Ангстрем. Каталог продукции (2022 год) - часть 2

 

  Главная      Книги - Разные     Ангстрем. Каталог продукции (2022 год)

 

поиск по сайту            правообладателям  

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

содержание      ..      1      2      3      ..

 

 

 

Ангстрем. Каталог продукции (2022 год) - часть 2

 

 

18

АЦП и ЦАП

АЦП и ЦАП

12-разрядные аналого-цифровые преобразователи 

5023НВ04А5, 5023НВ04В5

Функциональный аналог

 

AD7892-1 (ANALOG DEVICES, США).

Конструктивное исполнение

5023НВ04А5, 5023НВ04В5 в 24-выводном металлокерамическом корпусе Н08.24-1В  

(с золотым покрытием).

Назначение

12-разрядный аналогово-цифровой преобразователь последовательного приближе-

ния с параллельным и последовательным интерфейсом выдачи данных с входным 

напряжением по аналоговым входам UIA= ±5 В, ±10 В для 5023НВ04А5 и ±15 В для 

5023НВ04В5.
Технические условия – АЕНВ.431320.125ТУ. 

Основные технические характеристики

Встроенное УВХ и источник опорного напряжения 
Один источник питания 

 

5 В

Время преобразования 

 

2,2 мкс

Возможность выбора входного напряжения по аналоговым входам:
5023НВ04А5  

 

±5 В, ±10 В

5023НВ04В5  

 

±15 В

Параллельный и последовательный интерфейс выдачи данных
Режим пониженного энергопотребления
Диапазон рабочих температур 

 

от -60°С до +85°С

Корпус 

Н08.24-1В

19

АЦП и ЦАП

14-разрядные аналого-цифровые преобразователи 

5023НВ015

Функциональный аналог

 

AD7851 (ANALOG DEVICES, США).

Конструктивное исполнение

5023НВ015 в 24-выводном металлокерамическом корпусе Н08.24-1В (с золотым 

покрытием).

Назначение

14-разрядный аналогово-цифровой преобразователь последовательного приближе-

ния с последовательным интерфейсом выдачи данных, с входным напряжением по 

аналоговым входам UIA= (0 ÷ U

REF

) В, UIA= (±U

REF

/2) В.

Технические условия – АЕНВ.431320.125ТУ. 

Основные технические характеристики

 

Алгоритм последовательного приближения, с временем преобразования 3,25 мкс;

 

Встроенное УВХ и источник опорного напряжения;

 

Один источник питания 5 В;

 

Возможность выбора входного напряжения по аналоговым входам;

 

Последовательный интерфейс выдачи данных;

 

Режим пониженного энергопотребления;

 

Диапазон рабочих температур от -60°С до +85°С.

Корпус 

Н08.24-1В

20

АЦП и ЦАП

8-разрядные цифро-аналоговые преобразователи 

5023НА024, 5023НА025 

8 – разрядный одноканальный цифро-аналоговый преобразователь с токовым выхо-

дом и с параллельным интерфейсом ввода данных.

Функциональные аналоги 

 

DAC0808 (National Semiconductor), MC1508 (Philips Semiconductors).

Конструктивное исполнение

 

5023НА025 в 16-выводном металлокерамическом корпусе Н04.16-1В;

 

5023НА024 в металлополимерном корпусе 4307.16-А (SO-16).

Основные технические характеристики

ТТЛ и КМОП совместимые цифровые входы
Высокая скорость нарастания выходного сигнала  

 

8 мА/мкс

Время установления (до ½ EMP при U

СС1

= 5 В, U

СС2

= -15 В)  

360 нс

Время задержки распространения сигнала  

(при  U

CC1

= 5 В, U

CC2

= -15 В) не более  

 

100 нс

Относительная погрешность 

(при U

CC1

= 5 В, U

CC2

= -15 В, T=25°С) 

 

±0,17%

Номинальное напряжение питания 

положительное  

 

+5 В,

отрицательное  

 

от -5 В до -15 В

Ток потребления от источников U

CC1

 и U

CC2

, не более  

 

|8| мА

Диапазон рабочих температур: 

5023НА024 

 

от -60°С до +85°С

5023НА025  

 

от -60°С до +125°С

Корпус 

Н04.16-1В

Корпус 

4307.16-А (SO-16)

21

АЦП и ЦАП

8-разрядный цифро-аналоговый преобразователь 

К5023НА024 

8-разрядный одноканальный цифро-аналоговый преобразователь (ЦАП) с токовым 

выходом и с параллельным интерфейсом ввода данных.

Функциональные аналоги 

 

DAC0808 (National Semiconductor), MC1508 (Philips Semiconductors).

Конструктивное исполнение

 

К5023НА024 в металлополимерном корпусе 4307.16-А (SO-16).

Основные технические характеристики

ТТЛ и КМОП совместимые цифровые входы
Высокая скорость нарастания выходного сигнала  

 

8 мА/мкс

Время установления (до ½ EMP при U

СС1

= 5 В, U

СС2

= -15 В)  

360 нс

Время задержки распространения сигнала  

(при U

CC1

= 5 В, U

CC2

= -15 В) не более  

 

100 нс

Относительная погрешность (при U

CC1

= 5 В, U

CC2

= -15 В, T=25°С) 

±0,17%

Номинальное напряжение питания: 

положительное  

 

+5 В,

отрицательное  

 

от -5 В до -15 В

Ток потребления от источников U

CC1

 и U

CC2

, не более 

 

|8| мА

Диапазон рабочих температур 

 

от -60°С до +85°С

Корпус 

4307.16-А (SO-16)

22

АЦП и ЦАП

4-х канальные 12-разрядные цифро-аналоговые 

преобразователи 5023НА03А4, 5023НА03В4, 5023НА03А5, 

5023НА03В5, 5023НА04А4, 5023НА04В4, 5023НА04А5, 

5023НА04В5 

Интегральные микросхемы ЦАП со сбросом в середину шкалы: 5023НА03А4, 

5023НА03В4, 5023НА03А5, 5023НА03В5  (функциональный аналог DAC8412). Интеграль-

ные микросхемы со сбросом в ноль шкалы: 5023НА04А4, 5023НА04В4, 5023НА04А5, 

5023НА04В5 (функциональный аналог DAC8413). Данные микросхемы представляют 

собой четырёхканальные 12-разрядные цифро-аналоговые преобразователи (ЦАП) с 

выходом по напряжению, с параллельным интерфейсом ввода данных и с обратным 

считыванием, со сбросом в середину шкалы или в ноль шкалы, работающими в 

расширенном диапазоне питающих напряжений с номинальным напряжением пита-

ния в однополярном режиме 5 В, в двухполярном режиме от ±5 В до ±15 В.

Функциональный аналог 

 

DAC8412, DAC8413 (Analog Devices, США).

Конструктивное исполнение

 

5023НА03А5, 5023НА03В5, 5023НА04А5, 5023НА04В5  в 28-выводном металлокерами-

ческом корпусе Н09.28-1В (с золотым покрытием);

 

5023НА03А4, 5023НА03В4, 5023НА04А4, 5023НА04В4 в 28-выводном металлокерами-

ческом корпусе 4183.28-5К.

Основные технические характеристики

Напряжение питания  

 

от 5 В до ±15 В 

Режим работы: 

однополярный 

  

5 В

двухполярный 

  

от ±5 В до ±15 В

Ошибка смещения нуля шкалы (группа А), не более 

 

±2,5 ЕМР

(U

CC1

=15 В, U

CC2

=-15 В, U

CCD

=4,75 В, U

REFH

=10 В, U

REFL

=-10 В, R

L

=2 кОм, Т=25°С)

Ошибка полной шкалы (группа А), не более 

 

±2,5 ЕМР

(U

CC1

=15 В, U

CC2

=-15 В, U

CCD

=4,75 В, U

REFH

=10 В, U

REFL

=-10 В, R

L

=2 кОм, Т=25°С)

Буферизированное выходное напряжение
Входы с двойной буферизацией
Сброс в ноль шкалы или в середину шкалы
Малое время доступа к шине данных
Обратное считывание
Диапазон рабочих температур 

 

от -60°С до +125°С

Корпус 

Н09.28-1В

Корпус 

4183.28-5К

23

АЦП и ЦАП

12-и разрядный аналогово-цифровой преобразователь 

1446ПВ2У

1446ПВ2У – скоростной, совместимый с микропроцессорными устройствами, простой 

в использовании 12-разрядный конвейерный АЦП.
1446ПВ2У построен на основе архитектуры конвейерного типа, имеет широкопо-

лосное входное устройство выборки-хранения и источник опорного напряжения. 

Каждый каскад конвейера, исключая последний, содержит АЦП малой разрядности, 

подключенный к ЦАПу на переключаемых конденсаторах, и межкаскадный усилитель 

разности сигналов.
Максимальные и минимальные уровни входного сигнала задаются с помощью регу-

лируемого источника опорного напряжения. Диапазон сигнала по аналоговому входу 

1446ПВ2У гибко настраивается и позволяет подключать как дифференциальные, так 

и недифференциальные сигналы различной амплитуды, развязанные по постоянной 

или переменной составляющей.
Диапазон входного сигнала определяется режимом включения блока опорного 

напряжения. Разность входных напряжений может достигать и лежать в пределах 

шкалы преобразования от – V

REF

 до +V

REF

. Источник опорного напряжения может рабо-

тать в нескольких режимах, определяемых схемой включения. С применением двух 

внешних резисторов, пользователь может изменять величину опорного напряжения 

в диапазоне от 1 до 2,5 В. Также существует возможность подключения внешнего 

источника опорного напряжения для достижения лучших параметров по точности 

и температурным дрейфам. Полная шкала преобразования равна удвоенному значе-

нию опорного напряжения.

Назначение

Преобразование аналогово напряжения в цифровой двенадцатиразрядный код. 

Функциональный аналог

 

AD9221 (Analog Devices, США).

Конструктивное исполнение

1446ПВ2У – металлокерамический копрус Н16.48-1В.

Основные технические характеристики

Разрешающая способность 

 

12 бит

Нелинейность 

 

±2 МЗР

Частота преобразования 

 

8 Мгц

Напряжение питания 

 

+5 В

Ток потребления 

 

130 мА

Диапазон рабочих температур 

 

от -60°С до +85°С

Корпус 

Н16.48-1В

24

Высоковольтные драйверы

Высоковольтные драйверы

Серия высоковольтных быстродействующих драйверов 

силовых ключей 1358ЕХ01

Функциональный аналог

 

LM5100, LM5101 (Texas Instruments, США).

Конструктивное исполнение

Наименование

Тип корпуса

1358EX01АН4, 1358EX01БН4, 1358EX01ВН4

Бескорпусное исполнение

1358EX01АУ, 1358EX01БУ, 1358EX01ВУ

Н02.8-1В

1358EX01АУ1, 1358EX01БУ1, 1358EX01ВУ1

5119.16-А

1358EX01АТ, 1358EX01БТ, 1358EX01ВТ

4303.3-В

Технические условия – АЕНВ.431420.578ТУ, АЕНВ.431420.637ТУ.

Назначение

Управление нижним и верхним n-канальными МОП-транзисторами в синхронном 

понижающем преобразователе или в полумосте:

 

1358EX01АН4, 1358EX01АУ, 1358EX01АУ1, 1358EX01АТ – входные сигналы ТТЛ уровней 

(аналог LM5101);

 

1358EX01БН4, 1358EX01БУ, 1358EX01БУ1, 1358EX01БТ – входные сигналы ТТЛ уровней с 

блокировкой от неправильной комбинации управляющих сигналов;

 

1358EX01ВН4, 1358EX01ВУ, 1358EX01ВУ1, 1358EX01ВТ – входные сигналы КМОП уров-

ней (аналог LM5100).

Драйвер верхнего уровня способен работать при напряжении на общем выводе 

верхнего ключа («плавающее» смещение) до 70 В. Выходы управляются независимо. 

Встроенный высоковольтный диод на одном кристалле с драйвером обеспечивает 

заряд внешнего «бутстрепного» конденсатора. Защита от пониженного напряжения 

питания обеспечивается для каждого канала.

Применение

 

В двухтактных преобразователях тока, преобразователях полумоста и моста, син-

хронных понижающих преобразователях;

 

Совместим с микропроцессорами;

 

Замена электромеханических реле и дискретных схем.

Основные технические характеристики

Управление верхним и нижним ключом
Малые задержки на переключение каналов, типовое   

25 нс 

Согласование каналов, типовое 

 

3 нс

Диапазон питания логической части  

 

от 8 до 12 В

Ток потребления, типовое при 500 кГц  

 

2 мА 

Нагрузочная способность 

 

1000 пФ 

Диапазон напряжения питания за счет буферного конденсатора  

до 82 В

Диапазон рабочих температур   

 

от -60 до +125°С

Диапазон рабочих температур в корпусе 4303.8-В  

 

от -60 до +85°С

Встроенный диод
Встроенная защита от пониженного напряжения питания

Корпус 4303.8-В (SOP-8)

Корпус 5119.16-А

Корпус Н02.8-1В

Бескорпусное исполнение

25

Высоковольтные драйверы

Серия драйверов силовых ключей 1358ЕХ02

Высоковольтные быстродействующие драйверы 1358EX02 разработаны для управле-

ния нижним и верхним n-канальными МОП-транзисторами в синхронном понижаю-

щем преобразователе или в полумосте. 

Назначение

1358ЕХ02Н4, 1358ЕХ02У, 1358ЕХ02У1, 1358ЕХ02Т предназначены для работы со входными 

сигналами TTL уровней. Имеют функцию подстройки задержки включения внешних 

п-канальных МОП-транзисторов, регулируемую дополнительным резистором, для 

исключения возможности возникновения паразитных сквозных токов при полумо-

стовом включении (аналоги LM5104). Возможность регулировать дополнительную 

задержку включения внешних транзисторов.
Драйверы верхнего уровня способны работать при напряжении на общем выводе 

верхнего ключа («плавающее» смещение) до 70 В. Выходы управляются независимо. 

Встроенный «высоковольтный» диод на одном кристалле с драйвером обеспечивает 

заряд внешнего «бутстрепного» конденсатора. Защита от пониженного напряжения 

питания обеспечивается для каждого канала.

Конструктивное исполнение

Наименование

Тип корпуса

1358EX02Н4

Бескорпусное исполнение

1358EX02У

Н02.8-1В

1358EX02У1

5119.16-А

1358EX02Т

4303.3-В

Технические условия – АЕНВ.431420.578ТУ, АЕНВ.431420.637ТУ. 

Особенности

Управление верхним и нижним ключом
Малые задержки на переключение каналов, типовое    

35 нс

Согласованные каналы, типовое 

 

3 нс

Высокая нагрузочная способность 

 

1000 пФ

Время нарастания и спада выходного сигнала  

 

8 нс

Диапазон напряжения питания за счет буферного конденсатора  

до 82 В

Подстройка задержки внешним резистором
Диапазон рабочих температур  

 

от -60 до +125°С

Диапазон рабочих температур в корпусе 4303.8-В  

 

от -60 до +85°С

Низкий ток потребления
Встроенная защита от пониженного напряжения питания

Корпус 4303.8-В (SOP-8)

Корпус 5119.16-А

Корпус Н02.8-1В

Бескорпусное исполнение

26

Импульсные DC-DC повышающие преобразователи

Импульсные DC-DC повышающие 

преобразователи

Импульсные DC-DC преобразователи повышающего типа 

1361ПН1У, 1361ПН1АУ, 1361ПН1АТ

Назначение

Микросхемы серии 1361ПН1У предназначены для использования в аппаратуре специ-

ального и гражданского назначения в качестве повышающего преобразователя 

напряжения батарейного питания:

 

1361ПН1У-25, 1361ПН1АУ-25 с фиксированным выходным напряжением 2,5 В;

 

1361ПН1У-30, 1361ПН1АУ-30 с фиксированным выходным напряжением 3,0 В;

 

1361ПН1У-33, 1361ПН1АУ-33 с фиксированным выходным напряжением 3,3 В;

 

1361ПН1У-40, 1361ПН1АУ-40 с фиксированным выходным напряжением 4,0 В;

 

1361ПН1У-50, 1361ПН1АУ-50 с фиксированным выходным напряжением 5,0 В;

 

1361ПН1У-55, 1361ПН1АУ-55 с фиксированным выходным напряжением 5,5 В.

Благодаря низкому собственному току потреблению и высокой эффективности, 

микросхема обеспечивает максимальную продолжительность работы батареи. Встро-

енный мощный транзистор в сочетании с внутренним ограничителем тока индуктив-

ности, позволяет использовать небольшие, недорогие индуктивные элементы.

Функциональные аналоги

 

RH5RI (RICOH, Япония), 

 

MAX756 (Maxim Integrated, США). 

Конструктивное исполнение 

Микросхемы серии 1361ПН1У выполнены в металлокерамическом корпусе Н02.8-1В, 

1361ПН1Т в корпусе SO-8.
Технические условия – АЕЯР.431320.943ТУ.

Основные параметры и технические характеристики

Малое количество внешних элементов 
Частота переключения, типовое 

 

100 кГц

КПД, типовое 

 

> 80%

Ток потребления в режиме энергосбережения 

 

10 мкА

Высокая точность выходного напряжения 

 

±2,5%

Малое пусковое напряжение 

 

1,1 В

КМОП технология
Индикатор разряда батареи (LBI/LBO)
Диапазон рабочих температур 1363ПН1У 

 

от -60°С до 125°С

Диапазон рабочих температур 1363ПН1АТ  

 

от -60°С до 85°С

Описание выводов

Вывод

Обозначение

Назначение вывода

1

SHDN

Вход переключения схемы в режим энергосбережения

2

NC

Свободный вывод 

3

C

Вывод для подключения стабилизирующей ёмкости

4

LBO

Выход детектора напряжения батарейки 

5

LBI

Вход детектора напряжения батарейки

6

OUT

Вывод для подключения нагрузки

7

GND

Общий вывод

8

Lx

Вывод для подключения индуктивности

Корпус 4303.8-В (SOP-8)

Корпус Н02.8-1В

27

Интеллектуальные силовые ключи

Интеллектуальные силовые 

ключи

Силовой ключ верхнего уровня 1358КТ1Т, 1358КТ5Т, 

1358КТ6Т

Функциональный аналог

 

BTS640 (Infineon Technologies, Германия).

Назначение

Силовой ключ верхнего уровня с встроенными защитными функциями, с нагрузкой, 

подключенной к земле.
Технические условия – АЕЯР.431160.914ТУ, АЕНВ.431160.020ТУ. 

Применение

 

Все виды резистивных, индуктивных и емкостных нагрузок для линейных или 

коммутационных применений;

 

Совместим с микропроцессорами;

 

Замена электромеханических реле и дискретных схем.

Особенности

 

КМОП совместимый вход;

 

Защита входа от статического электричества;

 

Защита от перегрузки;

 

Защита от короткого замыкания;

 

Защита от перенапряжения;

 

Ограничение тока нагрузки;

 

Выключение при пониженном и повышенном уровне напряжения питания  

с авто-перезапуском и гистерезисом;

 

Защита от перегрева с авто-перезапуском и гистерезисом (выключение при пре-

вышении температуры);

 

Защита, ограничивающая амплитуду кратковременных импульсов амплитудой до 

65 В и длительностью не более 50 мс (для 1358КТ1Т);

 

Защита, ограничивающая амплитуду кратковременных импульсов амплитудой до 

80 В и длительностью не более 50 мс (для 1358КТ5Т, 1358КТ6Т);

 

Диапазон рабочих температур: -60°C – +125°C.

Основные технические характеристики

1358КТ1Т 

1358КТ5Т 

1358КТ6Т

Максимальное рабочее напряжениек

V

СС

40 В

61 В

61 В

1358КТ1Т 

1358КТ5Т 

1358КТ6Т

Минимальное  рабочее напряжениек

V

СС

5,5 В

5 В

5 В

1358КТ1Т 

1358КТ5Т 

1358КТ6Т

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии 

(типовое значение)

R

DS(on)

80 мОм 

45 мОм 

25 мОм

1358КТ1Т 

1358КТ5Т

1358КТ6Т

Номинальный ток нагрузки

I

L(nom)

10 А

5,5 А

11 А

Корпус КТ-107-1.04

28

Интеллектуальные силовые ключи

Описание выводов 1358КТ1Т

Номер вывода

Обозначение

Наименование

1

OUT

Защищенный выход коммутируемого напряжения

2

Vcc

Вывод положительного напряжения питания

3

ST

Вывод диагностики, открытый сток

4

GND

Общий вывод

5

IN

Вход управления, включает выход коммутируемого 

напряжения при высоком уровне логического сигнала

6

T1

Тестовый вывод

Описание выводов 1358КТ5Т, 1358КТ6Т

Номер вывода

Обозначение

Наименование

1

OUT

Защищенный выход коммутируемого напряжения

2

Vcc

Вывод положительного напряжения питания

3

ST

Вывод диагностики, открытый сток

4

GND

Общий вывод

5

IN

Вход управления, включает выход коммутируемого 

напряжения при высоком уровне логического сигнала

6

IS

Выход датчика тока

29

Интеллектуальные силовые ключи

Силовые ключи нижнего уровня 1358КТ2П, 1358КТ4П, 

1358КТ4Т

Функциональный аналог

 

1358КТ2П –  BTS149 (Infineon Technologies, Германия);

 

1358КТ4П – BTS141 (Infineon Technologies, Германия);

 

1358КТ4Т – BTS941, BTS949  (Infineon Technologies, Германия).

Назначение

Силовые ключи-коммутаторы нижнего уровня со встроенными защитными функци-

ями с подключением нагрузки к питанию.

 

АЕЯР.431160.914ТУ 

 

АЕНВ.431160.020ТУ 

Применение

 

Все виды резистивных, индуктивных и емкостных нагрузок для линейных или 

коммутационных применений;

 

Совместим с микропроцессорами;

 

Замена электромеханических реле и дискретных схем.

Особенности

 

КМОП совместимый вход;

 

Защита входа от статического электричества;

 

Защита от перегрузки;

 

Защита от короткого замыкания;

 

Защита от перенапряжения;

 

Ограничение тока нагрузки;

 

Диагностика с помощью внешнего входного резистора;

 

Возможность управления аналоговым сигналом;

 

Возможность регулировки порога срабатывания защиты от перегрузки по току;

 

Диапазон рабочих температур: -60°C – +125°C.

Основные технические характеристики

1358КТ2П 

1358КТ4П

1358КТ4Т

Максимальное напряжение сток-исток

V

DS

60 В

70 В

70 В

1358КТ2П 

1358КТ4П

1358КТ4Т

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии 

(типовое значение)

R

DS(on)

30 мОм 

25 мОм 

28 мОм

1358КТ2П

1358КТ4П

1358КТ4Т

Номинальный ток нагрузки

I

L(nom)

12 А

Описание выводов для 1358КТ2П, 1358КТ4П

Корпус

Обозначение

Наименование

1

IN

Вход

2

D

Сток

3

GND

Общий вывод/Исток

Корпус КТ-43А

Корпус КТ-107-1.04

Описание выводов для 1358КТ4Т

Корпус

Обозначение

Наименование

1

GND

Общий вывод/Исток

2

D

Сток

3

CS

Вывод отвода тока 

ДМОП транзистора

4

5

IN

Вход

6

30

Силовые ключи

Силовые ключи

Силовой коммутатор с гальванической 

трансформаторной развязкой 3001КР011

Функциональный аналог

IM06GR, IM07GR (Tyco Electronic Connectivity, США).

Назначение

Радиационно-стойкий силовой коммутатор с гальванической трансформаторной 

развязкой устойчивый к воздействию статического электричества не менее 2000 В.

Применение

 

Совместим с микропроцессорами;

 

Замена электромеханических реле;

 

Коммутация токов и/или напряжения.

Особенности

 

Входной драйвер;

 

Элемент гальванической трансформаторной развязки;

 

МОП транзисторы;

 

Стойкость к воздействию статического электричества.

Основные параметры при T=+25 °C

Напряжение изоляции

 

(I

УТ

.

 ВХ

-

ВЫХ

 

≤ 10 МкА, t = 5 с)

U

ИЗ

не менее 600 В

Сопротивление изоляции (

U

ИЗ

= 600 В)

R

ИЗ

не менее 5·10

7

 Ом

Выходное сопротивление в открытом состоянии (I

КОМ

 

= 0,8 А)

R

ОТК

0,1 Ом 

Коммутация выходного сигнала на ёмкостную нагрузку

C

не более 100 мкФ 

Коммутированное напряжение

U

КОМ

не более 30 В

Постоянный коммутируемый ток

I

ИЗ

2,0 А

Ток утечки (I

КОМ

 

= 30 В)

I

УТ

.

ВЫХ

2,0 мкА

Время включения

 

(

U

КОМ

 

= 10 В, R

Н

 

= 200 Ом)

t

ВКЛ

не более 5 мс

Время выключения (I

ВХ

 

= 5 мА, 

U

КОМ

 

= 10 В, R

Н

 

= 200 Ом)

t

ВЫКЛ

не более 2 мс 

Диапазон рабочих температур: -60°C – +125°C.

Корпус КТ-110-1

31

 

Базовые 

матричные 

кристаллы

32

Введение

Введение

На

 рынке интегральных схем представлен ряд БМК АО «АНГСТРЕМ» наиболее доступных отечественному потре

-

бителю по цене, качеству, удобству, возможности оперативного взаимодействия с производителем, а также защи

-

щённых от капризов международной политической конъюнктуры.
АО «АНГСТРЕМ» предлагает потребителю ряд цифровых и аналого-цифровых БМК, представленных  

в данном каталоге, который адресован инженеру-проектировщику РЭА, осуществляющему предварительную 

оценку возможности выполнения заданного проекта для сравнения имеющихся в наличии библиотек и техноло

-

гий. Кроме того, этот каталог можно использовать в качестве справочника по сериям и типам БМК при проекти

-

ровании. По данному каталогу можно оценить производительность, электрические характеристики, предельные 

и предельно-допустимые режимы эксплуатации, задержки распространения и конструктивные особенности.
Наиболее эффективно применение БМК выпускаемых АО «АНГСТРЕМ» для разработки РЭА с высокими требовани

-

ями по стойкости к воздействию радиации и факторов космического пространства.

В данном каталоге представлен перечень изделий, условно разделённых на 3 части: первого поколения*, 

второго поколения** и третьего поколения***. Также представлены основные характеристики каждого типа 

БМК и габаритные чертежи микросхем.

* БМК первого поколения – разработки 1980-1990 гг.
** БМК второго поколения – разработки 1990-2005 гг.
*** БМК третьего поколения – разработки 2005-2016 гг.

О базовых матричных кристаллах

Полузаказные интегральные схемы на основе базовых матричных кристаллов (БМК) являются практически неза

-

менимыми компонентами для разработчиков и производителей сложной электронной аппаратуры.
Применение их незаменимо во многих случаях:

 

когда необходимо быстро разработать и запустить в производство изделие;

 

когда объём производства изделия относительно невелик, а подходящие для его реализации БИС отсутствуют;

 

при создании специфической аппаратуры с оригинальной схемотехникой;

 

при модернизации раннее созданной аппаратуры, с переводом её на новую элементную базу;

 

при желании заказчика самостоятельно разработать БИС, например, с целью скрыть своё «know-how»;

 

при желании уменьшить массогабаритные показатели, путём замены большего числа микросхем стандартной 

логики на существенно меньшее число микросхем, реализованных на БМК.

Во всех этих и многих подобных случаях возникают противоречивые требования: обеспечение высокой степени 

интеграции БИС с быстротой создания и относительно низкими объемами производства, экономически не рента

-

бельными для разработки заказных БИС.
Наиболее эффективно это противоречие решается с помощью полузаказных БИС на основе БМК. В этом случае 

процесс создания и проектирования БИС расчленяется на две части, причём по заказу выполняется только вторая, 

более простая часть.

Часть 1

Разработка и создание БМК, т. е. стандартной заготовки, из которой впоследствии можно сделать разно- 

образные микросхемы. В каждом БМК имеется набор нескоммутированных ячеек. Изготовление таких БМК про

-

изводится по стандартной технологии массового производства БИС. На основе БМК изготавливаются тестовые 

микросхемы, которые подвергаются всем видам аттестационных испытаний. На БМК выпускаются групповые 

технические условия (ТУ). Таким образом, все наиболее дорогостоящие и длительные процедуры проектирования, 

производства и аттестации БИС выполняются на первом этапе.

Часть 2

Для создания полузаказных БИС выбирается соответствующий тип БМК. Проектирование заключается  

в разработке топологий переменных слоёв контактных окон и металлизации кристалла, а производство – в нане

-

сении этих слоёв на ранее созданные типовые заготовки.

33

Типовой маршрут проектирования

Типовой маршрут проектирования

Задача создания полузаказной БИС на основе БМК заключается в разработке и верификации топологии перемен

-

ных слоёв контактных окон и металлизации кристалла, соединяющей библиотечные ячейки БМК в соответствии 

с электрической схемой заказчика. Причём заказчик имеет возможность выбора степени своего участия в разра

-

ботке: от формирования технических требований до полностью самостоятельного схемотехнического проектиро

-

вания.
Возможно несколько вариантов разработки полузаказной БИС:

 

На основе библиотеки стандартных элементов БМК. Заказчик самостоятельно проектирует схему ИС в базе 

библио-теки, получив от АНГСТРЕМА всю необходимую информацию;

 

На основе поведенческого проекта. Заказчик самостоятельно разрабатывает проект на поведенческом уровне 

в языках VHDL и VerilogHDL, АНГСТРЕМ переводит этот проект в базис библиотек БМК;

 

На основе проекта, выполненного на ПЛИС типа XILINX, ACTEL, ALTERA и др. АНГСТРЕМ производит автоматизи

-

рован-ный перевод проектов в базис библиотеки БМК;

 

На основе электрической схемы, выполненной в любой библиотеке элементов. АНГСТРЕМ производит автома

-

тизи-рованный перевод проектов в базис библиотеки БМК;

 

На основе технических требований. Заказчик формулирует техническое задание на полузаказную БИС, 

АНГСТРЕМ производит её проектирование в базисе БМК.

В зависимости от типа БМК на полный цикл разработки нового типономинала (новой зашивки) требуется от одной 

до четырёх недель. Цикл изготовления  опытной партии с приёмкой ВП – от двух до трёх месяцев.

Типовой маршрут проектирования цифро-аналоговых БИС

ТЗ

 

на

 

разработку

 

СхЭ

Разработка

 

СхЭ

моделирование

Предварительный

 

просмотр

 

проекта

Проектно-технические

 

работы

Изготовление

 

образцов

ЗАКАЗЧИК

ЗАКАЗЧИК

Вариант

 

маршрута

 

проектирования

Библиотека БМК

Синтез

 

из

 

ПЛИС

Синтез

 

из 

VHDL Verilog

ТЗ

 

на

 

разработку

Формирование

 

базы

 

данных

Моделирование

 

и

 

верификация

Предварительный

 

просмотр

 

проекта

Проектирование

 

топологий

 

и

 

верификация

Финишный

 

просмотр

 

проекта

Изготовление

 

образцов

 

 

 

 

 

 

 

содержание      ..      1      2      3      ..