Ангстрем. Каталог продукции (2022 год)

Серия 5514БЦ2(Т1-Т7, У1-У2)

Зашивка

Корпус

Зарубежный

аналог

Отечественный

аналог

Функция

5514БЦ2Т3-273

4153.20-3.01

74(54)АС 273

ИР35

8-разрядный регистр, управляемый по фронту

с параллельным вводом-выводом данных, с входом

установки

5514БЦ2Т4-273

4157.20-А

5514БЦ2У2-273

5121.20-А

5514БЦ2Т7-273

4321.20-А

5514БЦ2Т2-279

402.16-33

74(54)АС 279

ТР

Четыре R-S триггера

5514БЦ2У1-279

5119.16-A

5514БЦ2Т6-279

4307.16-А

5514БЦ2Т1-280

401.14-5

74(54)АС 280

ИП5

9-разрядная схема контроля четности

5514БЦ2У1-280

5119.16-A

5514БЦ2Т5-280

4306.14-С

5514БЦ2Т3-299

4153.20-3.01

74(54)АС 299

ИР24

8-разрядн. сдвиг. регистр с асинхрон. сбросом и вых.

на 3 сост.

5514БЦ2Т4-299

4157.20-А

5514БЦ2У2-299

5121.20-А

5514БЦ2Т7-299

4321.20-А

5514БЦ2Т3-373

4153.20-3.01

74(54)АС 373

ИР22

8-разрядный регистр, управляемый по уровню

с параллельным вводом-выводом данных, с выходом

на три

5514БЦ2Т4-373

4157.20-А

5514БЦ2У2-373

5121.20-А

5514БЦ2Т7-373

4321.20-А

5514БЦ2Т3-374

4153.20-3.01

74(54)АС 374

ИР23

8-разрядный регистр, управляемый по фронту

с параллельным вводом-выводом данных, с выходом

на три состояния

5514БЦ2Т4-374

4157.20-А

5514БЦ2У2-374

5121.20-А

5514БЦ2Т7-374

4321.20-А

5514БЦ2Т2-390

402.16-33

74(54)АС 390

ИЕ20

Два четырехразрядных двоичных счетчика с функ

цией деления на пять

5514БЦ2У1-390

5119.16-A

5514БЦ2Т6-390

4307.16-А

5514БЦ2Т1-393

401.14-5

74(54)АС 393

ИЕ19

2 4-разрядн. двоичн. счетчика с индивид. синхрониз.

и сбросом

5514БЦ2У1-393

5119.16-A

5514БЦ2Т5-393

4306.14-С

5514БЦ2Т3-533

4153.20-3.01

74(54)АС 533

ИР40

8-разрядный регистр, управляемый по уровню

с параллельным вводом-выводом данных, с инверси

онным вых. на три состояния

5514БЦ2Т4-533

4157.20-А

5514БЦ2У2-533

5121.20-А

5514БЦ2Т7-533

4321.20-А

5514БЦ2Т3-534

4153.20-3.01

74(54)АС 534

ИР41

8-разрядный регистр, управляемый по фронту

с параллельным вводом-выводом данных, с инверси

онным вых. на три состояния

5514БЦ2Т4-534

4157.20-А

5514БЦ2У2-534

5121.20-А

5514БЦ2Т7-534

4321.20-А

5514БЦ2Т3-574

4153.20-3.01

74(54)АС 574

ИР37

8-разрядный регистр, управляемый по уровню

с параллельным вводом-выводом данных, с выходом

на три состояния

5514БЦ2Т4-574

4157.20-А

5514БЦ2У2-574

5121.20-А

5514БЦ2Т7-574

4321.20-А

5514БЦ2Т3-9А8

4153.20-3.01

Нет аналогов

8 буферных элементов с TTL – выходами. Входы без

диодов на Ucc

5514БЦ2Т4-9А8

4157.20-А

5514БЦ2У2-9А8

5121.20-А

5514БЦ2Т7-9А8

4321.20-А

5514БЦ2Т3-9А9

4153.20-3.01

Нет аналогов

8 аналоговых компараторов с общим входом UREF

5514БЦ2Т4-9А9

4157.20-А

5514БЦ2У2-9А9

5121.20-А

5514БЦ2Т7-9А9

4321.20-А

5514БЦ2Т3-9B3

4153.20-3.01

Нет аналогов

Генератор сигналов специальной формы со сбросом

от аналоговых компараторов

5514БЦ2Т4-9B3

4157.20-А

5514БЦ2У2-9B3

5121.20-А

5514БЦ2Т7-9В3

4321.20-А

5514БЦ2Т1-9B4

401.14-5

Нет аналогов

Делитель частоты с трехфазным выходом и таймером

5514БЦ2У1-9B4

5119.16-A

5514БЦ2Т5-9В4

4306.14-С

5514БЦ2Т1-9B5

401.14-5

Нет аналогов

Комбинационная логическая схема

5514БЦ2У1-9B5

5119.16-A

5514БЦ2Т5-9В5

4306.14-С

Указанные микросхемы выпускаются с категорией качества «ВП» и «ОСМ». В корпусах Т5–Т7 (металлопластиковые)

с категорией качества «ВП» и «ОТК».

Серия 5524БЦ2(Т1-Т7, У1-У2)

Основные функции и назначение

―

Разработка, освоение в производстве функциональных аналогов ИС серии

54(74)LVC для реализации программ импортозамещения;

―

Создание полузаказных оригинальных микросхем в 14, 16, 20-выводных корпусах;

―

БМК содержит 208 четырехтранзисторые ячейки и 22 универсальных входа

и выхода.

Основные характеристики

―

Кристалл производится по современной КМОП технологии с затворами из поли

кристаллического кремния и двумя уровнями алюминиевой коммутации;

―

БМК содержит 768 логических вентиля и 44 универсальных входа/выхода, реали

зующие в том числе выходы с третьим состоянием и открытым стоком, входы-вы

ходы с триггерной петлей, входы с триггером Шмитта или согласованные с TTL;

―

Напряжение питания микросхем – аналогов LVC (1,6 – 5,5) В;

―

Максимальные выходные токи «0» и «1» – не менее 24 мА и 24 мА соответственно

(для выходов с ограничительным резистором, не менее 12 мА и 12 мА соответ

ственно);

―

Максимальная частота работы D-триггера в счетном режиме – 150 МГц;

―

Защита выводов от статэлектричества – не хуже 2000 В.

Основные параметры

Диапазон напряжений питания

от 1,6 В до 5,5 В

Защита входов от статэлектричества, не хуже

2000 В

Максимальные выходные токи «0» и «1», не менее

24 мА

Максимальная частота работы D-триггера в счетном режиме

150 МГц

Характеристики стойкости к воздействию спецфакторов, не хуже

серии 1564

Типы корпусов

5524БЦ2Т1

401.14-5

5524БЦ2Т3

4153.20-3.01

5524БЦ2Т5

4306.14-С

5524БЦ2Т7

4321.20-А

5524БЦ2У2

5121.20-А

5524БЦ2Т2

402.16-33

5524БЦ2Т4

4157.20-А

5524БЦ2Т6

4307.16-А

5524БЦ2У1

5119.16-А

Предельно-допустимые режимы эксплуатации БМК

Параметр

Обозначение

Ед. изм.

Предельно допустимый

Напряжение питания

1,6 – 5,5

Рабочие температуры

opr

°С

от -60 до +125

Температура хранения

stg

°С

от -60 до +150

Корпус 4307.16-А

Корпус 402.16-33

Корпус 5119.16-А

Серия 5524БЦ2(Т1-Т7, У1-У2)

Краткие обобщенные электрические характеристики

Параметр

Обозна-

чение

Ед. изм.

Условия контроля

Нормы

При НУ

При 125°С

Ток потребления статический

мкА

= 5,5 В, U

=0,

= U

10,0

100,0

Ток утечки входов и выходов (в сост. Z)

LIK

мкА

= 5,5 В, U

= 0,

= U

±0,5

±5,0

Логический уровень «0» на выходе, не более

= 3,0 В, I

≤ 24 мA

≤ 12 мА)

0,4

(0,6)

Логический уровень «1» на выходе, не менее

= 3,0 В, I

≤ 24 мA

≤ 12 мА)

2,4

Входные уровни

= 1,6-3,6 В

0,23 U

0,65 U

0,25 U

0,65 U

Утечки входов и выходов при отключенном

питании

off

мкА

≤ 5,5 В

0,5

10,0

Таблица зашивок для ИС серии 5524БЦ2(Т1-Т7, У1-У2)хххх

Зашивка

Корпус

Зарубежный

аналог

Отеч.

аналог

Функция

5524БЦ

Т1

-00

401.14-5

74(54)LVC

Нет

Четыре элемента 2И-НЕ

5524БЦ

У1

-00

5119.16-А

5524БЦ2Т5- 00

4306.14-С

5524БЦ

Т1

-02

401.14-5

74(54)LVC

Нет

Четыре элемента 2ИЛИ-НЕ

5524БЦ

У1

-02

5119.16-А

5524БЦ2Т5- 02

4306.14-С

5524БЦ

Т1

401.14-5

74(54)LVC04

Нет

Шесть элементов НЕ

5524БЦ

У1

5119.16-А

5524БЦ2Т5- 04

4306.14-С

5524БЦ

Т1

401.14-5

74(54)LVC08

Нет

Четыре элемента 2И

5524БЦ

У1

5119.16-А

5524БЦ2Т5- 08

4306.14-С

5524БЦ

Т1

401.14-5

74(54)LVC14

Нет

Шесть триггеров Шмитта с инверсией

5524БЦ

У1

5119.16-А

5524БЦ2Т5- 14

4306.14-С

5524БЦ

Т1

401.14-5

74(54)LVC32

Нет

Четыре элемента 2ИЛИ

5524БЦ

У1

5119.16-А

5524БЦ2Т5- 32

4306.14-С

5524БЦ

Т1

401.14-5

74(54)LVC74

Нет

Два D-триггера с установкой и сбросом

5524БЦ

У1

5119.16-А

5524БЦ2Т5- 74

4306.14-С

5524БЦ

Т2

109

402.16-33

74(54)LVC109

Нет

Два JK-триггера с управлением положительным фронтом

5524БЦ

У1

109

5119.16-А

5524БЦ2Т6-109

4307.16-А

5524БЦ

Т2

138

402.16-33

74(54)LVC138

Нет

Дешифратор-демультиплексор 3-8 с инверсией на выходе

5524БЦ

У1

138

5119.16-А

5524БЦ2Т6-138

4307.16-А

5524БЦ

Т2

193

402.16-33

74(54)LVC193

Нет

Четырёхразрядный двоичный реверсивный счётчик

5524БЦ

У1-193

5119.16-А

5524БЦ2Т6-193

4307.16-А

5524БЦ

Т3

244

4157.20-А

74(54)LVC244

Нет

Два четырёхканальных формирователя с тремя состояниями

выхода

5524БЦ

У2-244

5121.20-А

5524БЦ2Т7-244

4321.20-А

5524БЦ

Т3

245

4157.20-А

74(54)LVC245

Нет

Восьмиканальный двунаправленный приёмопередатчик с

тремя состояниями на выходе

5524БЦ

У2-245

5121.20-А

5524БЦ2Т7-245

4321.20-А

5524БЦ

Т3

373

4157.20-А

74(54)LVC373

Нет

Восьмиразрядный регистр, управляемый по уровню, с парал

лельным вводом-выводом данных, с тремя состояниями на

выходе

5524БЦ

У2

373

5121.20-А

5524БЦ2Т7-373

4321.20-А

Указанные микросхемы выпускаются с категорией качества «ВП».

Серия 5554БЦ1(Т1-Т5,У1-У3)

Основные функции и назначение

―

Тождественная замена ИС серий 564, 1526, 1127КН, 590КН, 591КН с улучшением

электрических характеристик, в том числе по стойкости к специальным ВВФ;

―

БМК содержит 192 четырехтранзисторные ячейки, 8 входов без преобразования

уровней сигналов, 16 выходных драйверов с функцией двунаправленного комму

татора;

―

Создание полузаказных оригинальных ИС в 14, 16, 20, 24 и 28-выводных корпусах.

Типы корпусов

5554БЦ1Т1

401.14-5

5554БЦ1Т2

402.16-33

5554БЦ1Т3

4153.20-3.01

5554БЦ1Т4

4118.24-3

5554БЦ1Т5

402.16-18

5514БЦ1У1

Н04.16-1В

5514БЦ1У2

Н06.24-1В

5514БЦ1У3

Н09.28-1В

Основные характеристики

―

Кристалл производится по современной высоковольтной КМОП технологии

с затворами из поликристаллического кремния и двумя уровнями алюминиевой

коммутации;

―

Диапазон напряжений питания:

•

при однополярном питании от 3 В до 33 В;

•

при двухполярном питании от ±5 В до ±16,5 В;

―

Защита выводов от статического электричества не хуже 2000 В.

Предельно-допустимые режимы эксплуатации БМК

Параметр

Обозначение

Ед. изм.

Предельно

допустимый

Напряжение питания

3,0 – 30,0

Рабочие температуры

opr

°С

от -60 до +125

Температура хранения

stg

°С

от -60 до +150

Краткие обобщенные электрические характеристики

Наименование параметра,

единицы измерения

Обозна-

чение

Нормы при разных V

5 В

10 В

15 В

30 В

Входной ток утечки высокого/низкого уровня (не

более), мкА

0,1

1,0*

0,1

1,0*

0,1

1,0*

0,1

1,0*

Сопротивление выхода при Vout = 0,25 В (не более),

ОМ

outL

Сопротивление выхода при Vout = V

-0,25 В (не

более), ОМ

outH

Ток потребления в статике (не более), мкА

30*

60*

120*

150*

Задержка на вентиль (не более), нс

int

при Т

= 25 ±10°С;

*при T

max

= 125°С

Корпус

4153.20

Корпус 402.16-33

Корпус Н09.28-1В

Серия 5570ТН

Описание

Микросхемы семейства 5570ТН разработаны для приема, обработки и передачи циф

ровых данных, включая преобразование уровней сигналов при раздельном питании

цифровых портов с напряжением от 1,6 до 7,0 В. Отличительная особенность 5570ТН -

устойчивость к превышению напряжения питания на входах и выходах.
Семейство цифровых микросхем стандартной логики 5570ТН включает три серии

микросхем:

―

Серия 5570ТН01 в корпусе 5144.8-1 для цифровых схем до 3 разрядов (1G/2G);

―

Серия 5570ТН02 в корпусе 5119.16-А, 5121.20-А, Н06.24-1В для схем до 8 разрядов;

―

Серия 5570ТН03 в корпусе Н14.42-1В для схем до 16 разрядов – до 4 портов по 8

разрядов.

Функциональные аналоги

―

Микросхемы стандарта VHC (VHCT) малой, средней и большой разрядности;

―

Микросхемы стандарта AVC (AVCT) малой, средней и большой разрядности;

―

Микросхемы стандарта LCX (LVC) малой, средней и большой разрядности;

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Параметр

Обозначение

Значение

Защита от статического электричества

VST

> 2000 В

Рабочий диапазон температур

Topr

-60 – +125°C

Температура хранения

Tstg

-60 – +150°C

Диапазон напряжения питания

для типов Н

для типов А

для типов С

Vdd

1,6 – 7,0 В

1,6 – 6,0 В

1,6 – 3,6 В

Максимальный выходной ток

«0» и «1»

для типов Н при Vdd = 4,5 В

для типов А при Vdd = 4,5 В

для типов С при Vdd = 3,0 В

Iout

12 мА

24 мА

Статические параметры

Параметр

Обозначение

Ед. изм.

Условия контроля

Норма, не более

Т <30°C

T<125°C

Ток

потребления

статический

5570ТН01

5570ТН02

5570ТН03

dds

мкА

= 0 В или V

≥ V

для типов Н при V

≤ 6 В

для типов А при V

≤ 5,5 В

для типов С при V

≤ 3,6 В

0,5

2,0

5,0

100

Ток утечки входа/выхода при выключен

ном питании

OFF

мкА

= 6 В V

= 0 В

для типов Н

для типов А

для типов С

0,1/0,2

0,1/0,3

0,1/0,5

1,0/2,0

1,0/3,0

1,0/5,0

Ток утечки входа/выхода в состоянии Z

LIK

мкА

I/O

= 0 В и V

I/O

= V

для типов Н при V

≤ 6 В

для типов А при V

≤ 5,5 В

для типов С при V

≤ 3,6 В

0,1/0,1

1,0/1,0

Входные уровни КМОП

= 2,0 – 6,0 В

0,3 V

/ 0,7 V

0,3 V

/ 0,7 V

Входные уровни TTL

ITL

ITH

= 4,5 – 5,5 В

<0,8/>2,0

Динамические параметры

Параметр

Обозначение

Ед. изм.

Условия контроля

Норма, не более

Т <30°C

T<125°C

Время задержки вход/выход

PHL

PLH

нс

= 50 пФ

для типов Н при V

= 4,5 В

для типов А при V

= 4,5 В

для типов С при V

≤ 3,0 В

Корпус 5119.16-А

Корпус 5121.20-А

Корпус Н14.42-1В

Серия 5571ТН

Описание

Микросхемы семейства 5571ТН разработаны для приема, обработки и передачи

цифровых данных TTL формата в схемах до 16 разрядов. Особенность серии 5571ТН –

устойчивость к превышению напряжения питания на входах и выходах.

Функциональные аналоги

Микросхемы стандарта FCT большой разрядности с симметрией выходного тока.

Область применения

Обработка цифровой информации TTL-стандарта.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Параметр

Обозначение

Значение

Защита от статического электричества

> 2000 В

Рабочий диапазон температур

opr

-60 – +125°C

Температура хранения

stg

-60 – +150°C

Диапазон напряжения питания

4,5 – 5,5 В

Максимальный выходной ток «0» и «1»

out

16 мА

Статические параметры

Параметр

Обозначение

Ед. изм.

Условия контроля

Норма, не более

Т <30°C

T<125°C

Ток потребления статический

dds

мкА

= 0 В или V

≥ V

100

Ток утечки входа/выхода при выключен

ном питании

OFF

мкА

= 6 В V

= 0 В

0,1/0,2

1,0/2,0

Ток утечки входа/выхода в состоянии Z

LIK

мкА

I/O

= 0 В и V

I/O

= V

0,1/0,1

1,0/1,0

Входные уровни TTL

ITL

ITH

= 4,5 – 5,5 В

<0,8/>2,0

Динамические параметры

Параметр

Обозначение

Ед. изм.

Условия контроля

Норма, не более

Т <30°C

T<125°C

Время задержки вход/выход

PHL

PLH

нс

= 50 пФ

6,5

Корпус Н14.42-1В

СОЗУ 16К (16Кх1) 132РУ6А, 132РУ6Б, Б132РУ6Б-4

СОЗУ 16К (16Кх1) 132РУ6А, 132РУ6Б,

Б132РУ6Б-4

Функциональное назначение

Статическое оперативное запоминающее устройство (16Кх1).

Конструктивное исполнение

Микросхемы 132РУ6А, 132РУ6Б изготавливаются в металлокерамических корпусах

с золотым покрытием выводов 4153.20, Б132РУ6Б-4 в бескорпусном исполнении на

общей пластине.

Нумерация, обозначение и назначение выводов

Номер вывода

132РУ6А, 132РУ6Б,

(Б132РУ6Б-4)

Обозначение

Наименование вывода

1 (1)

А3

Вход адресный строки

2 (2)

А4

Вход адресный строки

3 (3)

А5

Вход адресный строки

4 (4)

А6

Вход адресный строки

5 (5)

А7

Вход адресный столбца

6 (6)

А8

Вход адресный столбца

7 (7)

А9

Вход адресный столбца

8 (8)

Выход информационный

9 (9)

WR/RD

Вход сигнала записи/считывания

10 (10)

Общий вывод

11 (11)

Вход сигнала разрешения

12 (12)

Вход информационный

13 (13)

А10

Вход адресный столбца

14 (14)

А11

Вход адресный столбца

15 (15)

А12

Вход адресный столбца

16 (16)

А13

Вход адресный столбца

17 (17)

А0

Вход адресный строки

18 (18)

А1

Вход адресный строки

19 (19)

А2

Вход адресный строки

20 (20)

Вывод питания от источника напряжения

Корпус

4153.20

Бескорпусное исполнение

СОЗУ 16К (16Кх1) 132РУ6А, 132РУ6Б, Б132РУ6Б-4

Электрические параметры микросхем при приемке и поставке

Наименование параметра,

единица измерения,

режим измерения

Буквенное

обозначение

параметра

Норма параметра

Температура

среды, °С

132РУ6А

132РУ6Б

не менее не более не менее не более

1 Входное напряжение низкого уровня, В

при U

СС

= (4,5 – 5,5) В

–

0,8

–

0,8

25 ±10

-60 – 85

2 Входное напряжение высокого уровня, В

при U

СС

= (4,5 – 5,5) В

IН

2,2

–

2,2

–

25 ±10

-60 – 85

3 Выходное напряжение низкого уровня, В

при U

СС

≤ 5,5 В, I

≤ 5 мА

–

0,4

–

0,4

25 ±10

-60 – 85

4 Выходное напряжение высокого уровня, В

при U

СС

≥ 4,5 В, I

OН

≤ 2 мА

OН

2,4

–

2,4

–

25 ±10

-60 – 85

5 Ток потребления в режиме хранения, мА

при U

СС

≤ 5,5 В, U

СЕН

= U

СС

CCS1

–

25 ±10

-60 – 85

6 Ток потребления в режиме хранения (микро

мощный режим), мА при U

СС

= 0 В, U

СЕН

= 5,5 В

CCS2

–

25 ±10

-60 – 85

7 Ток утечки низкого и высокого уровня на входе,

мкА, при U

СС

≤ 5,5 В, U

= 0 B и U

IН

= U

СС

LIL

, I

LIH

–

25 ±10

-60 – 85

8 Выходной ток низкого и высокого уровня

в состоянии «Выключено», мкА

при U

СС

≤ 5,5 В, U

OZL

= 0 B и U

OZH

= U

СС

OZL

, I

OZH

–

25 ±10

-60 – 85

9 Динамический ток потребления, мА

при U

СС

≤ 5,5 В, t

W(С)

≥ 100 нс

CCO

–

25 ±10

-60 – 85

10 Время выборки разрешения, нс

при U

СС

≥

4,5 В и C

≤

42 пФ для 132РУ6А

W(С)

≥ 100 нс

для 132РУ6Б t

W(С)

≥

140 нс

A(СЕ)

–

25 ±10

-60 – 85

11 Время цикла записи, нс

при U

СС

≥ 4,5 В и C

≤ 42 пФ для 132РУ6А

W(С)

≥

100 нс

для 132РУ6Б t

W(С)

≥140 нс

CY(WR)

–

120

–

25 ±10

-60 – 85

12 Время цикла считывания, нс

при U

СС

≥ 4,5 В и C

≤ 42 пФ для 132РУ6А

W(С)

≥ 100 нс

для 132РУ6Б t

W(С)

≥ 140 нс

CY(RD)

–

120

–

25 ±10

-60 – 85

13 Время установления сигнала разрешения

после сигнала адреса, нс

SU(А-CE)

–

25 ±10

-60 – 85

14 Время удержания сигнала адреса после сиг

нала разрешения, нс

Н(CEL-A)

–

25 ±10

-60 – 85

15 Время удержания сигнала записи после сиг

нала разрешения, нс

H(CEL-WR)

–

25 ±10

-60 – 85

16 Длительность интервала между сигналами

разрешения, нс

W(CEН)

–

25 ±10

-60 – 85

17 Время установления сигнала разрешения после

записи, нс

SU (WRL–CE)

–

25 ±10

-60 – 85

18 Входная емкость, пФ

–

25 ±10

IСЕ

–

19 Выходная емкость, пФ

–

25 ±10

C учетом всех видов помех.

В том числе и для микросхем Б132РУ6Б-4 в нормальных климатических условиях.

W(С)

= [t

CY (RD)

CY (WR)

)] + t

HLCE

+ t

LHCE

= t

ACE

+ t

W(CEH)

+ t

HLCE

+ t

LHCE.

Примечание

– Параметры U

IН

, U

, t

SU(А-CE)

, t

Н(CEL-A)

, t

H(CEL-WR)

, t

W(CEН)

, t

SU (WRL–CE)

, t

СY (WR)

, t

CY (RD)

являются режимными, их значения

проверяются косвенно при проверке времени выборки разрешения.

Предельно-допустимые режимы эксплуатации

Параметр

Ед. изм.

Предельно допустимый

Напряжение питания

4,5 – 5,5

Рабочая температура среды

°С

от -60 до +85

Предельная рабочая температура среды

°С

от -60 до +150

СОЗУ 64К (64Кх1) М132РУ10А, М132РУ10Б

СОЗУ 64К (64Кх1) М132РУ10А,

М132РУ10Б

Функциональное назначение

Статическое оперативное запоминающее устройство (64Кх1).

Конструктивное исполнение

Микросхемы М132РУ10А и М132РУ10Б изготавливаются в 22-выводном металлокерами

ческом DIP корпусе 2108.22.

Нумерация, обозначение и назначение выводов

Номер

вывода

Обозначение

вывода

Наименование вывода

А0

Вход адресный строки

А2

Вход адресный строки

А4

Вход адресный строки

А6

Вход адресный строки

А7

Вход адресный строки

А8

Вход адресный столбца

А9

Вход адресный столбца

А10

Вход адресный столбца

Выход информационный

WR/RD

Вход сигнала записи/считывания

Общий вывод

Вход сигнала разрешения

Вход информационный

А11

Вход адресный столбца

А12

Вход адресный столбца

А13

Вход адресный столбца

А14

Вход адресный столбца

А15

Вход адресный столбца

А5

Вход адресный строки

А3

Вход адресный строки

А1

Вход адресный строки

Вывод питания от источника напряжения

Электрические параметры микросхем при приемке и поставке.

Наименование параметра, единица измерения,

режим измерения

Буквенное

обозначение

параметра

Норма параметра

Температура

среды, °С

М132РУ10А

М132РУ10Б

не менее не более не менее не более

1 Входное напряжение низкого уровня, В

при U

СС

= (4,5 – 5,5) В

–

0,4

–

0,4

25 ±10

-60 – 85

2 Входное напряжение высокого уровня, В

при U

СС

= (4,5 – 5,5) В

IН

2,4

–

2,4

–

25 ±10

-60 – 85

3 Выходное напряжение низкого уровня, В

при U

СС

≥ 4,5 В, I

≤ 5 мА

–

0,4

–

0,4

25 ±10

-60 – 85

4 Выходное напряжение высокого уровня, В

при U

СС

≥ 4,5 В, I

OН

≤ 2 мА

OН

2,4

–

2,4

–

25 ±10

-60 – 85

Корпус

2108.22

СОЗУ 64К (64Кх1) М132РУ10А, М132РУ10Б

Наименование параметра, единица измерения,

режим измерения

Буквенное

обозначение

параметра

Норма параметра

Температура

среды, °С

М132РУ10А

М132РУ10Б

не менее не более не менее не более

5 Ток утечки низкого и высокого уровня на

входе, мкА при U

СС

≤ 5,5 В, U

= 0 B и U

IН

= U

СС

LIL

, I

LIH

–

25 ±10

-60 – 85

6 Выходной ток низкого и высокого уровня

в состоянии «Выключено», мкА при U

СС

≤ 5,5 В,

OZL

= 0 B и U

OZH

= U

СС

OZL

, I

OZH

–

25 ±10

-60 – 85

7 Ток потребления в режиме хранения, мА

при U

СС

≤ 5,5 В, U

СЕН

= U

СС

CCS

–

25 ±10

-60 – 85

8 Время цикла записи, нс

CY(WR)

–

25 ±10

-60 – 85

9 Динамический ток потребления, мА

при U

СС

≤

5,5 В, t

W(СЕ, Н)

≥ 10 нс, для микросхем

М132РУ10А [t

CY(WR)

, t

CY(RD)

] ≥

75 нс t

W(СЕ, L)

≥ 57 нс,

для микросхем М132РУ10Б [t

CY(WR)

, t

CY(RD)

] ≥

90 нс

W(СЕ, L)

≥

72 нс

CCO

–

25 ±10

10 Время цикла считывания, нс

CY(RD)

–

25 ±10

-60 – 85

11 Время выборки разрешения, нс

при U

СС

≥ 4,5 В и C

≤ 45 пФ t

W(СЕ

Н)

≥10 нс

для М132РУ10А [t

CY(WR)

, t

CY(RD)

] = 75 нс,

W(СЕ

= 57 нс

для М132РУ10Б [t

CY(WR)

, t

CY(RD)

] = 90 нс, t

W(СЕ, L)

= 72 нс

A(СЕ)

–

25 ±10

-60 – 85

12 Длительность сигнала разрешения по низ

кому уровню, нс

W(СЕ

–

25 ±10

-60 – 85

13 Длительность сигнала разрешения по высо

кому уровню, нс

W(СЕ

Н)

–

25 ±10

-60 – 85

14 Время установления сигнала разрешения

после сигнала адреса, записи, считывания

и входной информации, нс

SU(А-CE,L)

SU(WR- CE,L)

SU(RD- CE,L)

SU(DI- CE,L)

HL(СЕ)

–

HL(СЕ)

–

25 ±10

-60 – 85

15 Время удержания сигнала адреса, записи,

считывания и входной информации после сиг

нала разрешения, нс

Н(CE

L-A)

Н(CE,L-WR)

Н(CE,L-RD

Н(CE,L-DI)

–

25 ±10

-60 – 85

16 Время сохранения выходной информации

после сигнала разрешения, нс

V(CE,H-DO,Z)

–

25 ±10

-60 – 85

17 Входная емкость, пф

–

25 ±10

IA15

–

IСЕ

–

18 Выходная емкость, пФ

–

25 ±10

Примечание

– Временные параметры по пунктам 9, 10, 12 – 16 являются режимными, их значения проверяются косвенно при

проверке времени выборки разрешения.

Предельно-допустимые режимы эксплуатации

Параметр

Ед. изм.

Предельно допустимый

Напряжение питания

4,5 – 5,5

Рабочая температура среды

°С

от -60 до +85

Предельная температура среды

°С

от -60 до +150

СОЗУ 4К (4Кх1) 537РУ6А, 537РУ6Б, Б537РУ6Б-4

СОЗУ 4К (4Кх1) 537РУ6А, 537РУ6Б,

Б537РУ6Б-4

Функциональное назначение

Статическое оперативное запоминающее устройство (4Кх1).

Конструктивное исполнение

Микросхемы 537РУ6А, 537РУ6Б поставляются в металлокерамических корпусах с золо

тым покрытием выводов 427.18, Б537РУ6Б-4 – в бескорпусном исполнении на общей

пластине.

Нумерация, обозначение и назначение выводов

Номер вывода

537РУ6А,

537РУ6Б,

(Б537РУ6Б-4)

Обозначение

Наименование

1 (1)

А3

Вход адресный строки

2 (2)

А4

Вход адресный строки

3 (3)

А5

Вход адресный строки

4 (4)

А6

Вход адресный столбца

5(5)

А7

Вход адресный столбца

6(6)

А8

Вход адресный столбца

7(7)

Выход информационный

8(8)

WR/RD

Вход сигнала запись – считывание

9(9)

Общий вывод

10(10)

Вход сигнала разрешения

11(11)

Вход информационный

12(12)

А11

Вход адресный столбца

13(13)

А10

Вход адресный столбца

14(14)

А9

Вход адресный столбца

15(15)

А0

Вход адресный строки

16(16)

А1

Вход адресный строки

17(17)

А2

Вход адресный строки

18(18)

Вывод питания от источника напряжения

Электрические параметры микросхем при приемке и поставке

Наименование параметра, единица измерения,

режим измерения

Буквенное

обозначение

параметра

Норма параметра

Температура

среды, °С

537РУ6А

537РУ6Б

не менее не более не менее не более

1 Выходное напряжение низкого уровня, В

при U

СС

≥ 4,5 В и I

= 3,2 мА

СС

≥ 4,5 В и R

≥ 10 Мом

–

0,3

–

0,3*

25 ±10

–

0,4

–

0,4

-60 – 100

–

0,01

–

0,01

25 ±10

–

0,05

–

0,05

-60 – 100

2 Выходное напряжение высокого уровня, В

при U

СС

≥

4,5 В и I

OН

= 1,2 мА U

СС

≥ 4,5 В

и R

≥ 10 МОм

OН

2,55

–

2,55*

–

25 ±10

2,4

–

2,4

–

-60 – 100

4,49

–

4,49

–

25 ±10

4,45

–

4,45

–

-60 – 100

Корпус

427.18

Бескорпусное исполнение

СОЗУ 4К (4Кх1) 537РУ6А, 537РУ6Б, Б537РУ6Б-4

Наименование параметра, единица измерения,

режим измерения

Буквенное

обозначение

параметра

Норма параметра

Температура

среды, °С

537РУ6А

537РУ6Б

не менее не более не менее не более

3 Напряжение питания в режиме хранения, В

ССS

–

25 ±10

3,3

–

3,3

–

-60 – 100

4 Входное напряжение низкого уровня, В

–

25 ±10

–

0,25хU

СС

–

0,25хU

СС

-60 – 100

5 Входное напряжение высокого уровня, В

IН

0,7хU

СС

–

0,7хU

СС

–

25 ±10

0,75хU

СС

–

0,75хU

СС

–

-60 – 100

6 Ток потребления в режиме хранения, мА

при U

СС

= 5,5 В

CCS

–

0,01

–

0,03*

25 ±10

–

0,05

–

0,3

-60 – 100

при U

СС

= 3,3 В

–

0,007

–

0,015

25 ±10

–

0,035

–

0,15

-60 – 100

7 Ток утечки низкого и высокого уровня на входе,

мкА при U

СС

≤

5,5 В

LIL

, I

LIH

–

25 ±10

–

-60 – 100

8 Выходной ток низкого и высокого уровня

в состоянии «Выключено», мкА U

СС

≤ 5,5 В

OZL

, I

OZH

–

25 ±10

–

-60 – 100

9 Время выборки разрешения, нс

при U

СС

= 4,5 В и U

СС

= 5,5 В С

= 50 пФ ±30 %

A(СЕ)

–

140

–

280*

25 ±10

–

200

–

400

-60 – 100

10 Время цикла записи (считывания), нс

при U

СС

= 4,5 В и U

СС

= 5,5 В С

= 50 пФ ±30 %

CY(WR) (

CY(RD))

240

–

390*

–

25 ±10

320

–

530

–

-60 – 100

11 Время выборки адреса, нс

при U

СС

= 4,5 В и U

СС

= 5,5 В С

= 50 пФ ±30 %

A(А)

–

160

–

300*

25 ±10

–

220

–

420

-60 – 100

12 Время установления сигнала разрешения после

сигнала адреса,нс при U

СС

= 4,5 В и U

СС

= 5,5 В

= 50 пФ ±30 %

SU(A-CЕL)

–

20*

–

25 ±10

-60 – 100

13 Длительность сигнала разрешения высокого

уровня, нс

при U

СС

= 4,5 В и U

СС

= 5,5 В С

= 50 пФ ±30 %

W(CEН)

100

–

110*

–

25 ±10

120

–

130

–

-60
100

14 Длительность сигнала разрешения низкого

уровня, нс при U

СС

= 4,5 В и U

СС

= 5,5 В

= 50 пФ ±30 %

W(CEL)

–

140

–

280*

25 ±10

–

200

–

400

-60
100

15 Длительность сигнала записи (считывания), нс

при U

СС

= 4,5 В и U

СС

= 5,5 В С

= 50 пФ ±30 %

W(WR)

160

–

300*

–

25 ±10

220

–

420

–

-60 – 100

16 Входная емкость, пФ

–

25 ±10

17 Выходная емкость, пФ

–

25 ±10

Знаком * отмечены параметры в том числе и для микросхем Б537РУ6Б – 4

Предельно-допустимые режимы эксплуатации

Параметр

Ед. изм.

Предельно допустимый

Напряжение питания

4,5 – 5,5

Рабочая температура среды

°С

от -60 до +100

Предельная температура среды

°С

от -60 до +150

СОЗУ 4К (4Кх1) 1617РУ6А, 1617РУ6Б

Функциональное назначение

Оперативное статическое запоминающее устройство со схемой управления (4Кх1).

Конструктивное исполнение

Микросхемы изготавливаются в металлокерамических корпусах 427.18.

Нумерация, обозначение и назначение выводов

Номер вывода

1617РУ6А,

1617РУ6Б

Обозначение

Наименование

А3

Вход адресный строки

А4

Вход адресный строки

А5

Вход адресный строки

А6

Вход адресный столбца

А7

Вход адресный столбца

А8

Вход адресный столбца

Выход информационный

WR/RD

Вход сигнала запись – считывание

Общий вывод

Вход сигнала разрешения

Вход информационный

А11

Вход адресный столбца

А10

Вход адресный столбца

А9

Вход адресный столбца

А0

Вход адресный строки

А1

Вход адресный строки

А2

Вход адресный строки

Вывод питания от источника напряжения

Электрические параметры микросхем при приемке и поставке

Наименование параметра,

единица измерения,

режим измерения

Буквенное

обозначение

параметра

Норма параметра

Температура

среды, °С

1617РУ6А

1617РУ6Б

не менее не более не менее не более

1 Выходное напряжение низкого уровня, В

при U

СС

≥ 4,5 В и I

= 3,2 мА U

СС

≥

4,5 В и R

≥ 10 МОм

–

0,3

–

0,3

25 ±10

–

0,4

–

0,4

-60 – 100

–

0,01

–

0,01

25 ±10

–

0,05

–

0,05

-60 – 100

2 Выходное напряжение высокого уровня, В

при U

СС

≥ 4,5 В и I

OН

= 1,2 мА U

СС

≥ 4,5 В

и R

≥ 10 МОм

OН

2,55

–

2,55*

–

25 ±10

2,4

–

2,4

–

-60 – 100

4,49

–

4,49

–

25 ±10

4,45

–

4,45

–

-60 – 100

3 Напряжение питания в режиме хранения, В

ССS

–

25 ±10

3,3

–

3,3

–

-60 – 100

4 Входное напряжение низкого уровня, В

–

0,3 х U

СС

–

0,3 х U

СС

25 ±10

–

0,25 х U

СС

–

0,25 х U

СС

-60 – 100

5 Входное напряжение высокого уровня, В

IН

0,7 х U

СС

–

0,7 х U

СС

–

25 ±10

0,75 х U

СС

–

0,75 х U

СС

–

-60 – 100

Корпус

427.18

СОЗУ 4К (4Кх1) 1617РУ6А, 1617РУ6Б

Наименование параметра,

единица измерения,

режим измерения

Буквенное

обозначение

параметра

Норма параметра

Температура

среды, °С

1617РУ6А

1617РУ6Б

не менее не более не менее не более

6 Ток потребления в режиме хранения, мА

при U

СС

= 5,5 В

CCS

–

0,01

–

0,03*

25 ±10

–

0,05

–

0,3

-60 – 100

при U

СС

= 3,3 В

–

0,007

–

0,015

25 ±10

–

0,035

–

0,15

-60 – 100

7 Ток утечки низкого и высокого уровня на

входе, мкА при U

СС

≤ 5,5 В

LIL

, I

LIH

–

25 ±10

–

-60 – 100

8 Выходной ток низкого и высокого уровня

в состоянии «Выключено», мкА U

СС

≤ 5,5 В

OZL

, I

OZH

–

25 ±10

–

-60 – 100

9 Время выборки разрешения, нс

при U

СС

= 4,5 В и U

СС

= 5,5 В С

= 50 пФ ±30 %

A(СЕ)

–

140

–

280

25 ±10

–

200

–

400

-60 – 100

10 Время цикла записи (считывания), нс,

при U

СС

4,5 В и U

СС

5,5 В С

= 50 пФ ±30 %

CY(WR)

CY(RD)

)

240

–

390

–

25 ±10

320

–

530

–

-60 – 100

11 Время выборки адреса, нс

при U

СС

4,5 В и U

СС

5,5 В С

= 50 пФ ±30 %

A(А)

–

160

–

300*

25 ±10

–

220

–

420

-60 – 100

12 Время установления сигнала разрешения

после сигнала адреса,нс

при U

СС

4,5 В и U

СС

5,5 В С

= 50 пФ ±30 %

SU(A-CЕL)

–

25 ±10

-60 – 100

13 Длительность сигнала разрешения высокого

уровня, нс

при U

СС

4,5 В и U

СС

5,5 В С

= 50 пФ ±30 %

W(CEН)

100

–

110

–

25 ±10

120

–

130

–

-60 – 100

14 Длительность сигнала разрешения низкого

уровня, нс

при U

СС

4,5 В и U

СС

5,5 В С

= 50 пФ ±30 %

W(CEL)

–

140

–

280

25 ±10

–

200

–

400

-60 – 100

15 Длительность сигнала записи (считывания),

нс при U

СС

4,5 В и U

СС

5,5 В С

= 50 пФ ±30 %

W(WR)

W(RD)

160

–

300

–

25 ±10

220

–

420

–

-60 – 100

16 Входная емкость, пФ

–

25 ±10

17 Выходная емкость, пФ

–

25 ±10

Предельно-допустимые режимы эксплуатации

Параметр

Ед. изм.

Предельно допустимый

Напряжение питания

4,5 – 5,5

Рабочая температура среды

°С

от -60 до +85

Предельная температура среды

°С

от -60 до +150

Ангстрем. Каталог продукции (2022 год) - часть 5