Главная Учебники - Разные Лекции (разные) - часть 23
Негосударственное образовательное учреждение Институт «ТЕЛЕИНФО» Физические основы электроники (ФОЭ)
Методические указания и контрольные задания для студентов заочной и дистанционной форм обучения Авторы составители: к.т.н., доцент Рудь В.В. Редактор: д.т.н., профессор Сподобаев Ю.М. Рецензент: д.т.н., профессор Логинов Н.П. Самара, 2004 Физические основы электроники (ФОЭ)
Задание к выполнению контрольной работы
Целью данной контрольной работы является изучение электрофизических свойств и параметров собственных и примесных полупроводников и электронно-дырочных (p
-
n
) переходов, изготовленных на их основе, а также приобретение навыков их расчёта. 1. Исходные данные
1.1. Материал полупроводника – германий (Ge
) или кремний (Si
). 1.2. Концентрации примесей: в электронном полупроводнике – 1.3. Рабочая температура t
– в 0
С. 1.4. Приложенное к электронно-дырочному переходу напряжение – U
, В. 2. Задание контрольной работы
В соответствии с исходными данным необходимо выполнить следующие расчеты для электронно-дырочного перехода. 2.1. Определить равновесные концентрации подвижных носителей зарядов – 2.2. Найти концентрации основных : 2.3. Определить положение уровня Ферми в собственном, электронном и дырочном полупроводниках и построить энергетические (зонные) диаграммы полупроводников в масштабе по оси энергий. 2.4. Определить энергетический и потенциальный барьеры, возникающие при образовании идеального электронно-дырочного перехода в состоянии равновесия. 2.5. Объяснить образование электронно-дырочного перехода. 2.6. Определить ширину идеального электронно-дырочного перехода в состоянии равновесия. 2.7. Построить в масштабе энергетическую (зонную) диаграмму идеального электронно-дырочного перехода в состоянии равновесия. 2.8. Определить ширину электронно-дырочного перехода при подаче на идеальный переход внешнего напряжения U
. 2.9. Построить в масштабе энергетическую (зонную) диаграмму идеального электронно-дырочного перехода при подаче на него прямого или обратного напряжения U
. 3. Выбор варианта задания для контрольной работы Студенты, имеющие нечетную предпоследнюю цифру студенческого билета, выполняют задание с использованием полупроводников на основе кремния, а имеющие четную цифру – с использованием полупроводников на основе германия (см. табл. 1). Основные их параметры при температуре Т=3000
К приведены в табл. 2. Таблица 1. Выбор исходных данных к выполнению контрольной работы №№ вари анта
Nd
1/см3
Na
1/см3
t
0
С
В
№№ варианта
Nd
1/см3
Na
1/см3
t
0
С
U
В
00
1017
1016
10 0,3 10
1016
1017
25 0,3 01
1017
1015
10 0,3 11
1015
1017
10 0,3 02
1017
5*1015
10 0,3 12
5*1015
1017
10 0,3 03
4*1017
1016
10 0,3 13
1016
4*1017
10 0,3 04
4*1017
1015
10 0,3 14
1015
4*1017
10 0,3 05
4*1017
5*1015
15 0,4 15
5*1015
4*1017
10 0,35 06
5*1017
5*1015
15 0,4 16
5*1015
5*1017
15 0,35 07
5*1017
1016
15 0,4 17
1016
5*1017
15 0,35 08
5*1017
1015
15 0,4 18
1015
5*1017
15 0,35 09
5*1017
5*1015
15 0,4 19
5*1015
5*1017
15 0,35 20
1016
5*1015
20 0,25 30
5*1015
1016
15 0,4 21
1016
1016
20 0,25 31
1016
1016
20 0,4 22
1016
1015
20 0,25 32
1015
1016
20 0,4 23
5*1016
5*1015
20 0,25 33
5*1015
5*1016
20 0,4 24
5*1016
8*1015
20 0,25 34
8*1015
5*1016
20 0,4 25
5*1016
1016
23 -3 35
1016
5*1016
20 -3 26
5*1016
1015
23 -3 36
1015
5*1016
23 -3 27
5*1016
8*1014
23 -3 37
8*1014
5*1016
23 -3 28
1017
5*1015
23 -3 38
5*1015
1017
23 -3 29
1017
8*1015
23 -3 39
8*1015
1017
23 -3 40
1017
1016
25 -5 50
1016
1017
23 -5 41
4*1017
1015
25 -5 51
1015
4*1017
25 -5 42
4*1017
8*1014
25 -5 52
8*1014
4*1017
25 -5 43
1016
1017
25 -5 53
1017
1016
25 -5 44
1015
1017
25 -5 54
1017
1015
25 -5 45
5*1015
1017
10 0,3 55
1017
5*1015
25 0,3 46
1016
5*1017
10 0,3 56
4*1017
1016
10 0,3 47
1015
4*1017
10 0,3 57
4*1017
1015
10 0,3 48
5*1015
4*1017
10 0,3 58
4*1017
5*1015
10 0,3 49
5*1015
5*1017
10 0,3 59
5*1017
5*1015
10 0,3 60
1016
5*1017
15 0,35 70
5*1017
1016
10 0,35 61
1015
5*1017
15 0,35 71
5*1017
1015
15 0,35 62
5*1015
5*1017
|