Главная Рефераты Радиоэлектроника
|
|
Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и слоистых структур - реферат
ВВЕДЕНИЕ 1. ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 1.1 Идеализированные статические вольтамперные характеристики транзисторов 1.2 Реальные статические вольтамперные характеристики транзисторов 2. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПРОИСХОДЯЩЩИЕ В ПРИБОРАХ ТУННЕЛИСТОР и БИСПИН 2.1 Идеальный контакт металл-полупроводник 2.2 Реальный контакт металл-полупроводник 2.3 Неустойчивость тока в транзисторной структуре с контактом металл-полупроводник 3. ИССЛЕДОВАНИЕ СЕМЕЙСТВА ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРОВ ТУННЕЛИСТОР и БИСПИН 3.1 Семейство вольтамперных характеристик приборов с общим В-электродом (базой) 3.2 Семейство вольтамперных характеристик приборов с общим А-электродом 3.3 Семейство вольтамперных характеристик приборов с общим С-электродом 4. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА: "ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И СТРУКТУР" ЗАКЛЮЧЕНИЕ СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|