Группа КРЕМНИЙ ЭЛ. Каталог продукции (2013) - часть 2

2Т888А. 2Т888Б. 2Т888В

аАО.339.782 ТУ

2. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ N-P-N ТИПА

2Т9144А91
АЕЯР. 432140.598 ТУ Эпитаксиально-планарные транзисторы

2Т504А - 2Т504Г_

аА0.339.1 ЮТУ
Планарные переключательные транзисторы

2Т506А, 2Т506Б, 2Т506Б1

аАО.339.318 TV
Планарные транзисторы

2Т630А, 2Т630Б_

ЮФЗ.365.043 ТУ
Планарные транзисторы

2Т630А9, 2Т630Б9_

АЕЯР. 432140.546 ТУ
Эпитаксиально - планарные транзисторы

2Т653А, 2Т653Б_

oA0.339.307 ТУ
Планарные транзисторы

Максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор-база, В
Максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор - эмиттер, В

2Т665А9, 2Т665Б9
aA0.339.559 TV Эпитаксиально-планарные транзисторы

Гибридные микросхемы, ключевые схемы, импульсные модуляторы, преобразователи, линейные стабилизаторы напряжения, узлы и блоки аппаратуры специального назначения.

2Т665А91, 2Т665Б91

АЕЯР. 432140.561 ТУ Низкочастотные транзисторы средней мощности

1. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В
2. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - эмиттер. В
3. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер - база. В
4. Максимально допустимый постоянный ток коллектора. А
5. Статический коэффициент передачи тока.
6. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В (1к= 0,15 А. 1Б= 0,015 А)
7. Граничная частота коэффициента передачи тока. МГц
8. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк = +25°С, Вт