Ангстрем. Каталог продукции (2022 год) - часть 10

146

Габаритные чертежи кристаллов

Рис.46

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7161Б-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

3,7 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3,1-3,4

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

3,7 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.47

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7246А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.48

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П302АН5

2П302БН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,3

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,3

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.49

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ212АН5

2ПЕ212БН5

2ПЕ212ВН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,3

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,3

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.50

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ213АН5

2ПЕ213БН5

2ПЕ213ВН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,3

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,3

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

147

Габаритные чертежи кристаллов

Рис.51

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ214АН5

2ПЕ214БН5

2ПЕ214ВН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,3

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,3

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.52

Наименование

№ КП

Назначение

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ306АН5

2ПЕ306БН5

2ПЕ306ВН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.53

Наименование

№ КП

Назначение

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ203АН5

2ПЕ203БН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.54

Наименование

№ КП

Назначение

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ204АН5

2ПЕ204БН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.55

Наименование

№ КП

Назначение

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7132А1-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка)

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

280 ±30

Рис.56

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7248А-5

2П7248Б-5

2П7248В-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,2

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

148

Габаритные чертежи кристаллов

Рис.57

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7163А-5

2П7163Б-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3,1

3,2

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

280 ±30

Рис.58

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7169А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

3,2 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3,1

3,2

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

3,2 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

280 ±30

Рис.59

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7169Б-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

3,2 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3,1-3,3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

3,2 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

280 ±30

Рис.60

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7231А-5

2П7231Б-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с кремнием

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с кремнием

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.61

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7257А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с кремнием

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с кремнием

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

280 ±30

149

Габаритные чертежи кристаллов

Рис.62

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7164А-5

2П7164Б-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с кремнием

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3,1

3,2

Исток

транзистора

Алюминий с кремнием

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

280 ±30

Рис.63

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлизации

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П834А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с кремнием и

медью

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с кремнием и

медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.64

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7170А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,2

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3,1-3,3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.65

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7170Б-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,2

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3,1-3,4

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,2

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.66

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ206АН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3,1- 

3,13

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

150

Габаритные чертежи кристаллов

Рис.67

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ303АН5

2ПЕ303БН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.68

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П830Е-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.69

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ203ВН5

2ПЕ203ГН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.70

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ204ВН5

2ПЕ204ГН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.71

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7245А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и

медью

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и

медью

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

151

Габаритные чертежи кристаллов

Рис.72

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7168А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.73

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7244А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и

медью

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и

медью

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.74

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ207АН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3,1- 

3,13

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.75

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ221АН5

2ПЕ221БН5

2ПЕ221ВН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.76

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ222АН5

2ПЕ222БН5

2ПЕ222ВН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

152

Габаритные чертежи кристаллов

Рис.77

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ222ГН5

2ПЕ222ДН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.78

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ223АН5

2ПЕ223БН5

2ПЕ223ВН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.79

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ223ГН5

2ПЕ223ДН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.80

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ833А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.81

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ837А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,3

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,3

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

153

Габаритные чертежи кристаллов

Рис.82

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ838А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,3

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,3

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.83

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7242А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.84

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7243А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.85

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П832А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.86

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П820А-5

2П820Б-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

154

Габаритные чертежи кристаллов

Рис.87

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П831А-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и

медью

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.88

Наименование

№ 

КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металли

-

зации, мкм

2ПЕ215АН5

2ПЕ215БН5

2ПЕ215ВН5

1

Затвор тран

-

зистора

Алюминий с 

кремнием и

медью

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.89

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ219АН5

2ПЕ219БН5

2ПЕ219ВН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и

медью

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.90

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ220АН5

2ПЕ220БН5

2ПЕ220ВН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и

медью

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.91

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2ПЕ307АН5

2ПЕ307БН5

2ПЕ307ВН5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием и

медью

4,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием и 

медью

4,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

155

Габаритные чертежи кристаллов

Рис.92

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7210А-5

2П7210Б-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

300 ±30

Рис.93

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7165А-5

2П7165Б-5

1

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3,1

3,2

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

280 ±30

Рис.94

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7166А-5

2П7166Б-5

1,1

1,2

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3,1-

3,3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

280 ±30

Рис.95

Наименование

№ КП

Назначение 

КП

Тип металлиза

-

ции

Толщина металлиза

-

ции, мкм

2П7167А-5

2П7167Б-5

1,1

1,2

Затвор транзи

-

стора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

2

Сток

транзистора

(подложка) 

Титан – Никель –

Серебро

1,0 ±0,2

3,1-3,3

Исток

транзистора

Алюминий с 

кремнием

3,0 ±0,5

Толщина кристалла, мкм

280 ±30

156

 

LED драйверы

157

К1939ВК014 (An9910) универсальный контроллер для сверхярких LED-индикаторов

К1939ВК014 (An9910) 

универсальный контроллер для 

сверхярких LED-индикаторов

An9910 – высокопроизводительный LED драйвер с ШИМ, обеспечивает эффективную 

работу сверхярких светодиодов (HB LED) от источников напряжения с диапазоном от 

8 В DC до 450 В DC. Уникальная конструкция генератора в An9910 позволяет управ

-

лять внешним MOSFET на фиксированной частоте переключения до 500 кГц (рези

-

стор включен между выводами RT и GND) или на постоянном времени выключения 

(резистор включен между выводами RT и GATE). LED цепочка приводится в действие 

постоянным током, а не постоянным напряжением, что обеспечивает равномерное 

свечение и повышенную надежность. Выходной ток может быть установлен от 

нескольких миллиампер до более чем 1,0 А. 

Особенности

 

―

Эффективность свыше 90%

 

―

Входной диапазон напряжений от 8 В до 450 В

 

―

Постоянный ток LED-драйвера

 

―

Выходной ток от нескольких мА до более, чем 1 A

 

―

Цепочка LED от одного до сотен диодов

 

―

Принимает слабый низкочастотный сигнал PWM через вывод разрешения

 

―

Повышенное входное напряжение - до 450 В

Применение

 

―

LED драйверы типа DC/DC или AC/DC

 

―

LED драйвер цветной фоновой подсветки

 

―

Фоновая подсветка плоских экранов

 

―

Универсальный источник постоянного тока

 

―

Индикаторное и декоративное LED освещение

 

―

Автомобильная промышленность

 

―

Зарядные устройства

Абсолютные максимальные значения

V

IN

 

относительно GND 

 

от -0,5 В до +470 В

CS 

 

от -0,3 В до (V

DD

+ 0,3 В)

LD, PWM_D относительно GND 

 

от -0,3 В до (V

DD

 

- 0,3 В)

GATE относительно GND 

 

от -0,3 В до (V

DD

 + 0,3 В)

V

DD 

MAX

 

 

13,5 В

Возможность ESD, все выводы, кроме вывода 1 (V

IN

) и выводов 7,8 (V

DD

) 

2,0 кВ

Максимальное напряжение на выводе 1 (V

IN

) 

 

470 В

Непрерывная рассеиваемая мощность (T

A

 = +25°C)

1

:

-

 

16-выводной SO (снижение на 7,5мВт/°C сверх +25°C   

750 мВт

-

 

8-выводной SO (снижение на 6,3 мВт /°C сверх +25°C   

630 мВт

Рабочий диапазон температур 

 

от -40°C до +85°C

Температура перехода 

 

125°C

Диапазон температур хранения 

 

65°C – +150°C

Корпус 

4307.16-A (SO-16)

Корпус 

4303.8-В (SO-8)

158

К1939ВК014 (An9910) универсальный контроллер для сверхярких LED-индикаторов

Электрические параметры при T

A

 = 25°C и V

IN

 = 12 В

Обозначение

Описание

Мин.

Тип. Макс. Ед.изм.

Режим измерения

V

INDC

Диапазон входного напряжения

 

DC

1

 

8,0

450

В

Входное постоянное напряжение

I

INsd

Ток

 

выключенного состояния

0,5

1

мA

Вывод

 

PWM_

D 

к

 

GND, 

V

IN

= 8 

В

V

DD

Напряжение внутреннего регулятора

7,0

7,5

8,0

В

V

IN

 

= 8–450 В, 

I

DD

(

ext

)

=0, вывод

 

Gate

 

в 

обрыве

V

DDmax

Максимальное напряжение

 

на выводе

 

V

DD

12

В

Когда

 

внешнее

 

напряжение

 

подается

 

на

 

вывод

 V

DD

Δ

V

DD,line

Нестабильность 

V

DD

 от входного 

напряжения

1,0

В

V

IN

 

= 8-450 В, 

I

DD

(

ext

)

=0, C

GATE

 

= 500 пФ, 

Rosc = 226 кОм, PWM_

D= V

DD

 

Δ

V

DD,load

Нестабильность 

V

DD

 от нагрузки

100

мВ

I

DD

(

ext

)

=0-1,0 мА, C

GATE

 

= 500 пФ, Rosc

 = 

226 кОм, PWM_

D= V

DD

UVLO

Нижний порог блокировки работы 

схемы

6,45

6,7

6,95

В

V

DD

 

возрастает

ΔUVLO

Гистерезис нижнего порога блокировки

500

мВ

V

DD

 

снижается

V

EN(lo)

Входное

 

напряжение

 

низкого уровня на 

выводе

 

PWM_

D

1,0

В

V

IN

 = 8–

450

 

В

V

EN(hi)

Входное

 

напряжение

 

высокого уровня 

на выводе

 

PWM_

D

2,4

В

V

IN

 = 8–

450

 

В

R

EN

Входное

 

подтягивающее к земле 

сопротивление

 

вывода

 

PWM_

D

50

100

150

кОм

V

PWM_D

 = 

5

 

В

V

CS(hi)

Пороговое

 

напряжение

 

блокировки при 

возрастании сигнала на входе CS

225

250

275

мВ

T

A

 =

 от

 

-40°C до +85°C

V

GATE(hi)

Выходное напряжение высокого уровня 

на выводе

 

GATE

V

DD

-0,3

VDD 

В

I

OUT  

= -10 

мА

V

GATE(lo)

 

Выходное напряжение низкого уровня 

на выводе

 

GATE

0

0,3

В

I

OUT  

= 10 

мА

fosc

Частота внутреннего генератора

20 

80

25 

100

30

120

кГц кГц  R

T

 = 1,00 мОм

R

T

 = 226 кОм

D

MAXht

Максимальный коэффициент 

заполнения сигналов на выводе GATE

100

%

F

PWMhf

 

 = 25кГц, CS

 

к

 

GND

V

LD

Диапазон напряжений на выводе 

LD

0

250

мВ

T

A

=<85°C, V

IN

 = 12

 

В

T

BLANK

Значение интервала нечувствительности 

к сигналу по входу CS

150

215

280

нс

V

CS

 = 0,55V

LD

, V

LD

 = V

DD

t

DELAY

Задержка распространения сигнала от 

входа CS до выхода GATE

 

300

нс

V

IN

 = 12В, 

V

LD

 

= 0,15,

V

CS

 = 

от 

0 

до 0,22 В

 

после

 

T

BLANK

t

RISE

Время нарастания сигнала на выходе  

GATE

30

50

нс

C

GATE

 

= 500 пФ, от 10% до 90% 

V

GATE

t

FALL

Время спада

 

сигнала на выходе  GATE

30

50

нс

C

GATE

 

= 500 пФ, от 90% до 10% 

V

GATE

1

  Ограничен рассеиваемой мощностью корпуса.

Блок-схема An9910

V

IN

V

DD

PWMD

GATE

S
R

Q

7,5 Â

+

+

-

-

An 9910

Ëèíåéíûé

ðåãóëÿòîð

Ãåíåðàòîð

GND

LD

R

T

CS

100 êÎì

Типовая схема применения An9910

-

+

VT1

L1

C4

C2

C1

R 1

R 2

R

T

V

IN

V

DD

PWMD

GATE

LD

CS

C 3

VD 1

VD 2

VD N

20...400 Â

GND

An9910

159

К1939ВК024 (An9910В) универсальный контроллер для сверхярких LED-индикаторов

К1939ВК024 (An9910В) 

универсальный контроллер

 

для 

сверхярких LED-индикаторов

An9910В использует режим открытой петли обратной связи для управления LED 

драйвера. An9910В может быть запрограммирован, чтобы работать или в режиме 

постоянной частоты, или в режиме постоянного времени выключения. Он включает 

8 – 450 В линейный регулятор, который работает в широком диапазоне входного 

напряжения без внешнего источника питания. An9910В  включает вывод PWMD регу

-

лировки яркости, который может принять внешний управляющий сигнал со скважно

-

стью  0 – 100% и частотой до нескольких килогерц. Он также включает 0 – 250mV 

линейный вход регулировки яркости, который может быть использован для линей

-

ной регулировки тока LED.
An9910В идеально подходит для понижающих LED драйверов. Так как An9910В рабо

-

тает с открытой петлей обратной связи для контроля тока, то схема обеспечивает 

хорошее регулирование по выходному току без какой-либо компенсации в петле. 

Реакция на регулирование яркости PWM сигналом ограничивается только отноше

-

нием скорости нарастания и спада тока в индуктивности, предоставляя возможности 

очень быстрого времени нарастания и спада. An9910В требует только три внешних 

компонента (отдельно от мощного каскада), чтобы управлять током LED, делая это 

идеальным решением за низкую цену LED драйверов.

Характеристики

 

―

Контроллер переключающего типа для отдельного переключающего LED драй

-

вера

 

―

Улучшенная тестовая структура обновленного An9910

 

―

Открытая петля обратной связи контроля пикового тока

 

―

Внутренний линейный регулятор, работающий от 8,0 В до 450 В

 

―

Работает или с постоянной частотой или с постоянным временем отключения

 

―

Возможность линейной и от PWM регулировки яркости

 

―

Требуется не много внешних элементов для работы

Области применения

 

―

Драйверы LED типа DC/DC или АС/DC

 

―

LED-драйвер подсветки RGB

 

―

Подсветка плоской панели отображения

 

―

Универсальный источник постоянного тока

 

―

Сигнальное и декоративное освещение с использованием  LED

 

―

Автомобильная промышленность

 

―

Зарядные устройства

Абсолютные максимальные  значения

V

IN

  относительно   GND  

 

от -0,5 В до +470 В

CS 

 

от -0,3 В до (V

DD

 + 0,3 В)

LD, PWM_D относительно GND 

 

от -0,3 В до (V

DD

 - 0,3 В)

GATE относительно GND  

 

от -0,3 В до (V

DD

 + 0,3 В)

V

DDMAX

 

 

12 В

Непрерывная рассеиваемая мощность (T

A

 = +25°C)

1

: 

-

 

16-выводной корпус SO (меньше 7,5 мВт/°C сверх +25°C  

750 мВт

-

 

8-выводной корпус SO (меньше 6,3 мВт/°C сверх +25°C) 

630 мВт

Рабочий  диапазон  температуры 

 

-40°C – +85°C

Температура  перехода 

 

+125°C

Диапазон  температуры хранения 

 

-65°C – +150°C

Корпус 

4307.16-A (SO-16)

Корпус 

4303.8-В (SO-8)

160

К1939ВК024 (An9910В) универсальный контроллер для сверхярких LED-индикаторов

Электрические параметры при T

A

 = 25°C и V

IN

=12 В

Обозначение

Описание

Мин.

Тип.

Макс. Ед. изм.

Режим измерения

V

INDC

Диапазон входного постоянного напряжения

1

8,0

450

В

Входное постоянное  напря

-

жение

I

INsd

Ток выключенного

 

состояния

0,5

1

мA

Вывод PWM_

D

 соединен

 

с GND

V

DD

Напряжение внутреннего регулятора

7,25

7,5

7,75

В

V

IN

=8–450 В, 

I

DD

(

ext

)

=0, вывод 

Gate

 

в обрыве.

ΔV

DD,line

Нестабильность 

V

DD

 от входного напряжения

1,0

В

V

IN

 

= 8–450 В, 

I

DD

(

ext

)

=0, C

GATE

 = 

500 пФ, R

T

 = 226 кОм, 

 

PWM_

D= V

DD

 

ΔV

DD,load

Нестабильность 

V

DD

 от нагрузки

100

мВ

I

DD(ext)

=0-1,0 мА, C

GATE

 

= 500пФ,

R

T

 = 226 кОм, PWM_D= V

DD

UVLO

Нижний порог блокировки работы схемы

6,45

6,7

6,95

В

V

DD

 

возрастает.

∆UVLO

Гистерезис нижнего порога блокировки

500

мВ

V

DD

 

понижается.

I

IN,MAX

Максимальный входной ток, который обе

-

спечивает регулятор напряжения 

V

DD

 при 

отсутствии блокировки

5,0

мA

V

IN

  = 8

 В.

V

EN(lo)

Входное напряжение низкого уровня на 

выводе PWM_

D

0,8

В

V

IN

 = 8–450 В.

V

EN(hi)

Входное  напряжение высокого уровня на  

выводе PWM_

D

2,0

В

V

I

N

 = 8–450 В.

R

EN

Входное

 

подтягивающее к земле 

сопротивление

 

вывода

 

PWM_

D

.

50

100

150

кОм

V

PWM_D

 = 5 В.

V

CS,TH

Значение порогового напряжения 

блокировки при возрастании сигнала

225

250

275

мВ

T

A

 = -40°C – +85°C.

V

GATE(hi)

Выходное напряжение высокого уровня на 

выводе  GATE

V

DD

-0,3

 V

DD

В

I

OUT

= 10 мA.

V

GATE(lo)

Выходное напряжение низкого уровня  на 

выводе GATE

0

0,3

В

I

OUT

 = -10 мA.

f

OSC

Частота  внутреннего генератора

20 

80

25 100

30

120

кГц кГц R

T

 = 1,00 мОм

R

T

 = 226 кОм

V

LD

Диапазон напряжений на  выводе 

LD

0

250

мВ

@T

A

 = <85°C, V

IN

 = 12 В.

Т

BLANK

Значение интервала нечувствительности к 

сигналу по входу CS

150

215

280

нс

V

CS

 = 0,55V

LD

, V

LD

 = V

DD

.

t

DELAY

Задержка распространения сигнала от входа 

CS до выхода GATE

150

нс

V

IN

 = 12 В, 

V

LD

 = 0,15, 

V

cs

 =  

от

 0 

до 0,22В после Т

BLANK

.

t

RISE

Время нарастания на выходе  GATE

30

50

нс

C

GATE

 = 500

 

пФ

t

FALL

Время убывания на выводе GATE

30

50

нс

C

GATE

 = 500

 

пФ

1 Ограничена рассеиваемой мощностью корпуса.

Типовая схема применения An9910В

-

+

VT1

L1

C4

C2

C1

R 1

R 2

R

T

V

IN

V

DD

PWMD

GATE

LD

CS

C 3

VD 1

VD 2

VD N

20...400 Â

GND

An9910B

Блок-схема An9910В

V

IN

V

DD

PWMD

GATE

S
R

Q

7,5 Â

+

+

-

-

A

B

n 9910

Ëèíåéíûé

ðåãóëÿòîð

Ãåíåðàòîð

GND

LD

R

T

CS

100 êÎì

161

An9920A трехвыводной LED-драйвер на 100mA с режимом регулирования по среднему току

An9920A трехвыводной

 

LED-

драйвер на 100mA с режимом 

регулирования по среднему току

An9920A – высокоэффективный LED драйвер с широтно-импульсным модулятором 

(ШИМ). Идеально подходит для управления цепочками светодиодов для схем декора

-

тивной светодиодной подсветки и маломощных осветительных приборов. Выходной 

ток фиксирован внутренними настройками микросхемы и составляет 100 мА. Управ

-

ление током в цепи светодиодов осуществляется по среднему значению тока, а не по 

пиковому току катушки индуктивности, что позволяет значительно повысить точ

-

ность стабилизации тока, линейность характеристик и повторяемость источников 

тока, слабо зависящих от значения индуктивности и количества светодиодов. Микро

-

схема включает встроенный MOSFET импульсный транзистор управляемый частотой 

c постоянной длительностью выключенного состояния (T

OFF

) 11,5 мкс. Работа 

LED-драйвера осуществляется от сети переменного тока с напряжением 85–264 В или 

от источника постоянного напряжения величиной 20–400 В.

Основные характеристики

 

―

Постоянный выходной средний ток: 100мА

 

―

Рабочее напряжение питания от 20 до 400 В постоянного тока

 

―

Buck конвертер с фиксированным временем выключения: 11,5 мкс

 

―

Встроенный MOSFET транзистор с пробивным напряжением не менее 475 В 

Применение

 

―

Декоративная подсветка 

 

―

Маломощные осветительные приборы 

Абсолютные максимальные значения

Напряжение питания, V

DD

 

 

-0,3 В – +10 В

Ток питания, I

DD 

 

+5 мA

Диапазон рабочей температуры окружающей среды   

-40°C – +85°C

Диапазон температура работы перехода  

 

-40°C – +125°C 

Температура хранения  

 

-65°C – +150°C

Рассеиваемая мощность при 25°C  

 

1600 мВт

Внешние воздействия, превышающие величины, указанные в разделе ‘‘Абсолютные 

максимальные значения’’ могут причинить постоянное повреждение устройству. Эти 

внешние воздействия могут быть использованы только для оценки, а работоспособ

-

ность устройства с использованием указанных или любых других значений, не ука

-

занных в эксплуатационном разделе спецификации, не рассматривается. Длительная 

работа при максимальных показателях может повлиять на надежность изделия.

Корпус SOT-89