Ангстрем. Каталог продукции (2022 год) - часть 6

82

СОЗУ 4К (4Кх1) 1620РУ2Н2АМ

СОЗУ 4К (4Кх1) 1620РУ2Н2АМ

Статическое оперативное запоминающее устройство 1620РУ2Н2АМ информационной 

ёмкостью 4К обладает высоким уровнем стойкости к воздействию СВФ. За счёт при

-

менения специальных конструктивных и технологических решений обладает высо

-

кой степенью надёжности и безотказности в процессе эксплуатации.
Микросхема имеет параллельный интерфейс ввода-вывода информации и 1-разряд

-

ную шину данных.

Назначение

Статическое оперативное запоминающее устройство предназначено для записи, 

хранения и чтения информации в широком спектре устройств, требующих высокой 

надёжности и безотказности при эксплуатации.

Конструктивное исполнение

Бескорпусная микросхема на 48-выводном гибком полиимидном носителе с ленточ

-

ными выводами.

Основные характеристики при Т = 25°С

Информационная ёмкость  

4К (4Кх1)

Ток потребления в режиме хранения, не более  

0,4 мА

Динамический ток потребления, не более  

8,5 мА

Время выборки, не более  

170 нс

Время цикла считывания, не менее 

 400 нс

Время цикла записи, не менее 

 400 нс

Напряжение питания  

4,5 В – 7,5 В

Рабочая температура  

от -60°С до +85°С

Технология  

КМОП КНС

Нумерация, обозначение и назначение выводов  

Номер вывода

в зоне монтажа 

Обозначение

вывода 

Назначение вывода 

1

GND

Общий вывод

2

A7

Вход адресный 7

3

A8

Вход адресный 8

4

I

Вход данных

5

WL/RH

Вход сигнала запись/считывание по низкому/высокому 

уровню

6

О

Выход данных

7

A11

Вход адресный 11

8

A9

Вход адресный 9

9

A10

Вход адресный 10

10

Vcc

Вывод питания от источника напряжения

11

A5

Вход адресный 5

12

A4

Вход адресный 4

13

A3

Вход адресный 3

14

CEL

Вход сигнала разрешения по низкому уровню

15

A2

Вход адресный 2

16

A1

Вход адресный 1

17

A0

Вход адресный 0

18

A6

Вход адресный 6

1620РУ2Н2АМ

А

0

А

1

А

4

А

2

А

3

SRAM

17

А

5

А

6

А

9

А

7

А

8

А

10

А

11

4

I

5

14

O

G ND

1

Vcc

10

6

16
15
13
12
11
18

2
3
8
9
7

C EL

WL/RH

4

К

(4

Кх

1)

Z

Условное графическое 

обозначение

Примечание – приведены номера  

выводов  микросхемы в зоне монтажа.

83

СОЗУ 64К (8Кх8) 537РУ16А, Н537РУ16А, 537РУ16Б, Н537РУ16Б, Б537РУ16Б-4

СОЗУ 64К (8Кх8) 537РУ16А, 

Н537РУ16А, 537РУ16Б, Н537РУ16Б, 

Б537РУ16Б-4

Функциональное назначение  

Статическое оперативное запоминающее устройство (8Кх8).

Конструктивное исполнение

Микросхемы 537РУ16А, 537РУ16Б и Н537РУ16А, Н537РУ16Б поставляются в металлокера

-

мических корпусах с золотым покрытием выводов 4183.28 и Н18.64 соответственно, 

Б537РУ16Б-4 – в бескорпусном исполнении на общей пластине.

Нумерация, обозначение и назначение выводов  

Номер вывода  

(контактной площадки)

Обозначение

Наименование 

537РУ16А, 

537РУ16Б, 

(Б537РУ16Б-4)

Н537РУ16А, 

Н537РУ16Б

1 (1)

1

NC

Свободный вывод

2 (2)

2

А12

Вход адресный столбца

3 (3)

3

А7

Вход адресный строки

4 (4)

4

А6

Вход адресный строки

5 (5)

5

А5

Вход адресный строки

6 (6)

6

А4

Вход адресный строки

7 (7)

7

А3

Вход адресный столбца

8 (8)

26

А

2

Вход адресный столбца

9 (9)

27

А1

Вход адресный столбца

10 (10)

28

А

0

Вход адресный столбца

11(11)

29

DIO0

Вход-выход нулевого разряда данных 

12 (12)

30

DIO1

Вход-выход первого разряда данных

13 (13)

31

DIO2

Вход-выход второго разряда данных

14 (14)

32

0V

Общий вывод

15 (15)

34

DIO3

Вход-выход третьего разряда данных

16 (16)

35

DIO4

Вход-выход четвертого разряда данных

17 (17)

36

DIO5

Вход-выход пятого разряда данных

18 (18)

37

DIO6

Вход-выход шестого разряда данных

19 (19)

38

DIO7

Вход-выход седьмого разряда данных

20 (20)

39

CE1

Вход сигнала разрешения

21 (21)

40

А10

Вход адресный строки

22 (22)

58

OE

Вход сигнала разрешения выхода

23 (23)

59

А11

Вход адресный строки

24 (24)

60

А9

Вход адресный строки

25 (25)

61

А8

Вход адресный строки

26 (26)

62

СЕ

2

Вход сигнала разрешения

27 (27)

63

WR/RD

Вход сигнала запись (считывание)

28 (28)

64

U

CC

Вывод питания от источника напряжения

Примечание – Выводы 8 – 25, 33, 41 – 57 микросхем Н537РУ16А, Н537РУ16Б свободные – NC 

Корпус 

Н18.64-1В

Корпус 

4183.28

14(32)

28(64)

A

12

7

6

5

4

3

2

1

0

10

11

9

8

2(2)

3(3)

4(4)

5(5)

6(6)

7(7)

8(26)

9(27)

10(28)

21(40)

23(59)

24(60)

25(61)

RAM

8Kх8

Vcc

GND

CE1

OE

CE2

WE

20(39)

22(58)

26(62)

27(63)

DIO0

DIO1

DIO2

DIO3

DIO4

DIO5

DIO6

DIO7

11(29)

12(30)

13(31)

15(34)

16(35)

17(36)

18(37)

19(38)

Условное графическое 

обозначение

Примечание – номера выводов 

микросхем   537РУ16А, 537РУ16Б 

указаны без скобок, номера  выводов  

микросхем Н537РУ16А, Н537РУ16Б 

в зоне монтажа указаны в скобках. 

84

СОЗУ 64К (8Кх8) 537РУ16А, Н537РУ16А, 537РУ16Б, Н537РУ16Б, Б537РУ16Б-4

Электрические параметры микросхем при приемке и поставке

Наименование параметра,  

единица измерения,  

режим измерения

Буквенное 

обозначение 

параметра

Норма параметра

Температура 

среды, °С 

537РУ16А, 

Н537РУ16А

537РУ16Б, 

Н537РУ16Б

не менее

не 

более

не 

менее не более

1 Выходное напряжение низкого уровня, В  

при I

OL

 = 1,7 мА R

L 

≥10 МОм

U

OL

–

0,4  

0,1

–

0,4* 

0,1

25 ±10 

-60 – 85

2 Выходное напряжение высокого уровня, В  

при I

OН

 = 1,2 мА R

L

 ≥ 10 МОм 

U

OН

2,4 

(U

CC

–0,1)

–

2,4* 

(U

CC

–0,1)

–

25 ±10 

-60 – 85

3 Напряжение питания в режиме хранения, В

U

ССS

3,3

–

3,3

–

25 ±10 

-60 – 85

4 Ток потребления в режиме хранения, мА 

при U

СС

 = 5,5 В

I

CCS

– 

– 

–

0,6 

1,0 

1,0

– 

– 

–

1,6* 

2,0 

2,0

25 ±10 

-60 – 85

при U

СС

 = 3,3 В

– 

– 

–

0,4 

0,6 

0,6

– 

–

–

1,0 

1,2 

1,2

25 ±10 

-60 – 85

5 Ток утечки низкого и высокого уровня на входе, мкА

I

LIL

, I

LIH

–

10

–

10*

25 ±10 

-60 – 85

6 Выходной ток низкого и высокого уровня в состоя

-

нии «Выключено», мкА

I

OZL

, I

OZH

–

10

–

10*

25 ±10 

-60 – 85

7 Время выборки разрешения, нс

t

A(СЕ)

 

 

 

180* 

180 

200

25 ±10 

-60 – 85

8 Время цикла записи (считывания), нс

t

CY(WR) 

(t

CY(RD)

)

350

–

480

–

25 ±10 

-60 – 85

9 Время выборки адреса, нс

t

A(А)

–

170

–

220

25 ±10 

-60 – 85

10 Время выборки разрешения выхода, нс

t

A(ОЕ)

– 

– 

–

90 

90 

100

– 

– 

–

140* 

140 

150

25 ±10 

-60 – 85

11 Время установления сигнала разрешения после 

сигнала адреса,нс

t

SU(A-CЕ)

20

–

20

–

25 ±10 

-60 – 85

12 Время установления сигнала разрешения после 

сигнала записи, нс

t

SU(WR-CE)

20

–

20

–

25 ±10 

-60 – 85

13 Время установления сигнала разрешения после 

сигнала считывания, нс

t

SU(RD-CE)

20

–

20

–

25 ±10 

-60 – 85

14 Время установления сигнала записи после сигнала 

входной ин формации, нс

t

SU(DI-WR)

0

–

0

–

25 ±10 

-60 – 85

15 Длительность сигнала разрешения, нс

t

W(CE1,L) 

t

W(CE2,H)

150

–

200

–

25 ±10 

-60 – 85

16 Длительность сигнала записи, нс

t

W(WR)

170

–

220

–

25 ±10 

-60 – 85

17 Время удержания сигнала входной информации 

после сигнала записи, нс

t

H (WR–DI)

50

–

50

–

25 ±10 

-60 – 85

18 Время cохранения выходной информации после 

сигнала разрешения выхода, нс 

t

V(OE–DO)

–

70

–

100

25 ±10 

-60 – 85

19 Время cохранения выходной информации после 

сигнала разрешения, нс

t

V(СE–DO)

–

150

–

200

25 ±10 

-60 – 85

20 Время удержания сигнала адреса после сигнала 

разрешения, нс

t

H(CE–A)

180

–

260

–

25 ±10 

-60 – 85

21 Емкость входа/выхода, пФ

С

I/O

–

16

–

16

25 ±10

22 Входная емкость по выводам: А0 – А12, CЕ1, CЕ2, WR/

RD, OE, пФ 

С

I

–

12

–

12

25 ±10

 * В том числе и для микросхем Б537РУ16Б-4 в нормальных климатических условиях

Предельно-допустимые режимы эксплуатации

Параметр

Ед. изм.

Предельно допустимый

Напряжение питания

В

4,5 – 5,5

Рабочая температура среды

°С

от -60 до +85

Предельная температура среды

°С

от -60 до +150

85

СОЗУ 2К (512х4) 1620РУ6У, 1620РУ6Н2АМ

СОЗУ 2К (512х4) 1620РУ6У, 

1620РУ6Н2АМ

Статическое оперативное запоминающее устройство 1620РУ6У, 1620РУ6Н2АМ инфор

-

мационной ёмкостью 2К обладает экстремально высоким уровнем стойкости к воз

-

действию СВФ. За счёт применения специальных конструктивных и технологических 

решений обладает наиболее высокой степенью безотказности в процессе эксплуата

-

ции и надёжностью хранения информации в широком диапазоне внешних воздей

-

ствующих факторов.
Микросхема имеет параллельный интерфейс ввода-вывода информации и 4-разряд

-

ную шину данных.

Назначение

Статическое оперативное запоминающее устройство предназначено для записи, 

хранения и чтения информации в широком спектре устройств, требующих высокой 

надёжности и безотказности при эксплуатации в широком спектре различных внеш

-

них воздействующих факторов.

Конструктивное исполнение

1620РУ6У в металлокерамическом 42-выводном корпусе с золотым покрытием выво

-

дов типа Н14.42;
1620РУ6Н2АМ бескорпусная микросхема на 48-выводном полиимидном носителе с 

ленточными выводами.

Основные характеристики при Т = 25°С

Информационная ёмкость  

2К (512х4)

Ток потребления в режиме хранения, не более 

1 мА

Динамический ток потребления, не более 

10 мА

Время выборки, не более  

250 нс

Время цикла считывания, не менее 

 750 нс

Время цикла записи, не менее  

750 нс

Напряжение питания  

4,5 В – 7,5 В

Рабочая температура  

от -60°С до +85°С

Технология  

КМОП КНС

Нумерация, обозначение и назначение выводов  

Номер вывода 

1620РУ6У

Номер вывода 

1620РУ6Н2АМ

в зоне монтажа

Обозначение

вывода 

Назначение вывода

1

3

GND

Общий вывод

3

4

I/O1

Вход/выход данных первого разряда

8

5

I/O2

Вход/выход данных второго разряда

11

6

GND

Общий вывод

13

7

I/O3

Вход/выход данных третьего разряда

16

8

I/O4

Вход/выход данных четвертого раз

-

ряда

19

9

WH/RL

Вход сигнала запись/считывание по 

высокому/низкому уровню

20

10

A6

Вход адресный 6

22

11

Vcc

Вывод питания от источника напря

-

жения

23

14

BLH

Вход сигнала блокировки по высокому 

уровню

Корпус 

Н14.42-1В

1620РУ6Н2АМ

А

0

А

1

А

4

А

2

А

3

SRAM

28 (17)

А

5

А

6

А

7

А

8

23 (14)

BLH

19 (9)

33 (20)

I/O1

G ND

1,11,32

(3,6,20)

Vcc

22,24,

40,42

(2,11,

15,25)

3 (4)

27 (16)
31 (18)
34 (21)
36 (22)
37 (23)
20 (10)
39 (24)

41 (1)

2

К

(512

х

4)

C EH

WH/RL

I/O2

8 (5)

I/O3

13 (7)

I/O4

16 (8)

Z

Условное графическое 

обозначение

Примечание - номера выводов 

микросхемы 1620РУ6У указаны без 

скобок, номера  выводов  микро

-

схемы 1620РУ6Н2АМ в зоне монтажа 

указаны в скобках.

86

СОЗУ 2К (512х4) 1620РУ6У, 1620РУ6Н2АМ

Номер вывода 

1620РУ6У

Номер вывода 

1620РУ6Н2АМ

в зоне монтажа

Обозначение

вывода 

Назначение вывода

24

15

Vcc

Вывод питания от источника напря

-

жения

27

16

A1

Вход адресный 1

28

17

A0

Вход адресный 0

31

18

A2

Вход адресный 

2

32

19

GND

Общий вывод

33

20

СЕH

Вход сигнала разрешения по высокому 

уровню

34

21

A3

Вход адресный 3

36

22

A4

Вход адресный 4

37

23

A5

Вход адресный 5

39

24

A7

Вход адресный 7

40

25

Vcc

Вывод питания от источника напря

-

жения

41

1

A8

Вход адресный 8

42

2

Vcc

Вывод питания от источника напря

-

жения

2, 4-7, 9, 10, 12, 14, 

15, 17, 18, 21, 25, 

26, 29, 30, 35, 38

12, 13, 26

NC

Свободный вывод

87

СОЗУ 8К (1Кх8) 1620РУ8У, 1620РУ8Н2

СОЗУ 8К (1Кх8) 1620РУ8У, 1620РУ8Н2

Статическое оперативное запоминающее устройство 1620РУ8У, 1620РУ8Н2 информа

-

ционной ёмкостью 8К обладает экстремально высоким уровнем стойкости к воздей

-

ствию СВФ. За счёт применения специальных конструктивных и технологических 

решений обладает наиболее высокой степенью безотказности в процессе эксплуата

-

ции и надёжностью хранения информации в широком диапазоне внешних воздей

-

ствующих факторов.
Микросхема имеет параллельный интерфейс ввода-вывода информации и 8-разряд

-

ную шину данных.

Назначение

Статическое оперативное запоминающее устройство предназначено для записи, 

хранения и чтения информации в широком спектре устройств, требующих высокой 

надёжности и безотказности при эксплуатации в широком спектре различных внеш

-

них воздействующих факторов.

Конструктивное исполнение

1620РУ8У в металлокерамическом 64-выводном корпусе с золотым покрытием выво

-

дов типа Н18.64-3В;
1620РУ8Н2 бескорпусная микросхема на 64-выводном полиимидном носителе с лен

-

точными выводами;

Основные характеристики при Т = 25°С

Информационная ёмкость 

8К (1Кх8)

Ток потребления в режиме хранения, не более 

4 мА

Динамический ток потребления, не более 

20 мА

Время выборки, не более 

250 нс

Время цикла считывания, не менее 

350 нс

Время цикла записине менее 

 350 нс

Напряжение питания 

4,5 В – 7,5 В

Рабочая температура 

от -60°С до +85°С

Технология 

КМОП КНС

Нумерация, обозначение и назначение выводов   

Номер вывода 

1620РУ8У

Номер вывода 

1620РУ8Н2

в зоне монтажа

Обозначение

вывода 

Назначение вывода 

57

1

VCC

Вывод питания от источника напря

-

жения

58

2

GND

Общий вывод

59

3

I/O0

Вход/выход данных нулевого разряда

60

4

I/O1

Вход/выход данных первого разряда

61

5

I/O2

Вход/выход данных второго разряда

62

6

I/O3

Вход/выход данных третьего разряда

63

7

VCC

Вывод питания от источника напря

-

жения

64

8

I/O4

Вход/выход данных четвертого раз

-

ряда

1

9

I/O5

Вход/выход данных пятого разряда

2

10

I/O6

Вход/выход данных шестого разряда

3

11

I/O7

Вход/выход данных седьмого разряда

4

12

GND

Общий вывод

Корпус Н18.64-3В

1620РУ8Н2

А

0

А

1

А

4

А

2

А

3

SRAM

38 (31)

А

5

А

6

А

9

А

7

А

8

5 (13)

BLH

7 (15)

6 (14)

I/O0

GND

4, 25,27,

39, 58

(2,12,17,

18,20,32)

Vcc

8,26, 36,

57, 63

(1,7, 16,

19,29)

59 (3)

37 (30)
35 (28)
34 (27)
33 (26)
32 (25)
31 (24)
30 (23)
29 (22)
28 (21)

8

К

(1

Кх

8)

C EH

WH/RL

I/O1

60 (4)

I/O2

61 (5)

I/O3

62 (6)

I/O4

64 (8)

I/O5

1 (9)

I/O6

2 (10)

I/O7

3 (11)

Z

Условное графическое 

обозначение

Примечание - номера выводов 

микросхемы 1620РУ8У указаны без 

скобок, номера  выводов  микросхемы 

1620РУ8Н2 в зоне монтажа указаны 

в скобках.

88

СОЗУ 8К (1Кх8) 1620РУ8У, 1620РУ8Н2

Номер вывода 

1620РУ8У

Номер вывода 

1620РУ8Н2

в зоне монтажа

Обозначение

вывода 

Назначение вывода 

5

13

BLH

Вход сигнала блокировки по высокому 

уровню

6

14

СЕH

Вход сигнала разрешения по высокому 

уровню

7

15

WH/RL

Вход сигнала запись/считывание по 

высокому/низкому уровню

8

16

VCC

Вывод питания от источника напря

-

жения

25

17

GND

Общий вывод

-

18

GND

Общий вывод

26

19

VCC

Вывод питания от источника напря

-

жения

27

20

GND

Общий вывод

28

21

А9

Вход адресный 9

29

22

А8

Вход адресный 8

30

23

А7

Вход адресный 7

31

24

А6

Вход адресный 6

32

25

А5

Вход адресный 5

33

26

А4

Вход адресный 4

34

27

А3

Вход адресный 3

35

28

А2

Вход адресный 2

36

29

VCC

Вывод питания от источника напря

-

жения

37

30

А1

Вход адресный 1

38

31

А0

Вход адресный 0

39

32

GND

Общий вывод

9-24, 40-56

-

NC

Свободный вывод

89

СОЗУ 32К (4Кх8) 1620РУ9У, 1620РУ9Н2

СОЗУ 32К (4Кх8) 1620РУ9У, 1620РУ9Н2

Статическое оперативное запоминающее устройство 1620РУ9У, 1620РУ9Н2 информаци

-

онной ёмкостью 32К обладает высоким уровнем стойкости к воздействию СВФ. За 

счёт применения специальных конструктивных и технологических решений обладает 

высокой степенью надёжности и безотказности в процессе эксплуатации.
Микросхема имеет параллельный интерфейс ввода-вывода информации и 8-разряд

-

ную шину данных.

Назначение

Статическое оперативное запоминающее устройство предназначено для записи, 

хранения и чтения информации в широком спектре устройств, требующих высокой 

надёжности и безотказности при эксплуатации.

Конструктивное исполнение

1620РУ9У в металлокерамическом 64-выводном корпусе с золотым покрытием выво

-

дов типа Н18.64-3В;
1620РУ9Н2 бескорпусная микросхема на 64-выводном полиимидном носителе с лен

-

точными выводами;

Основные характеристики при Т = 25°С

Информационная ёмкость  

32К (4Кх8)

Ток потребления в режиме хранения, не более  

0,4 мА

Динамический ток потребления, не более  

15 мА

Время выборки, не более  

160 нс

Время цикла считывания, не менее  

250 нс

Время цикла записи, не менее  

250 нс

Напряжение питания  

4,5 В – 7,5 В

Рабочая температура  

от -60°С до +85°С

Технология  

 КМОП КНС

Нумерация, обозначение и назначение выводов   

Номер вывода 

1620РУ9У

Номер вывода 

1620РУ9Н2

в зоне монтажа

Обозначение

вывода

Назначение вывода

57

1

GND

Общий вывод

58

2

GND

Общий вывод

59

3

I/O0

Вход/выход  данных нулевого разряда

60

4

I/O1

Вход/выход  данных первого разряда

61

5

I/O2

Вход/выход  данных второго разряда

62

6

I/O3

Вход/выход  данных третьего разряда

63

7

I/O4

Вход/выход  данных четвертого раз

-

ряда

64

8

I/O5

Вход/выход  данных пятого разряда

1

9

I/O6

Вход/выход  данных шестого разряда

2

10

I/O7

Вход/выход  данных седьмого разряда

3

11

А0

Вход адресный 0

4

12

А1

Вход адресный 1

5

13

А2

Вход адресный 2

6

14

А3

Вход адресный 3

Корпус Н18.64-3В

1620РУ9Н2

А

0

А

1

А

4

А

2

А

3

SRAM

3 (11)

А

5

А

6

А

9

А

7

А

8

А

10

А

11

36 (28)

OEL

35 (27)

38 (30)

I/O0

G ND

39,40,

57,58

(1,2,

31,32)

Vcc

7, 8,

25, 26

(15,16,

17,18)

29 (3)

4 (12)
5 (13)
6 (14)
7 (15)
8 (16)

34 (26)
33 (25)
32 (24)
33 (25)
28 (20)
27 (19)

32

К

(4

Кх

8)

C E1L

WL/RH

I/O1

30 (4)

I/O2

61 (5)

I/O3

62 (6)

I/O4

63 (7)

I/O6

1 (9)

I/O5

64 (8)

I/O7

2 (10)

37 (29)

C E2H

Z

Условное графическое 

обозначение

Примечание - номера выводов 

микросхемы 1620РУ9У указаны без 

скобок, номера  выводов  микро

-

схемы 1620РУ9Н2 в зоне монтажа 

указаны в скобках.

90

СОЗУ 32К (4Кх8) 1620РУ9У, 1620РУ9Н2

Номер вывода 

1620РУ9У

Номер вывода 

1620РУ9Н2

в зоне монтажа

Обозначение

вывода

Назначение вывода

7

15

VCC

Вывод питания от источника напря

-

жения

8

16

VCC

Вывод питания от источника напря

-

жения

25

17

VCC

Вывод питания от источника напря

-

жения

26

18

VCC

Вывод питания от источника напря

-

жения

27

19

А11

Вход адресный 11

28

20

А10

Вход адресный 10

29

21

А9

Вход адресный 9

30

22

А5

Вход адресный 5

31

23

А4

Вход адресный 4

32

24

А8

Вход адресный 8

33

25

А7

Вход адресный 7

34

26

А6

Вход адресный 6

35

27

WL/RH

Вход сигнала запись/считывание по 

низкому /высокому уровню

36

28

ОЕL

Вход сигнала разрешения выхода по 

низкому уровню

37

29

СЕ2H

Вход сигнала разрешения по высокому 

уровню

38

30

СЕ1L

Вход сигнала разрешения по низкому 

уровню

39

31

GND

Общий вывод

40

32

GND

Общий вывод

9 – 24, 41 – 56

-

NC

Свободный вывод

91

СОЗУ 256К (32Кх8) 1620РУ12У

СОЗУ 256К (32Кх8) 1620РУ12У

Статическое оперативное запоминающее устройство 1620РУ12У информационной 

ёмкостью 256К обладает высоким уровнем стойкости к воздействию СВФ. За счёт 

применения специальных конструктивных и технологических решений обладает 

высокой степенью надёжности и безотказности в процессе эксплуатации. Микро

-

схема СОЗУ 1620РУ12У имеет небольшое время цикла обращения, что позволяет 

повысить производительность вычислительных систем, в которых она применяется.
Микросхема имеет параллельный интерфейс ввода-вывода информации и 8-разряд

-

ную шину данных.

Назначение

Статическое оперативное запоминающее устройство предназначено для записи, 

хранения и чтения информации в широком спектре устройств, требующих высокой 

надёжности и безотказности при эксплуатации и повышенную производительность.

Конструктивное исполнение

1620РУ12У в металлокерамическом 64-выводном корпусе с золотым покрытием выво

-

дов типа Н18.64-3В;

Основные характеристики при Т = 25°С

Информационная ёмкость  

256К (32Кх8)

Ток потребления в режиме хранения, не более  

6 мА

Динамический ток потребления, не более  

60 мА

Время выборки, не более  

60 нс

Время цикла считывания по сигналу СЕ, не менее  

100 нс

Время цикла считывания по сигналу адреса, не менее  

 60 нс

Время цикла записи по сигналу СЕ, не менее  

100 нс

Время цикла записи по сигналу адреса, не менее  

60 нс

Напряжение питания  

4,5 В – 5,5 В

Рабочая температура 

 от -60°С до +85°С

Технология 

КМОП КНС

Нумерация, обозначение и назначение выводов   

Номер 

вывода

Обозначение

вывода

Назначение вывода

9

А2

Вход адресный 2

10

А3

Вход адресный 3

11

А4

Вход адресный 4

12

А5

Вход адресный 5

13

GND

Общий вывод

14

VСС

Вывод питания от источника напряжения

15

A6

Вход адресный 6

16

A7

Вход адресный 7

17

A12

Вход адресный 12

18

A13

Вход адресный 13

19

A14

Вход адресный 14

20

VСС

Вывод питания от источника напряжения

21

GND

Общий вывод

22

A8

Вход адресный 8

23

A9

Вход адресный 9

24

A10

Вход адресный 10

Корпус Н18.64-3В

А

0

А

1

А

4

А

2

А

3

SRAM

57

А

5

А

6

А

9

А

7

А

8

А

10

А

11

48

С

EL

47

46

I/O0

G ND

13,21, 41,

45,50,53

Vcc

14,20,42,

49,54

56

58

9

10
11
12
15
16
22
23
24
25

256

К

(32

Кх

8)

OEL
WL/RH

I/O1

55

I/O2

52

I/O3

51

I/O4

44

I/O6

40

I/O5

43

I/O7

39

Z

А

12

А

13

А

14

17
18
19

Условное графическое 

обозначение

92

СОЗУ 256К (32Кх8) 1620РУ12У

Номер 

вывода

Обозначение

вывода

Назначение вывода

25

A11

Вход адресный 11

39

I/O7

Вход/выход данных седьмого разряда

40

I/O6

Вход/выход данных шестого разряда

41

GND

Общий вывод

42

VСС

Вывод питания от источника напряжения

43

I/O5

Вход/выход данных пятого разряда

44

I/O4

Вход/выход данных четвертого разряда

45

GND

Общий вывод

46

OEL

Вход сигнала разрешения выхода по низкому уровню

47

WL/RH

Вход сигнала запись/считывание по низкому /высокому 

уровню

48

CEL

Вход сигнала разрешения по низкому уровню

49

VСС

Вывод питания от источника напряжения

50

GND

Общий вывод

51

I/O3

Вход/выход данных третьего разряда

52

I/O2

Вход/выход данных второго разряда

53

GND

Общий вывод

54

VСС

Вывод питания от источника напряжения

55

I/O1

Вход/выход данных первого разряда

56

I/O0

Вход/выход данных нулевого разряда

57

A0

Вход адресный 0

58

A1

Вход адресный 1

1 – 8, 26 – 38,

59 – 64

NC

Свободный вывод

 

93

СОЗУ 1М (128Кх8) 1637РУ1АУ, 1637РУ1БУ

СОЗУ 1М (128Кх8) 1637РУ1АУ, 

1637РУ1БУ

Статическое оперативное запоминающее устройство 1637РУ1АУ, 1637РУ1БУ информа

-

ционной ёмкостью 1М обладает небольшим временем цикла обращения, что позво

-

ляет применять её в вычислительных системах с повышенной производительностью.
Микросхема имеет параллельный интерфейс ввода-вывода информации и 8-разряд

-

ную шину данных.

Назначение

Статическое оперативное запоминающее устройство предназначено для записи, 

хранения и чтения информации в широком спектре устройств, требующих высокой 

надёжности и безотказности при эксплуатации и повышенную производительность.

Конструктивное исполнение

1637РУ1АУ, 1637РУ1БУ поставляются в металлокерамическом 42-выводном корпусе с 

золотым покрытием выводов типа Н14.42;

Основные характеристики при Т = 25°С

Информационная ёмкость 

1М (128Кх8)

Ток потребления в режиме хранения, не более  

5 мА

Динамический ток потребления, не более  

90 мА

Время выборки, не более  

25 нс

Время цикла считывания, не менее  

25 нс

Время цикла записи, не менее  

25 нс

Напряжение питания 

4,5 В – 5,5 В

Рабочая температура: 

1637РУ1АУ  

от -60°С до +85°С

1637РУ1БУ 

 от -45°С до +85°С 

Технология 

КМОП

Нумерация, обозначение и назначение выводов 

Номер  

вывода 

Обозначение 

вывода

Назначение вывода

1

NC

Свободный вывод

2

А16

Вход адресный 16

3

А14

Вход адресный 14

4

А12

Вход адресный 12

5

А7

Вход адресный 7

6

А6

Вход адресный 6

7

А5

Вход адресный 5

8

А4

Вход адресный 4

9-13

NC

Свободный вывод

14

А3

Вход адресный 3

15

А2

Вход адресный 2

16

А1

Вход адресный 1

17

А0

Вход адресный 0

18

I/O0

Вход/выход  данных нулевого разряда

19

I/O1

Вход/выход  данных первого разряда

20

I/O2

Вход/выход  данных второго разряда

21

GND

Общий вывод

22

I/O3

Вход/выход  данных третьего разряда

23

I/O4

Вход/выход  данных четвертого разряда

А

0

А

1

А

4

А

2

А

3

SRA M

17

А

5

А

6

А

9

А

7

А

8

А

10

А

11

29 OEL
39
27

I/O0

GND

21

Vcc

42

18

16
15
14

8

7

6
5

37
36
28
35

1

М

(128

Кх

8)

CE1L

WL/RH

I/O1

19

I/O2

20

I/O3

22

I/O4

23

I/O6

25

I/O5

24

I/O7

26

40 CE2H

Z

А

14

А

12

А

13

А

15

А

16

4

38

3

41

2

Условное графическое 

обозначение

Корпус 

Н14.42-1В

94

СОЗУ 1М (128Кх8) 1637РУ1АУ, 1637РУ1БУ

Номер  

вывода 

Обозначение 

вывода

Назначение вывода

24

I/O5

Вход/выход  данных пятого разряда

25

I/O6

Вход/выход  данных шестого разряда

26

I/O7

Вход/выход  данных седьмого разряда

27

СЕ1L

Вход сигнала разрешения по низкому уровню

28

А10

Вход адресный 10

29

ОЕL

Вход сигнала разрешения выхода по низкому уровню

30-34

NC

Свободный вывод

35

А11

Вход адресный 11

36

А9

Вход адресный 9

37

А8

Вход адресный 8

38

А13

Вход адресный 13

39

WL/RH

Вход сигнала запись/считывание по низкому /высокому 

уровню

40

СЕ2H

Вход сигнала разрешения по высокому уровню

41

А15

Вход адресный 15

42

V

CC

Вывод питания от источника напряжения

95

ЭСППЗУ Flash 1М (128Кх8) 1638РР1АУ, 1638РР1БУ, 1638РР1ВУ

ЭСППЗУ Flash 1М (128Кх8) 1638РР1АУ, 

1638РР1БУ, 1638РР1ВУ

Энергонезависимое многократно электрически перепрограммируемое ПЗУ типа Flash 

1638РР1АУ, 1638РР1БУ, 1638РР1ВУ информационной ёмкостью 1М обладает параллель

-

ным интерфейсом ввода-вывода данных, что позволяет применять её в вычислитель

-

ных системах с повышенной производительностью.
Микросхема имеет 8-разрядную шину данных.

Назначение

Энергонезависимое многократно электрически перепрограммируемое ПЗУ типа Flash 

предназначено для записи, хранения и чтения информации. Хранение информации 

производится независимо от наличия напряжения питания на устройстве. Микро

-

схема обладает высокой надёжностью и долговечностью хранения информации. 

Параллельный интерфейс считывания обеспечивают считывание большого объёма 

информации в течении минимального времени.

Конструктивное исполнение

1638РР1АУ, 1638РР1БУ, 1638РР1ВУ поставляются в металлокерамическом 42-выводном 

корпусе с золотым покрытием выводов типа Н14.42.

Основные характеристики при Т = 25°С

Информационная ёмкость 

1М (128Кх8)

Ток потребления в режиме хранения, не более  

0,1 мА

Динамический ток потребления, не более  

40 мА

Время выборки, не более  

120 нс

Время цикла считывания, не менее  

120 нс

Время цикла записи страницы (128 байт), не менее  

 10 мс

Напряжение питания 

4,5 В – 5,5 В

Рабочая температура:  

1638РРУ1АУ  

от -60°С до +85°С 

1638РРУ1БУ  

от -55°С до +85°С 

1638РРУ1ВУ  

от -45°С до +85°С

Технология 

КМОП

Нумерация, обозначение и назначение выводов микросхемы 

Номер  

вывода 

Обозначение 

вывода

Назначение вывода

1

NC

Свободный вывод

2

А16

Вход адресный 16

3

А15

Вход адресный 15

4

А12

Вход адресный 12

5

А7

Вход адресный 7

6

А6

Вход адресный 6

7

А5

Вход адресный 5

8

А4

Вход адресный 4

9-13

NC

Свободный вывод

14

А3

Вход адресный 3

15

А2

Вход адресный 2

16

А1

Вход адресный 1

17

А0

Вход адресный 0

А

0

А

1

А

4

А

2

А

3

EEPROM

17

А

5

А

6

А

9

А

7

А

8

А

10

А

11

29

OEL

41

27

I/O 0

GND 21

Vcc 42

18

16
15
14

8
7
6
5

36
35
28
34

C EL
WL/RH

I/O 1 19
I/O 2 20
I/O 3 22
I/O 4 23

I/O 6 25

I/O 5 24

I/O 7 26

Z

А

14

А

12

А

13

А

15

А

16

4

39
40

3
2

(FLA SH

1

М

)

Условное графическое 

обозначение

Корпус 

Н14.42-1В

96

ЭСППЗУ Flash 1М (128Кх8) 1638РР1АУ, 1638РР1БУ, 1638РР1ВУ

Номер  

вывода 

Обозначение 

вывода

Назначение вывода

18

I/O0

Вход/выход  данных нулевого разряда

19

I/O1

Вход/выход  данных первого разряда

20

I/O2

Вход/выход  данных второго разряда

21

GND

Общий вывод

22

I/O3

Вход/выход  данных третьего разряда

23

I/O4

Вход/выход  данных четвертого разряда

24

I/O5

Вход/выход  данных пятого разряда

25

I/O6

Вход/выход  данных шестого разряда

26

I/O7

Вход/выход  данных седьмого разряда

27

СЕL

Вход сигнала разрешения по низкому уровню

28

А10

Вход адресный 10

29

ОЕL

Вход сигнала разрешения выхода по низкому уровню

30-33

NC

Свободный вывод

34

А11

Вход адресный 11

35

А9

Вход адресный 9

36

А8

Вход адресный 8

37-38

NC

Свободный вывод

39

А13

Вход адресный 13

40

А14

Вход адресный 14

41

WL/RH

Вход сигнала запись/считывание по низкому /высокому 

уровню

42

V

CC

Вывод питания от источника напряжения

97

ЭСППЗУ Flash 4 М (512Кх8) 1638РР2У

ЭСППЗУ Flash 4 М (512Кх8) 1638РР2У

Энергонезависимое многократно электрически перепрограммируемое ПЗУ типа Flash 

1638РР2У информационной ёмкостью 4М обладает параллельным интерфейсом 

ввода-вывода данных и небольшим время цикла считывания, что позволяет приме

-

нять её в вычислительных системах с повышенной производительностью.
Микросхема имеет 8-разрядную шину данных.

Назначение

Энергонезависимое многократно электрически перепрограммируемое ПЗУ типа Flash 

предназначено для записи, хранения и чтения информации. Хранение информации 

производится независимо от наличия напряжения питания на устройстве. Микро

-

схема обладает высокой надёжностью и долговечностью хранения информации. 

Параллельный интерфейс и небольшое время считывания обеспечивают считыва

-

ние большого объёма информации в течении минимального времени.

Конструктивное исполнение

1638РР2У поставляется в металлокерамическом 42-выводном корпусе с золотым 

покрытием выводов типа Н14.42;

Основные характеристики при Т = 25°С

Информационная ёмкость 

4М (512Кх8)

Ток потребления в режиме хранения, не более  

0,1 мА

Динамический ток потребления, не более  

40 мА

Время выборки, не более  

70 нс

Время цикла считывания, не менее  

70 нс

Время цикла записи байта, не менее  

20 мкс

Напряжение питания 

4,5 В – 5,5 В

Рабочая температура 

от -60°С до +85°С

Технология 

КМОП

Нумерация, обозначение и назначение выводов микросхемы 

Номер 

вывода 

Обозначение 

вывода

Назначение вывода

1

А18

Вход адресный 18

2

А16

Вход адресный 16

3

А15

Вход адресный 15

4

А12

Вход адресный 12

5

А7

Вход адресный 7

6

А6

Вход адресный 6

7

А5

Вход адресный 5

8

А4

Вход адресный 4

9-13

NC

Свободный вывод

14

А3

Вход адресный 3

15

А2

Вход адресный 2

16

А1

Вход адресный 1

17

А0

Вход адресный 0

18

I/O0

Вход/выход  данных нулевого разряда

19

I/O1

Вход/выход  данных первого разряда

А

0

А

1

А

4

А

2

А

3

EEPROM

17

А

5

А

6

А

9

А

7

А

8

А

10

А

11

29 OEL

41

27

I/O 0

G ND

21

Vcc 42

18

16
15
14

8
7
6
5

36
35
28
34

(FLASH 4

М

)

C EL
WL/RH

I/O 1

19

I/O 2

20

I/O 3

22

I/O 4 23

I/O 6 25

I/O 5

24

I/O 7

26

Z

А

14

А

12

А

13

А

15

А

16

4

38
39

3
2

А

17

А

18

40

1

Условное графическое 

обозначение

Корпус 

Н14.42-1В