|
|
|
содержание .. 6 7 8 9 ..
114 Введение Введение Силовые полупроводниковые изделия IGBT кристаллы Преимущества IGBT кристаллов производства АО «Ангстрем»:
― Большая плотность тока
― Легкость параллельного включения
― Высокая плотность упаковки
― Высокая стойкость к току КЗ
― Низкие Cies, Coes, Cres
― Малый заряд затвора
― Положительный температурный коэффициент V CE(sat)
― Самоограничение по току КЗ Производство по улучшенной технологии NPT+ обеспе - чивает устойчивость к перепадам напряжения и силе тока, увеличивает срок работы кристаллов и модулей на их основе FRD кристаллы. АО «Ангстрем» производит FRD диоды, комплемен - тарные к IGBT транзисторам собственного производ - ства. Пара IGBT+FRD может быть гибко индивидуально настроена в процессе двухступенчатого облучения и отжига при изготовлении. Эта технология позволяет:
― Настроить динамические параметры – мягкий или жесткий диод,
― Получить надежные статические параметры, устой - чивые к температурным перепадам. IGBT модули Собственные IGBT и FRD кристаллы позволяют АО «Ангстрем» выпускать широкую линейку IGBT моду - лей разных конфигураций (полумост, ключ верхнего уровня, ключ нижнего уровня) и напряжений (650В, 1200В, 1700В, 2500В).
― Стойкость к току короткого замыкания до 40 мкс (у импортных аналогов – до 10мкс);
― Большое количество рабочих циклов по сравнению с аналогами – более надежные и долговременные изделия;
― Использование парных IGBT и FRD кристаллов, специально разработанных для модулей;
― Легкость параллельного включения;
― Положительный температурный коэффициент пара - метра V CE(sat) ;
― Самоограничение по току короткого замыкания;
― Низкая входная/выходная/проходная емкость;
― 100% контроль на двойной импульс тока;
― Изолированное основание;
― Полностью отечественное производство. Список сокращений ДМОП
Двухдиффузионный металл- окисел-полупроводник; БТИЗ Биполярный транзистор с изолированным затвором; БВД Быстровосстанавливающийся диод. Условные обозначения U ОБР.макс , В Максимальное обратное напряжение, В I пр.макс , А Максимальный прямой ток, А U пр , В Прямое падение напряжения диода, В U КЭ.макс , В Максимальное напряжение коллектор-э - миттер, В I К.макс , А Максимальный ток коллектора, А U ЗЭ.пор , В Пороговое напряжение затвор-эмиттер, В U КЭ.нас , В Напряжение насыщения коллектор- эмиттер, В U СИ.макс , В Максимальное напряжение сток-исток, В I С.макс , А Максимальный ток стока, А U ЗИ.пор , В Пороговое напряжение затвор-исток, В R СИ.отк , Ом Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, Ом С 11 , нФ Входная емкость, нФ R Т П-К
Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт
|