Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и слоистых структур - реферат

ВВЕДЕНИЕ

1. ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

1.1 Идеализированные статические вольтамперные характеристики транзисторов

1.2 Реальные статические вольтамперные характеристики транзисторов

2. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПРОИСХОДЯЩЩИЕ В ПРИБОРАХ ТУННЕЛИСТОР и БИСПИН

2.1 Идеальный контакт металл-полупроводник

2.2 Реальный контакт металл-полупроводник

2.3 Неустойчивость тока в транзисторной структуре с контактом металл-полупроводник

3. ИССЛЕДОВАНИЕ СЕМЕЙСТВА ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИБОРОВ ТУННЕЛИСТОР и БИСПИН

3.1 Семейство вольтамперных характеристик приборов с общим В-электродом (базой)

3.2 Семейство вольтамперных характеристик приборов с общим А-электродом

3.3 Семейство вольтамперных характеристик приборов с общим С-электродом

4. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА: "ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И СТРУКТУР"

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Скачать работу