КТ-28

2ПЕ220А

-60

-32

-4,0 – -2,0

0,04

6,9

1,0

КТ-43

2ПЕ220Б

-100

-28

-4,0 – -2,0

0,05

6,9

1,0

КТ-43

IRFP9140NPbF

2П7210А2

-100

-6,0

-2,2 – -0,7

0,25

1,8

4,0

КТ-92

SPP15P10PL H

2П7210Б2

-100

-6,0

-2,0 – -4,0

0,25

1,8

4,0

КТ-92

IRFU9120PbF IRFU5410PbF

2П7210А92

-100

-6,0

-2,2 – -0,7

0,25

1,8

4,0

КТ-89

SPP15P10PL H

2П7210Б92

-100

-6,0

-2,0 – -4,0

0,25

1,8

4,0

КТ-89

IRFU9120PbF IRFU5410PbF

2ПЕ211В

-100

-28

-4,0 – -2,0

0,05

8,8

1,5

КТ-28

2П7166А

-100

-30

-0,7 – -2,2

0,07

1,0

КТ-43

2П7166Б

-100

-30

-2,0 – -4,0

0,07

1,0

КТ-43

IRFP9140NPbF

2П7166А9

-100

-26

-2,2 – -0,7

0,07

1,0

КТ-94

2П7166Б9

-100

-26

-4,0 – -2,0

0,07

1,0

КТ-94

IRFB9140NPbF

2П7167А9 

-200

-17

-2,2 – -0,7

0,17

1,0

КТ-94

SFH9250L

SFF9250L

2П7167Б9 

-200

-17

-4,0 – -2,0

0,17

1,0

КТ-94

IXTH 16P20

2ПЕ220В

-200

-14

-4,0 – -2,0

0,2

6,9

1,0

КТ-43

IXTH 16P20

137

Габаритные чертежи кристаллов

Габаритные чертежи кристаллов

Размеры чертежей кристаллов даны в миллиметрах.

Рис.1

Наименование

кристалла

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2Д436А-5

2Д437А-5

1

Анод  диода

Алюминий с кремнием

3,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель – 

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

280 ±20

Рис.2

Наименование

кристалла

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2Д536А-5

2Д536Б-5

1

Анод

диода

Алюминий с кремнием

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.3

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2Д536В-5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.4

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2Д666А-5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.5

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2Д682А-5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

138

Габаритные чертежи кристаллов

Рис.6

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2Д682Б-5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.7

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2Д682В-5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.8

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2ДВ106АН5

2ДВ106БН5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием и

медью

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.9

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2ДВ106ВН5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием и

медью

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.10

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2ДВ107АН5

2ДВ107БН5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием и

медью

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.11

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2ДВ107ВН5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием и

медью

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

139

Габаритные чертежи кристаллов

Рис.12

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2ДВ108АН5 

2ДВ108БН5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием и

медью

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.13

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2ДВ108БН5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием и

медью

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.14

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2ДВ109АН5

2ДВ109БН5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием и

медью

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.15

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2ДВ110АН5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием и

медью

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.16

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2ДВ111АН5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием и

медью

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.17

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, мкм

2ДВ112АН5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием и

медью

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

140

Габаритные чертежи кристаллов

Рис.18

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ДВ113АН5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием и медью

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.19

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, мкм

2ДВ201АН5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием 

и медью

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.20

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, мкм

2ДВ302АН5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием 

и медью

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

380 ±30

Рис.21

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2ДВ303АН5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием 

и медью

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

480 ±30

Рис.22

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2ДВ304АН5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием 

и медью

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

650 ±30

Рис.23

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2ДВ305АН5

1

Анод 

диода

Алюминий с кремнием 

и медью

4,0 ±0,5

2

Катод диода

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм 

675 ±30

141

Габаритные чертежи кристаллов

Рис.24

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2Е719А-5

2Е720А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с кремнием

3,0 ±0,5

2

Коллектор

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,1

3,1-3,4

Эмиттер

транзистора

Алюминий с кремнием

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

200 ±30 (2Е719А-5)

250 ±30 (2Е720А-5)

Рис.25

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2Е725А-5

2Е725Б-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с кремнием

3,0 ±0,5

2

Коллектор

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Эмиттер

транзистора

Алюминий с кремнием

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

200 ±30

Рис.26

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2ТЕ301АН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с кремнием

и медью

4,0 ±0,5

2

Коллектор

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Эмиттер

транзистора

Алюминий с кремнием

и медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

200 ±30

Рис.27

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2ТЕ302АН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с кремнием

и медью

4,0 ±0,5

2

Коллектор

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Эмиттер

транзистора

Алюминий с кремнием

и медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

200 ±30

Рис.28

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлизации, 

мкм

2ТЕ303АН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с кремнием

и медью

4,0 ±0,5

2

Коллектор

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Эмиттер

транзистора

Алюминий с кремнием

и медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

200 ±30

142

Габаритные чертежи кристаллов

Рис.29

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ТЕ304АН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

и медью

4,0 ±0,5

2

Коллектор

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Эмиттер

транзистора

Алюминий с 

кремнием

и медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

200 ±30

Рис.30

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ТЕ305АН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

и медью

4,0 ±0,5

2

Коллектор

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Эмиттер

транзистора

Алюминий с 

кремнием

и медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

200 ±30

Рис.31

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ТЕ305БН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

и медью

4,0 ±0,5

2

Коллектор

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Эмиттер

транзистора

Алюминий с 

кремнием

и медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

270 ±30

Рис.32

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ТЕ306АН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

и медью

4,0 ±0,5

2

Коллектор

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Эмиттер

транзистора

Алюминий с 

кремнием

и медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

200 ±30

143

Габаритные чертежи кристаллов

Рис.33

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

КЕ738А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

2

Коллектор

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3.1-3.9

Эмиттер

транзистора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

250 ±30

Рис.34

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

КЕ738Б-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

2

Коллектор

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3.1-3.9

Эмиттер

транзистора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

360 ±30

Рис.35

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

КЕ738В-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

2

Коллектор

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3,1- 

3,9

Эмиттер

транзистора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

480 ±30

Рис.36

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

КЕ738Г-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

2

Коллектор

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3,1- 

3,9

Эмиттер

транзистора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

630 ±30

144

Габаритные чертежи кристаллов

Рис.37

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

КЕ738Д-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

2

Коллектор

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3,1-

3,4

Эмиттер

транзистора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

675 ±30

Рис.38

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П836А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

и медью

5,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

и медью

5,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.39

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7161А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

3,7 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3,1-3,4

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

3,7 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.40

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7162А-5

2П7162Б-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3,1

3,2

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

145

Габаритные чертежи кристаллов

Рис.41

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ208АН5

2ПЕ208БН5

2ПЕ208ВН5

2ПЕ209АН5

2ПЕ209БН5

2ПЕ209ВН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.42

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ304АН5

2ПЕ304БН5

2ПЕ304ВН5

2ПЕ305АН5

2ПЕ305БН5

2ПЕ305ВН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.43

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ210АН5

2ПЕ210БН5

2ПЕ210ВН5

2ПЕ211АН5

2ПЕ211БН5

2ПЕ211ВН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.44

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П835А-5

2П835Б-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

5,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

5,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.45

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7149А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

280 ±30

 

 

 

 

 

 

 

содержание      ..     7      8      9      10     ..