содержание .. 5 6 7 8 ..

Ангстрем. Каталог продукции (2022 год) - часть 7

ЭСППЗУ Flash 4 М (512Кх8) 1638РР2У

Номер

вывода

Обозначение

вывода

Назначение вывода

I/O2

Вход/выход данных второго разряда

GND

Общий вывод

I/O3

Вход/выход данных третьего разряда

I/O4

Вход/выход данных четвертого разряда

I/O5

Вход/выход данных пятого разряда

I/O6

Вход/выход данных шестого разряда

I/O7

Вход/выход данных седьмого разряда

СЕL

Вход сигнала разрешения по низкому уровню

А10

Вход адресный 10

ОЕL

Вход сигнала разрешения выхода по низкому уровню

30-33

Свободный вывод

А11

Вход адресный 11

А9

Вход адресный 9

А8

Вход адресный 8

Свободный вывод

А13

Вход адресный 13

А14

Вход адресный 14

А17

Вход адресный 17

WL/RH

Вход сигнала запись/считывание по низкому /высокому

уровню

Вывод питания от источника напряжения

ПЗУ 32Кх8 и 128Кх8 1639РТ1АУ, 1639РТ1БУ, 1639РТ2АУ, 1639РТ2БУ

ПЗУ 32Кх8 и 128Кх8 1639РТ1АУ,

1639РТ1БУ, 1639РТ2АУ, 1639РТ2БУ

Функциональное назначение

Постоянное запоминающее устройство с возможностью однократного программи

рования (32К х 8 и 128К х 8 соответственно). Используется для работы в комплекте

с 8-разрядным микроконтроллером.

Конструктивное исполнение

Микросхемы изготавливаются в металлокерамических корпусах с золотым покры

тием выводов Н16.48.

Нумерация, обозначение и назначение выводов

Номер вывода

микросхем

(1639РТ1АУ и 1639РТ1БУ)

1639РТ2АУ и 1639РТ2БУ

Обозначение

вывода

Наименование выводов

1 (1)

Вывод питания от источника напряжения программи

рования

(2) 2

А12

Вход адресный двенадцатый

(3) 3

А7

Вход адресный седьмой

(4) 4

А6

Вход адресный шестой

(5) 5

А5

Вход адресный пятый

(7) 7

А4

Вход адресный четвертый

(8) 8

А3

Вход адресный третий

(17) 17

А2

Вход адресный второй

(18) 18

А1

Вход адресный первый

(20) 20

А0

Вход адресный нулевой

(21) 21

1/О0

Вход/выход нулевого разряда

(22) 22

1/О1

Вход/выход первого разряда

(23) 23

1/О2

Вход/выход второго разряда

(24) 24

GND

Общий вывод

(25) 25

I/О3

Вход/выход третьего разряда

(26) 26

I/О4

Вход/выход четвертого разряда

(27) 27

I/О5

Вход/выход пятого разряда

(28) 28

I/О6

Вход/выход шестого разряда

(29) 29

I/О7

Вход/выход седьмого разряда

(31) 30

CEL

Вход сигнала разрешения по низкому уровню

(32) 31

А10

Вход адресный десятый

(41) 32

А11

Вход адресный одиннадцатый

(41) 32

А11

Вход адресный одиннадцатый

(42) 41

А9

Вход адресный девятый

(44) 42

А8

Вход адресный восьмой

(45) 43

А13

Вход адресный тринадцатый

(46) 44

А14

Вход адресный четырнадцатый

(–) 45

А15

Вход адресный пятнадцатый

(–) 46

А16

Вход адресный шестнадцатый

(47) 47

ОЕН

Вход сигнала разрешения выхода по высокому уровню

(48) 48

Вывод питания от источника напряжения

(6, 9–16, 19, 30, 33–40, 43)

6, 9–16, 19, 33–40

Cвободный вывод

Корпус

Н16.48-1В

Cхема расположения

выводов

1639РТ1АУ

1639РТ1БУ

Условное графическое

обозначение

1639

РТ2АУ

1639

РТ2БУ

Условное графическое

обозначение

100

ПЗУ 32Кх8 и 128Кх8 1639РТ1АУ, 1639РТ1БУ, 1639РТ2АУ, 1639РТ2БУ

Краткие обобщенные электрические характеристики

Наименование параметра, единица измерения,

режим измерения

Буквенное

обозначение

параметра

Норма параметра

Температура

среды, °С

Примечание

не менее

не более

1 Выходное напряжение низкого уровня, B,

при U

= (4,5 – 5,5) В, (U

CEL

, U

) = (0 – 0,4) В,

АН

OEH

) = [(U

СС

–0,4) – U

] B и I

≤ 2,1 мА

–

0,4

25 ±10

-60 – 85

2 Выходное напряжение высокого уровня, В,

при U

= (4,5 – 5,5) В, (U

CEL

, U

) = (0 – 0,4) В,

АН

OEH

) = [(U

СС

–0,4) – U

] B и I

≤ 0,4 мА

OН

2,4

–

25 ±10

-60 – 85

3 Ток потребления в режиме хранения, мА,

при U

= (4,5 – 5,5) В, U

СЕН

= [U

СС

-(0,15 ±0,05)] B,

= (0 – 0,4) В и (U

АН

OEH

) = [(U

СС

-0,4) – U

] B

CCS1

–

0,3

25 ±10

-60 – 85

4 Ток потребления в режиме хранения,мА,

при U

= (4,5 – 5,5) В, U

СЕН

= (2,45 ±0,05) В,

= (0 – 0,4) В и (U

АН

OEH

) = [(U

СС

-0,4) – U

] B

CCS2

–

25 ±10

-60 – 85

5 Ток утечки высокого и низкого уровня на входе,

мкА, при U

= (4,5 – 5,5) В, U

= 0 В (GND) и U

IН

= U

ILH

и I

ILL

-10

25 ±10

-60 – 85

1, 2

6 Выходной ток высокого и низкого уровня в состо

янии «Выключено» по выводам вход/выход

(I/O0 – I/O7), мкА, при U

= (4,5 – 5,5) В,

OEL

, U

I/OZL

) = 0 В (GND), (U

CEH

, U

I/OZH

) = U

I/ОZH

и I

I/ОZL

-10

25 ±10

-60 – 85

1, 3

7 Динамический ток потребления без нагрузки на

выходах, мА,

при U

= (4,5 – 5,5) В, (U

CEL

, U

) = (0 – 0,4) В,

АН

OEH

) = [(U

СС

-0,4) – U

] B, t

CYA

≥ 300 нс и C

≤ 50 пФ

ОCС

–

25 ±10

-60 – 85

4, 5, 6

8 Время выборки по сигналу адреса А, нс,

при U

= (4,5 – 5,5) В, (U

CEL

, U

) = (0 – 0,4) В,

АН

, U

OEH

) = [(U

СС

-0,4) – U

] B, (t

CYA

, t

WAL/H

) ≥ 300 нс

и C

≤ 50 пФ

АА

–

150

300

25 ±10

-60 – 85

4, 5, 6

9 Время выборки разрешения по сигналу CЕL по

низкому уровню, нс,

при U

= (4,5 – 5,5) В, (U

CEL

, U

) = (0 – 0,4) В,

АН

, U

CEH

, U

OEH

) = [(U

СС

-0,4) – U

] B,

CYСЕL

, t

WAL/H

) ≥ 350 нс и C

≤ 50 пФ

АСЕL

–

150

300

25 ±10

-60 – 85

4, 6, 7, 8

10 Время выборки разрешения выхода по сигналу

ОЕH по высокому уровню, нс,

при U

= (4,5 – 5,5) В, (U

CEL

, U

ОEL

) = (0 – 0,4) В,

АН

, U

OEH

) = [(U

СС

–0,4) – U

] B, (t

CYСЕL

, t

WAL/H

) ≥ 350 нс

и C

≤ 50 пФ

АОЕН

–

25 ±10

-60

4, 6, 7, 9

11 Время цикла считывания по сигналу адреса А, нс,

при U

= (4,5 – 5,5) В, U

CEL

= (0 – 0,4) В и C

≤ 50 пФ

CYA

300

–

25 ±10

-60 – 85

–

12 Время цикла считывания по сигналу разрешения

СEL по низкому уровню, нс,

при U

= (4,5 – 5,5) В, t

WAL/H

≥ 350 нс и C

≤ 50 пФ

CYСЕ

350

–

25 ±10

-60 – 85

–

13 Длительность импульса сигнала адреса А по

низкому/высокому уровню, нс

WAL/H

300

–

25 ±10

-60 – 85

–

350

14 Длительность импульса сигнала разрешения CEL

по низкому уровню, нс

WСЕ

300

–

25 ±10

-60 – 85

–

15 Время восстановления сигнала разрешения CEL

по низкому уровню при переходе его в состояние

высокого уровня и обратно в состояние низкого

уровня, нс

RECСЕH

–

25 ±10

-60 – 85

–

16 Длительность импульса сигнала разрешения

выхода ОEH по высокому уровню, нс

WOЕH

–

25 ±10

-60 – 85

–

17 Время установления сигнала адреса А

в состояние низкого/высокого уровня по

окончанию спада сигнала разрешения CEL по

низкому уровню, нс

SUАL/HСЕL

–

25 ±10

-60 – 85

–

18 Время удержания сигнала адреса А в состоянии

низкого/высокого уровня по окончанию спада

сигнала разрешения CEL по низкому уровню, нс

HСЕLАL/H

–

25 ±10

-60 – 85

–

19 Время удержания сигнала разрешения выхода

OEH по высокому уровню при переходе его в состо

яние низкого уровня после изменения сигнала

адреса А в состояние низкого/высокого уровня, нс

HАL/HOЕL

–

25 ±10

-60 – 85

–

101

ПЗУ 32Кх8 и 128Кх8 1639РТ1АУ, 1639РТ1БУ, 1639РТ2АУ, 1639РТ2БУ

Наименование параметра, единица измерения,

режим измерения

Буквенное

обозначение

параметра

Норма параметра

Температура

среды, °С

Примечание

не менее

не более

20 Время удержания сигнала разрешения выхода

ОЕН в состоянии высокого уровня по окончанию

нарастания сигнала СЕL по низкому уровню, нс

HСЕНОЕH

–

25 ±10

-60 – 85

–

21 Длительность импульса сигнала адреса А по

низкому/высокому уровню в режиме записи, мкс

WAL/HW

10 000

25 ±10

–

22 Длительность импульса сигнала входной инфор

мации по выводам вход/выход (I/O0 – I/O7) по

низкому уровню в режиме записи, нс

WIL/OW

10 000

25 ±10

–

23 Длительность импульса сигнала разрешения

выхода ОЕН(W) по низкому уровню в режиме

записи, мкс

WОELW

0,8 • t

WAL/HW

–

25 ±10

–

24 Время установления сигнала разрешения

выхода ОЕН(W) по высокому уровню при спаде

после изменения сигнала адреса A в состояние

низкого/высокого уровня [сигналов входной

информации по выводам вход/выход (I/O0 – I/O7)

при их спаде] в режиме записи, мкс

SUАL/HОЕLW

IL/OОЕLW

]

0,1 • t

WAL/HW

–

25 ±10

–

25 Время удержания сигнала адреса А в состоянии

низкого/высокого уровня [сигналов входной

информации по выводам вход/выход (I/O0 – I/

O7) при их нарастании] при нарастании сигнала

разрешения выхода ОЕН(W) по высокому уровню

в режиме записи, мкс

НOEHАL/НW

HOEHIH/OW

]

0,1 • t

WAL/HW

–

25 ±10

–

26 Время нарастания и спада входных сигналов, нс

и t

–

25 ±10

-60 – 85

–

27 Время сохранения выходных данных по

низкому/высокому уровню по выводам вход/выход

(I/O0 – I/O7) по окончанию нарастания сигнала

разрешения СЕL по низкому уровню (переход

выходов в состояние Z

), нс,

при U

= (4,5 – 5,5) В, (U

CEL

, U

АL

) = (0 – 0,4) В,

АН

, U

CEH

, U

OEН

) = [(U

СС

–0,4) – U

] B и C

≤ 50 пФ

VCEHI/OL/H

–

25 ±10

-60 – 85

4, 6, 7, 8

28 Время сохранения выходных данных по

низкому/высокому уровню по выводам вход/

выход (I/O0 – I/O7) по окончанию спада сигнала

разрешения выхода ОЕН по высокому уровню

(переход выхода в состояние Z

), нс, при U

= (4,5 –

5,5) В, (U

CEL

, U

АL

, U

ОЕL

) = (0 – 0,4) В, (U

АН

, U

OEН

) = [(U

СС

-0,4)

– U

] B и C

≤ 50 пФ

VOELI/OL/H

–

25 ±10

-60 – 85

4, 6, 7, 9

29 Входная ёмкость и ёмкость входа/выхода, пФ

CI и CI/O

–

25 ±10

–

30 Информационная емкость (количество инфор

мационных слов х количество разрядов в инфор

мационном слове), бит (бит х разряд) 1639РТ1АУ,

1639РТ1БУ

INF

(q х n)

262 144

(32К х 8)

25 ±10

-60 – 85

–

1639РТ2АУ, 1639РТ2БУ

1 048 576

(128К х 8)

С учетом всех паразитных емкостей.

Для микросхем 1639РТ1АУ, 1639РТ2АУ.

Для микросхем 1639РТ1БУ, 1639РТ2БУ.

При (U

CEL

, U

) = (0 – 0,4) В, (U

АН

, U

ОEН

) = [(U

СС

-0,4) – U

СС

] B, а также при изменении сигнала OEH

от U

OEH

= [(U

СС

-0,4) – U

СС

] B до U

ОEL

= (0 – 0,4) В и наоборот.

При U

АL

= (0 – 0,4) В и (U

АН

, U

ОEН

) = [(U

СС

-0,4) – U

СС

] B, а также при изменении сигнала СEL

от U

CEL

= (0 – 0,4) В до U

СEH

= [(U

СС

-0,4) – U

СС

] B и наоборот.

Z – третье состояние, высокое выходное сопротивление.

Предельно-допустимые режимы эксплуатации

Параметр

Ед. изм.

Предельно допустимый

Напряжение питания

4,5 – 5,5

Рабочая температура среды

°С

от -60 до +85

Предельная температура среды

°С

от -60 до +150

102

ПЗУ (8Kх8) 1640РР1Р

Функциональное назначение

Постоянное запоминающее устройство с возможностью многократного электриче

ского перепрограммирования с параллельным вводом/выводом информации (8Kх8).

Конструктивное исполнение

Микросхемы изготавливаются в 28-выводном металлокерамическом DIP корпусе

2121.28.

Нумерация, обозначение и назначение выводов

Номер

вывода

Обозначение

вывода

Наименование вывода

Вывод питания от источника напряжения программирования

A12

Вход адресный

I/O0

Вход/выход нулевого разряда

I/O1

Вход/выход первого разряда

I/O2

Вход/выход второго разряда

GND

Общий вывод

I/O3

Вход/выход третьего разряда

I/O4

Вход/выход четвертого разряда

I/O5

Вход/выход пятого разряда

I/O6

Вход/выход шестого разряда

I/O7

Вход/выход седьмого разряда

СЕ

Вход сигнала разрешения

A10

Вход адресный

ОЕ

Вход сигнала разрешения выхода

A11

Вход адресный

ERA

Вход сигнала разрешения стирания

PGM

Вход сигнала проверки программирования

Вывод питания от источника напряжения

Условное графическое

обозначение

Cхема расположения

выводов

103

ПЗУ (8Kх8) 1640РР1Р

Электрические параметры микросхем при приемке и поставке

Наименование параметра,

единица измерения, режим измерения

Буквенное

обозначение

параметра

Норма параметра

Темп.

среды, °С

не менее

не более

1 Выходное напряжение низкого уровня, В при U

= 5 В ±10%,

= (0,65 ±0,05) В, U

IН

= (2,5 ±0,1) В, (U

ЕRAH

PGMH

)

= U

СС

, I

≤ 3,2 мА

–

0,4

25 ±10

-60 – 85

2 Выходное напряжение высокого уровня, В при U

СС

= 5 В ±10%,

= (0,65 ±0,05) В, U

IН

= (2,5 ±0,1) В, (U

ЕRAH

, U

PGMH

)

= U

СС

, I

≤ 1 мА

2,4

–

25 ±10

-60 – 85

3 Ток потребления в статическом режиме (без нагрузки по выводам I/

O0 – I/O7), мА при U

СС

= 5 В ±10%, U

СЕL

≤ 0,7 В, U

= 0 В (GND), (U

CЕH

, U

RESET/OEH

CLKLH

, U

SER ENH

, U

IН

)

= U

–

25 ±10

-60 – 85

4 Ток потребления в режиме хранения (при КМОП уровне на входе СЕ),

мА при U

СС

= 5 В ±10%, U

= 0 В (GND),

ЕRAH

, U

PGMH

, U

CЕHI

, U

OЕH

, U

)

= U

СС

CCS1

–

25 ±10

-60 – 85

5 Ток потребления в режиме хранения (при ТТЛ – уровне на входе СЕ),

мА при U

СС

= 5 В ±10%, U

СЕH2

= 2,4 В, U

= 0 В (GND),

ЕRAH

, U

IН

, U

PGMH

, U

OЕH

) = U

СС

CCS2

–

25 ±10

-60 – 85

6 Ток потребления от источника программирования в режиме хране

ния, мА при U

СС

= 5 В ±10%, U

PRS

≤ 14,2 B, (U

, U

CEL1,

OЕL

) = 0 В (GND), (U

ЕRAH

PGMH

, U

IН

, U

CEH

)

= U

PRS

–

2,5

25 ±10

-60 – 85

7 Ток потребления от источника программирования при записи инфор

мации, мА при U

СС

= 5 В ±10%,

= 0 В (GND), U

PRW

= (13,8 – 14,2) В, (U

ЕRAH

, U

PGMH

, U

IН

) = U

PRW

–

25 ±10

-60 – 85

8 Ток потребления от источника программирования при стирании

информации, мА при U

СС

= 5 В ±10%, U

= 0 В (GND),

PRЕ

= (13,8 – 14,2) В, U

PGMH

= U

PRE

–

2,5

25 ±10

-60 – 85

9 Ток утечки высокого и низкого уровня на входе по выводам (А0 – А12),

СЕ, ОЕ, ERA, PGM, мкА

при U

СС

= 5 В ±10%, U

= U

, U

= 0 B (GND)

ILH

и I

ILL

)

–

25 ±10

-60 – 85

10 Выходной ток высокого и низкого уровня в состоянии

“Выключено” по выводам (I/O0 – I/O7), мкА при U

СС

= 5 В ±10%,

CEH

= U

, U

OZH

= U

, U

OZL

= 0 B (U

, U

PGMH

) = U

, U

= 0 B (GND)

I/OZH

и I

I/OZL

)

–

25 ±10

-60 – 85

11 Время цикла считывания, нс при U

СС

= 5 В ±10%, СL ≤ 100 пФ

CYR

620

–

25 ±10

-60 – 85

12 Время выборки адреса, нс,

при U

СС

= 5 В ±10%, U

= (0,0 – 0,2) В U

IН

= (3,0 – 3,2) В,

ЕRAH

, U

PGMH

) = U

, t

CYR

= 620 нс и СL ≤ 100 пФ

AА

6), 7)

–

530

25 ±10

-60 – 85

13 Время выборки разрешения выхода, нс,

при U

СС

= 5 В ±10%, U

= (0,0 – 0,2) В U

IН

= (3,0 – 3,2) В,

ЕRAH

, U

PGMH

) = U

, t

CYR

= 620 нс и СL ≤ 100 пФ

AОЕ

6), 7)

–

270

25 ±10

-60 – 85

14 Bремя установления низкого уровня сигнала CE перед спадом

сигнала OE при считывании, нс

SUCEОER

260

–

25 ±10

-60 – 85

15 Время удержания низкого уровня сигнала CE после спада сигнала OE

при считывании, нс

HOECER

100

–

25 ±10

-60 – 85

16 Длительность импульса низкого уровня сигнала OE при считывании,

нс

WOER

300

–

25 ±10

-60 – 85

17 Время сохранения выходных сигналов по выводам

(I/O0 – I/O7) после нарастания сигнала при считывании, нс

при U

СС

= 5 В ±10%, СL ≤ 100 пФ

VOEI/OR

–

25 ±10

-60 – 85

18 Длительность импульса высокого уровня сигнала CE при считывании,

нс

WCER

140

–

25 ±10

-60 – 85

19 Время задержки спада сигнала CE после нарастания сигнала OE при

считывании, нс

DОEСER

–

25 ±10

-60 – 85

20 Bремя установления сигналов (А0 – А12) перед спадом сигнала CE

при считывании, нс

SUACER

–

25 ±10

-60 – 85

21 Время удержания сигналов (А0 – А12) после спада сигнала CE при

считывании, нс

HCEAR

120

–

25 ±10

-60 – 85

22 Время установления низкого уровня на выводе пи-тания от

источника напряжения программирования V

[высокого уровня

сигнала PGM] перед изменением сигналов (А0 – А12) при считывании,

мкс

SUPRAR

SUPGMAR

)

100

–

25 ±10

-60 – 85

23 Время цикла записи, мс при U

СС

= 5 В ±10% и U

PRW

= (14,0 ±0,2) В

CYW

5,6

–

25 ±10

-60 – 85

24 Bремя установления сигналов (А0 – А12) перед спадом сигнала CE

при записи, нс

SUACEW

–

25 ±10

-60 – 85

25 Время удержания сигналов (А0 – А12) после спада сигнала CE при

записи, нс

HCEAW

120

–

25 ±10

-60 – 85

104

ПЗУ (8Kх8) 1640РР1Р

Наименование параметра,

единица измерения, режим измерения

Буквенное

обозначение

параметра

Норма параметра

Темп.

среды, °С

не менее

не более

26 Длительность импульса высокого уровня сигнала CE при записи, мкс

WCEW

100

–

25 ±10

-60 – 85

27 Длительность импульса низкого уровня сигнала OE при записи, мкс

WOEW

0,17

500

25 ±10

-60 – 85

28 Время удержания низкого уровня сигнала CE после спада сигнала OE

при записи, мс

HOECEW

4,5

5,5

25 ±10

-60 – 85

29 Время установления низкого уровня сигнала CE перед спадом сиг

нала OE при записи, нс

SUСEOEW

260

–

25 ±10

-60 – 85

30 Время установления входных сигналов (I/O0 – I/O7) перед спадом

сигнала OE при записи, нс

SUI/OOEW

–

25 ±10

-60 – 85

31 Время удержания входных сигналов (I/O0 – I/O7) после спада сигнала

OE при записи, нс

HOEI/OW

200

–

25 ±10

-60 – 85

32 Время установления высокого уровня на выводе питания от

источника напряжения программирования V

(высокого уровня

сигнала PGM) перед спадом сигнала CE при записи, мкс

SUPRСЕW

SUPGMСЕW

)

–

25 ±10

-60 – 85

33 Длительность импульса низкого уровня сигнала CE при стирании

(записи), мс

WСЕЕ(W)

4,5

5,5

25 ±10

-60 – 85

34 Длительность импульса низкого уровня сигнала CE при стирании, с

WCEЕ

25 ±10

-60 – 85

35 Время установления низкого уровня сигнала перед спадом сигнала

CE при стирании, мкс

SUERACEE

–

25 ±10

-60 – 85

36 Время установления высокого уровня на выводе питания от источ

ника напряжения программирования V

перед спадом сигнала CE при

стирании, мкс

SUPRCEE

–

25 ±10

-60 – 85

37 Время удержания низкого уровня сигнала CE после нарастания сиг

нала ERA при стирании, с

HERACEE

–

25 ±10

-60 – 85

38 Время установления высокого уровня на выводе питания от источ

ника напряжения программирования V

(высокого уровня сигнала

PGM) перед спадом сигнала ERA при стирании, мкс

SUPRERAE

(

SUPGMERAE)

–

25 ±10

-60 – 85

39 Время нарастания и спада входных сигналов

по выводам (А0 – А12), CE, OE, ERA, PGM, (I/O0 – I/O7)

, нс

, t

–

25 ±10

-60 – 85

40 Входная емкость, пФ

–

25 ±10

41 Ёмкость входа/выхода, пФ

I/О

–

25 ±10

OEH

= U

. На вход подают напряжения низкого уровня U

CELW

= 0 В (GND) в течение времени t ≤ 5 мс.

Время измерения не более 5 мс.

ERAL

= 0 B (GND); U

OEH

= U

. На вход подают напряжения низкого уровня U

CELE

= 0 В (GND)

в течение времени t ≤ 10 с. Время измерения не более 10 с.

= U

– для I

ILH

; U

= 0 B (GND) – для I

ILL

CEH

, U

OEH

) = U

; U

I/OZH

= U

– для I

I/OZH

; U

I/OZL

= 0 B (GND) – для I

I/OZL

С учётом всех паразитных емкостей.

Погрешность установки временных входных сигналов ±1 %.

Проводят на максимальной рабочей частоте при t

CYR

= (620±6) нс после установления на выводе V

напряжения низкого

уровня U

PRL

= 0 В (GND) и напряжения высокого уровня в режиме записи

и стирания (U

PRHW

и U

PRHЕ

) = (14,0 ±0,2) В,

В режиме входа.

Предельно-допустимые режимы эксплуатации

Параметр

Ед. изм.

Предельно допустимый

Напряжение питания

4,5 – 5,5

Рабочая температура среды

°С

от -60 до +85

Предельная температура среды

°С

от -60 до +150

Число циклов перезаписи

–

1000

105

ПЗУ (8Kх8) 1640РС1У, 1640РС2У, 1640РС3У, 1640РС3АУ, 1640РС4У, 1640РС4АУ

ПЗУ (8Kх8) 1640РС1У, 1640РС2У,

1640РС3У, 1640РС3АУ, 1640РС4У,

1640РС4АУ

Функциональное назначение

Постоянное запоминающее устройство с возможностью многократного электриче

ского перепрограммирования с параллельным вводом/выводом информации.

Конструктивное исполнение

Микросхемы изготавливаются в 64-выводном металлокерамическом корпусе

Н18.64-1В.

Нумерация, обозначение и наименование выводов микросхем

1640РС1У, 1640РС2У, 1640РС3У, 1640РС3АУ, 1640РС4У, 1640РС4АУ

Номер

вывода

Обозначение

вывода

Наименование вывода

Свободный вывод

I/O

Вход/выход данных

Свободный вывод

CLK

Вход тактовой частоты

Свободный вывод

RESET/ОЕ

Вход сброса/разрешения выхода

Свободный вывод

СE

Вход сигнала разрешения

Свободный вывод

Корпус

Н18.64-1В.

106

ПЗУ (8Kх8) 1640РС1У, 1640РС2У, 1640РС3У, 1640РС3АУ, 1640РС4У, 1640РС4АУ

Номер

вывода

Обозначение

вывода

Наименование вывода

Свободный вывод

GND

Общий вывод

Свободный вывод

CEO/A2

Выход/вход сигнала окончания загрузки

Свободный вывод

SER EN

Вход сигнала выбора режима (режим считывания «1», режим

программирования «0»)

Свободный вывод

VСС

Вывод питания от источника напряжения

Свободный вывод

Электрические параметры микросхем 1640РС1У, 1640РС2У при приемке и поставке

Наименование параметра, единица измерения,

режим измерения

Буквенное

обозначение

параметра

Норма параметра

Температура

среды, °С

не

менее

не

более

1 Выходное напряжение низкого уровня, В,

при U

СС

= 5 В ±10%, I

≤ 3 мА

–

0,4

25 ±10

-60 – 85

2 Выходное напряжение высокого уровня, В,

при U

СС

= 5 В ±10%, I

≤ 2

мА

3,5

–

25 ±10

-60 – 85

3 Ток потребления в режиме хранения, мА,

при U

СС

= 5 В ±10%, U

= 0 В (GND), U

= U

и U

СЕH

= [(U

СС

–0,2) – U

СС

] В

CCS

–

25 ±10

-60 – 85

4 Динамический ток потребления без нагрузки на выходах, мА, при

СС

= 5 В ±10%, f

≤ 8 МГц

(≤ 5,2 МГц)

и C

≤ 30 пФ

ОCC

–

(20)

25 ±10

-60 – 85

5 Ток утечки низкого и высокого уровня на входе по выводам CLK,

RESET/A и SER EN, мкА, при U

СС

= 5 В ±10%

ILL

и I

ILH

25 ±10

-60 – 85

6 Выходной ток низкого и высокого уровня в состоянии «Выклю

чено» по выводу I/O, мкА, при U

СС

= 5 В ±10%, (U

СЕH

, U

RESET/OEH

) = U

СС

OZL

= 0 В (GND) и U

OZH

= U

СС

I/OZL

и I

I/OZH

25 ±10

-60 – 85

7 Время выборки разрешения по сигналу CE, нс,

при U

СС

= 5 В ±10% и C

≤ 30 пФ

ACE

–

25 ±10

-60 – 85

8 Время выборки разрешения выхода по сигналу CE, нс,

при U

СС

= 5 В ±10% и C

≤ 30 пФ

AOE

–

130

160

25 ±10

-60 – 85

9 Время выборки по сигналу CLK, нс,

при U

СС

= 5 В ±10%, t

CYRCLK

≥ 124 нс

(≥ 190 нс)

и C

≤ 30 пФ

ACLK

–

(95)

25 ±10

-60 – 85

10 Время цикла считывания по сигналу CLK, нс, при U

СС

= 5 В ±10%

CYRCLK

124

190

–

25 ±10

-60 – 85

11 Время установлнения низкого уровня сигнала CE перед нарастанием

сигнала CLK, нс

SUCELCLKH

–

25 ±10

-60 – 85

12 Длительность сигнала CE по высокому уровню, нс

WСEH

–

25 ±10

-60 – 85

13 Длительность сигнала RESET/OE по высокому уровню, нс

WRESETH

–

25 ±10

-60 – 85

14 Время сохранения выходного сигнала по выводу I/O после

нарастания сигналов CE (RESET/ OE), нс, при U

СС

= 5 В ±10%

и C

≤ 30 пФ

VCEH-I/O

VOEH-I/O

)

–

25 ±10

-60 – 85

107

ПЗУ (8Kх8) 1640РС1У, 1640РС2У, 1640РС3У, 1640РС3АУ, 1640РС4У, 1640РС4АУ

Наименование параметра, единица измерения,

режим измерения

Буквенное

обозначение

параметра

Норма параметра

Температура

среды, °С

не

менее

не

более

15 Время сохранения неопределенного выходного сигнала (перед

переходом выхода в cостояние Z

) после нарастания сигналов CE

(RESET/ OE), нс, при U

СС

= 5 В ±10% и C

≤ 30 пФ

VCEH

I/OZ

VOEH-I/OZ

)

–

25 ±10

-60 – 85

16 Длительность сигнала CLK по низкому уровню, нс

WCLKL

–

25 ±10

-60 – 85

17 Длительность сигнала CLK по высокому уровню, нс

WCLKH

–

25 ±10

-60 – 85

18 Время цикла записи, мс, при U

СС

= 5 В ±10%

CYW

–

25 ±10

-60 – 85

19 Время нарастания и спада входных сигналов, нс

, t

)

–

25 ±10

-60 – 85

20 Входная ёмкость, пФ

–

25 ±10

21 Ёмкость входа/выхода, пФ

I/О

–

25 ±10

Для 1640РС1У.

Для 1640РС2У.

С учётом всех паразитных емкостей.

Временные параметры являются режимными, их значения проверяют косвенно при проверке временных параметров по

пунктам 7, 8, 9 настоящей таблицы и в соответствии с временными диаграммами.

Z – третье состояние, высокое выходное сопротивление.

Примечания

1 Электрические параметры микросхем в процессе и после воздействия специальных факторов соответствуют нормам, ука

занным в пунктах 1 – 19 настоящей таблицы для крайних значений рабочей температуры среды, а в пунктах 20, 21 – для нор

мальных климатических условий [T = (25 ±10) °С]. При этом в процессе и непосредственно после воздействия спецфактора 7.И с

характеристикой 7.И6 требования к значениям электрических параметров не предъявляют на время потери работоспособно

сти.

Электрические параметры микросхем 1640РС3У, 1640РС3АУ, 1640РС4У и 1640РС4АУ при приёмке

и поставке

Наименование параметра, единица измерения,

режим измерения

Буквенное

обозначение

параметра

Норма параметра

Температура

среды, °С

не менее

не более

1. Выходное напряжение низкого уровня, В, при U

СС

= (3,0 – 5,5) В,

≤ 3 мА

–

0,4

25 ±10

-60 – 85

2. Выходное напряжение высокого уровня, В,

при U

СС

= (3,0 – 5,5) В, I

≤ 2 мА

2,4

–

25 ±10

-60 – 85

3. 3 Ток потребления в режиме хранения, мА, при U

СС

= (3,0 – 5,5) В,

= 0 В (GND), U

= U

и U

СЕH

= [(U

СС

–0,2) – U

СС

] В

CCS

–

25 ±10

-60 – 85

4. Динамический ток потребления без нагрузки на выходах, мА,

при U

СС

= (3,0 – 5,5) В, f

≤ 8 МГц

(≤ 7 МГц)

и C

≤ 30 пФ

ОCC

–

25 ±10

-60 – 85

5. Ток утечки высокого и низкого уровня на входе по выводам

CLK, RESET/A и SER EN, мкА, при U

СС

= (3,0 – 5,5) В

ILH

и I

ILL

–10

25 ±10

-60 – 85

6. Выходной ток высокого и низкого уровня в состоянии

«Выключено» по выводу I/O, мкА, при U

СС

= (3,0 – 5,5) В,

СЕH

, U

RESET/OEH

) = U

СС

, U

OZH

= U

СС

и U

OZL

= 0 В (GND)

I/OZH

и I

I/OZL

–10

25 ±10

-60 – 85

7. Время выборки разрешения по сигналу CE, нс, при U

СС

= (3,0 –

5,5) В и C

≤ 30 пФ

ACE

–

25 ±10

-60 – 85

8. Время выборки разрешения выхода по сигналу CE, нс,

при U

СС

= (3,0 – 5,5) В и C

≤ 30 пФ

AOE

–

160

25 ±10

-60 – 85

9. Время выборки по сигналу CLK, нс,

при U

СС

= (3,0 – 5,5) В, t

CYRCLK

≥ 124 нс

(≥ 144 нс )

и C

≤ 30 пФ

ACLK

–

120

25 ±10

-60 – 85

10. Время цикла считывания по сигналу CLK, нс,

при U

СС

= (3,0 – 5,5) В, С

≤ 30 пФ

CYRCLK

WCLKL

WCLKH

)

–

25 ±10

-60 – 85

11. Время установления низкого уровня сигнала CE перед

нарастанием сигнала CLK, нс

SUСЕLCLKH

–

25 ±10

-60 – 85

12. Длительность сигнала CE по высокому уровню, нс

WСEH

–

25 ±10

-60 – 85

13. Длительность сигнала RESET/OE по высокому уровню, нс

WRESETH

–

25 ±10

-60 – 85

108

ПЗУ (8Kх8) 1640РС1У, 1640РС2У, 1640РС3У, 1640РС3АУ, 1640РС4У, 1640РС4АУ

Наименование параметра, единица измерения,

режим измерения

Буквенное

обозначение

параметра

Норма параметра

Температура

среды, °С

не менее

не более

14. Время сохранения выходного сигнала по выводу I/O после

нарастания сигналов CE (RESET/ OE), нс, при U

СС

= (3,0 – 5,5) В

и C

≤ 30 пФ

VCEHI/O

VOEHI/O

)

–

25 ±10

-60 – 85

15. Время сохранения неопределенного выходного сигнала (перед

переходом выхода в состояние Z

) после нарастания сигналов CE

(RESET/ OE), нс, при U

СС

= (3,0 – 5,5) В и C

≤ 30 пФ

VCEHI/OZ

VOEHI/OZ

)

–

25 ±10

-60 – 85

16. Длительность сигнала CLK по низкому уровню, нс

WCLKL

, 72

–

25 ±10

-60 – 85

17. Длительность сигнала CLK по высокому уровню, нс

WCLKH

, 72

)

–

25 ±10

-60 – 85

18. Время цикла записи, мс, при U

СС

= (3,0 – 5,5) В

CYW

–

25 ±10

-60 – 85

19. Время нарастания и спада входных сигналов, нс

, t

)

–

25 ±10

-60 – 85

20. Входная ёмкость, пФ

–

25 ±10

21. Ёмкость входа/выхода, пФ

I/О

–

25 ±10

Для микросхем 1640РС3У и 1640РС4У.

Для микросхем 1640РС3АУ и 1640РС4АУ.

С учётом всех паразитных емкостей.

пунктам 7, 8, 9 настоящей таблицы и в соответствии с временными диаграммами, приведёнными на рисунке 9.

Z – третье состояние, высокое выходное сопротивление.

Временные режимы цикла записи приводят в инструкции по программированию ПАКД.430609.008ИП.

Примечания

1. Электрические параметры микросхем в процессе и после воздействия специальных факторов соответствуют нормам, ука

мальных климатических условий T = (25 ±10) °С. При этом в процессе и непосредственно после воздействия спецфактора 7.И с

сти, указанной в пункте 2.6.1.

2. Режимы измерения электрических параметров и режимы проведения ФК приведены в таблице 7.

109

ПЗУ (1Кх8) 563РЕ1, Н563РЕ1, Б563РЕ14

ПЗУ (1Кх8) 563РЕ1, Н563РЕ1,

Б563РЕ14

Функциональное назначение

Постоянное запоминающее устройство (1Кх8)

Конструктивное исполнение

Микросхемы 563РЕ1, Н563РЕ1 изготавливаются в металлокерамических корпусах

с золотым покрытием выводов 4131.24 и Н08.24 соответственно, Б563РЕ1-4 в бескор

пусном исполнении на общей пластине.
Используется для работы в комплекте с 8-разрядным микроконтроллером.

Нумерация, обозначение и назначение выводов

Номер вывода или

контактной площадки

Обозначение

вывода

Функциональное назначение вывода

1(1)

А7

Вход адресный

22()

А8

Вход адресный

3(3)

А2

Вход адресный

4(4)

А1

Вход адресный

5(5)

А0

Вход адресный

6(6)

Общий вывод

7(8)

Вход адресный

8(9)

Вход адресный

9(10)

Вход адресный

10(11)

Вход адресный

11(12)

Вход адресный

12(13)

Вывод питания от источника напряжения

13(14)

A12

Вход адресный

14(16)

DO0

Выход нулевого разряда данных

15(17)

D01

Выход первого разряда данных

16(18)

D02

Выход второго разряда данных

17(20)

D03

Выход третьего разряда данных

18(21)

Вход сигнала разрешения

19(22)

A10

Вход адресный

20(23)

DO4

Выход четвертого разряда данных

21(24)

DO5

Выход пятого разряда данных

22(25)

DO6

Выход шестого разряда данных

23(26)

DO7

Выход седьмого разряда данных

24(28)

A11

Вход адресный

Корпус

Н08.24

Условное графическое

обозначение

110

ПЗУ (1Кх8) 563РЕ1, Н563РЕ1, Б563РЕ14

Краткие обобщенные электрические характеристики

Наименование параметра,

единица измерения, режим измерения

Буквенное

обозначение

параметра

Норма параметра

Температура

среды, °С

не менее не более

22. Выходное напряжение низкого уровня, В

при I

≤ 1,6 мА

0,4

25 ±10

-60 – 125

23.

≥ 10 МОм

0,1

24. Выходное напряжение высокого уровня, В

при I

≤ 0,6 мА

3,6

25 ±10

-60 – 125

25.

≥ 10 МОм

4,4

26. Ток потребления в режиме хранения, мкА

CCS

25*

25 ±10

100

-60 – 125

27. Выходной ток низкого уровня в состоянии «Выключено», мкА

OZL

25 ±10

-60 – 125

28. Выходной ток высокого уровня в состоянии «Выключено», мкА

OZH

25 ±10

-60 – 125

29. Ток утечки низкого уровня на входе, мкА

LIL

0,5*

25 ±10

-60 – 125

30. Ток утечки высокого уровня на входе, мкА

LIH

0,5*

25 ±10

-60 – 125

31. Время выборки адреса, нс

АА

300*

25 ±10

-60 – 125

32. Время установления сигнала разрешения после сигнала адреса, нс

SU(A-CE)

25 ±10

-60 – 125

33. Минимальная длительность сигнала разрешения, нс

W(CE)

300

25 ±10

-60 – 125

34. Время восстановления сигнала разрешения. нс

REC(CE)

200

25 ±10

-60 – 125

35. Время сохранения выходной информации после сигнала разреше

ния, нс

V(CE-DO)

100

25 ±10

-60 – 125

36. Время удержания сигнала адреса после сигнала разрешения, нс

H(СЕ-А)

25 ±10

-60 – 125

37. Время цикла считывания, нс

CY(RD)

500

25 ±10

-60 – 125

38. Входная емкость, пФ

25 ±10

39. Выходная емкость, пФ

25 ±10

40. Емкость по выводу питания, мкФ

0,015

25 ±10

Применчания

Знаком * отмечены параметры в том числе и для микросхем Б563РЕ1-4

Нормы электрических параметров микросхем Б563РЕ1-4 в составе ГС соответствуют нормам электрических параметров микро

схем 563РЕ1, Н563РЕ1

Предельно-допустимые режимы эксплуатации

Параметр

Ед. изм.

Предельно допустимый

Напряжение питания

4,5 – 5,5

Рабочая температура среды

°С

от -60 до +125

Предельная температура среды

°С

от -60 до +150

111

ПЗУ (32Кх8) 563РЕ2А, Н563РЕ2А, 563РЕ2Б, Н563РЕ2Б, Б563РЕ2-4

ПЗУ (32Кх8) 563РЕ2А, Н563РЕ2А,

563РЕ2Б, Н563РЕ2Б, Б563РЕ2-4

Функциональное назначение

Постоянное запоминающее устройство (масочное) (32Кх8).

Конструктивное исполнение

Микросхемы 563РЕ2А, Н563РЕ2А, 563РЕ2Б, Н563РЕ2Б, Б563РЕ2-4 поставляются в метал

локерамических корпусах с золотым покрытием выводов 4119.28 и Н16.48, Б563РЕ2-4

в бескорпусном исполнении на общей пластине. Используется для работы в ком

плекте с 8-разрядным микроконтроллером.

Нумерация, обозначение и назначение выводов

Номер вывода и контактной площадки

Обозначение

Наименование

Тип микросхемы

563РЕ2А,

563РЕ2Б

Н563РЕ2А,

Н563РЕ2Б

Б563РЕ2-4

Вход «блокировка»

А12

Вход адресный строки

А7

Вход адресный строки

А6

Вход адресный строки

А5

Вход адресный строки

А4

Вход адресный строки

А3

Вход адресный столбца

А2

Вход адресный столбца

А1

Вход адресный слова

А0

Вход адресный слова

DO0

Выход нулевого разряда

DO1

Выход первого разряда

DO2

Выход второго разряда

GND

Общий вывод

DO3

Выход пятого разряда

DO4

Выход четвертого разряда

DO5

Выход пятого разряда

DO6

Выход шестого разряда

DO7

Выход седьмого разряда

Вход сигнала разрешения

A10

Вход адресный столбца

Вход сигнала разрешения выхода

A11

Вход адресный столбца

Вход адресный строки

A13

Вход адресный строки

A14

Вход адресный строки

Вывод питания от источника

напряжения

Примечание:

Выводы 6, 9–16, 19, 30, 33–40, 43 микросхем Н563РЕ2А, Н563РЕ2Б, контактные пло

щадки 10,21 микросхемы Б563РЕ2-4-NC

Корпус

4119.28

Корпус

Н16.48

Условное графическое

обозначение

112

ПЗУ (32Кх8) 563РЕ2А, Н563РЕ2А, 563РЕ2Б, Н563РЕ2Б, Б563РЕ2-4

Краткие обобщенные электрические характеристики

Наименование параметра, единица измерения,

режим измерения

Буквенное

обозначение

параметра

Норма параметра

Температура

среды, °С

563РЕ2А, Н563РЕ2А

563РЕ2Б, Н563РЕ2Б

не менее не более не менее не более

41. Выходное напряжение высокого уровня, В

= 5,0 В ±10% и I

≤ 1,2 мА

2,4

2,4*

25 ±10

-60 +125

42. I

≤ 4,4

-4

мА

4,4

43. Выходное напряжение низкого уровня, В

=5,0 В ±10% и I

≤ 2,0 мА

0,4

0,4*

25 ±10

-60 +125

44. I

≤ 4,4

-4

мА

0,1

45. Ток потребления в режиме хранения, мА при

=5,0 В ±10%

CCS

0,09

0,9*

25 ±10

0,1

1,0

-60 +125

46. Выходной ток низкого и высокого уровня

в состоянии «Выключено», мкА при

= 5,0 В ±10% U

OZL

= 0 B (GND) и U

OZN

= U

OZL,

OZH

25 ±10

-60 +125

47. Ток утечки низкого и высокого уровня на

входе, мкА при U

=5,0 В ±10% U

= 0 B(GND) и

= U

LIL

, I

LIH

0,5

0,5*

25 ±10

1,0

-60 +125

48. Время выборки адреса, мкс при U

=5,0 В

±10% t

CY(RD)

≥ 0,4 мкс и С

= 50 пФ ±20%

А(А0)

А(А1)

0,09

0,09*

25 ±10

0,1

-60 +125

49. Время установления сигнала разрешения

после сигнала адреса, мкс

SU(A-CE)

HL(CE

)

HL(CE

)

25 ±10

-60 +125

50. Длительность сигнала разрешения, мкс

W(CE)

0,3

25 ±10

-60 +125

51. Время восстановления сигнала разрешения

REC(CE)

0,1

25 ±10

-60 +125

52. Время выборки разрешения, мкс

при U

= 5,0 В ±10% t

CY(RD)

≥ 0,4 мкс

и С

= 50 пФ ±20%

А(СЕ)

0,28

0,28*

25 ±10

0,3

-60 +125

53. Время выборки разрешения выхода, мкс при

=5,0 В ±10% t

CY(RD)

≥ 0,4 мкс

и С

= 50 пФ±20%

А(ОЕ)

0,03

0,03*

25 ±10

-60 +125

54. Время цикла считывания, мкс

при U

=5,0 В ±10% и С

= 50 пФ±20%

CY(RD)

0,4

0,4*

25 ±10

-60 +125

55. Информационная емкость (количество

информационных слов х количество разря

дов в информационном слове), бит (бит х

разряд)

INF

(g x

262144

(32768x8)

262144

(32768x8)

25 ±10

56. Входная емкость, пФ

25 ±10

57. Выходная емкость, пФ

25 ±10

* Параметры в том числе и для микросхем Б563РЕ2-4 Примечание – Параметры t

SU(A-CE)

, t

W(CE)

, t

REC(CE)

, t

CY(RD)

являются режимными, их

значения проверяют косвенно

Предельно-допустимые режимы эксплуатации

Параметр

Ед. изм.

Предельно допустимый

Напряжение питания

4,5 – 5,5

Рабочая температура среды

°С

от -60 до +125

Предельная температура среды

°С

от -60 до +150

Силовая

электроника

содержание .. 5 6 7 8 ..