Зарубежные ИМС широкого применения Чернышева Ю. М. Кутыркин А. В. Нефедов А. М. Савченко Зарубежные интегральные микросхемы широкого применения СПРАВОЧНИК Под редакцией А. А. ЧЕРНЫШЕВА москва энергоатомиздат 1984 СОДЕРЖАНИЕ Предисловие Введение Раздел первый. Условные обозначения зарубежных ин­тегральных микросхем Раздел второй. Аналоговые интегральные микросхемы 2.1. Операционные усилители 2.2. Мощные усилители низкой частоты 2.3. Цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразова­тели 2.3.1. Цифро-аналоговые преобразователи .... 2.3.2. Аналого-цифровые преобразователи . . . 2.4. Аналоговые ключи и коммутаторы..... 2.4.1. Аналоговые ключи........ 2.4.2. Аналоговые коммутаторы...... 2.5. Интегральные микросхемы для вторичных источников питания 2.5.1. Интегральные стабилизаторы напряжения непре­рывного действия 2.5.2. Интегральные прецизионные источники опорного напряжения 2.5.3. Интегральные микросхемы управления импульс­ными (ключевыми) стабилизаторами напряже­ния Раздел третий. Цифровые интегральные микросхемы 3.1. Интегральные микросхемы для логических и арифме­тических устройств 3.2. Микропроцессоры 3.3. Полупроводниковые запоминающие устройства Приложение. Типовые корпусы ИМС ...... Перечень зарубежных ИМС, вошедших в справочник ПРЕДИСЛОВИЕ Основной элементной базой современной радиоэлектронной ап­паратуры (РЭА) являются интегральные микросхемы (ИМС). Свой­ства, параметры, характеристики и особенности ИМС определяют технические, эксплуатационные и экономические характеристики РЭА. Эффект от применения ИМС в РЭА состоит не только в том, что обеспечивается уменьшение ее массы, габаритов и стоимости, но и в том, что упрощается процесс ее проектирования, удешевляет­ся технология монтажа и сборки. Например, электронная вычисли­тельная машина CD 1604 в 1960 г. содержала 100 тыс. диодов и 25 тыс. транзисторов. В связи с появлением ИМС микрокалькулятор образца 1964 г. содержал уже вместо 21 тыс. дискретных элементов всего 29 МОП ИМС. В настоящее время подобный микрокалькуля­тор содержит всего одну большую ИМС. По зарубежным данным стоимость процесса сборки на дискретных элементах составляет 77 % стоимости всей аппаратуры, а на ИМС средней сложности — лишь 40 %. Кроме того, при применении ИМС сокращаются работы по кор­ректировке, настройке, техническому обслуживанию и ремонту РЭА, уменьшается потребление мощности от источников питания. Широкое применение ИМС в радиоэлектронной аппаратуре вы­зывает повышенный интерес к информации не только об отечествен­ных, но и зарубежных аналоговых и цифровых интегральных мик­росхемах. В книге приводятся сведения об условных обозначениях ИМС, электрических параметрах аналоговых ИМС (операционных усилителей, усилителей мощности, цифро-аналоговых и аналого-циф­ровых преобразователей, аналоговых ключей и коммутаторов; ИМС для вторичных источников питания) и цифровых ИМС (логических, запоминающих устройств и микропроцессоров) ведущих зарубежных фирм. Типовые конструкции ИМС приведены в приложении. Параграфы 2.4, 2.5 написаны Ю. М. Кутыркиным; предисловие, введение, разд. 1, § 2.1 — 2.3 — А. В. Нефедовым, разд. 3 — А. М. Сав­ченко. Авторы ВВЕДЕНИЕ Первые зарубежные лабораторные образцы ИМС (триггер и генератор сдвига фаз) были созданы в США в 1958 г. фирмой Te­xas Instr. (патент на первую ИМС был выдан Ж. Кильби и затем Р. Нойсу в 1959 г.). В дальнейшем в 1961 г. были выпущены серий­ные логические ИМС фирмами Fairchild (схема совпадений, регистр, триггер, содержавший четыре биполярных транзистора и два рези­стора) и Texas Instr. (серия SN51). В 1962 г. появились и первые аналоговые ИМС серии SN52 (маломощный усилитель низкой ча­стоты, операционный усилитель и видеоусилитель). Радикальное изменение принципов создания ИМС принесли раз­работанная фирмой Fairchild в 1960 г. планарная технология для биполярных транзисторов, а также методы создания полевых тран­зисторов (транзисторы с р- n переходом были получены впервые в 1957 г., а МОП-транзисторы — в 1962 г.) Первая логическая МОП-схема была создана фирмой RCA в 1963 г. и содержала 16 МОП-транзисторов. В 70-е годы появилось много различных базовых технологий и новых технологических направлений, используемых для создания ИМС: р-МОП, n-МОП, КМОП, инжекционная логика (И2 Л) в 1972 г., приборы с зарядовой связью (ПЗС) в 1970 г. и др. В настоящее время насчитывается около 50 технологических разно­видностей ИМС. Развитие микроэлектроники идет по пути повыше­ния уровня интеграции ИМС путем увеличения числа элементов и уменьшения структурных размеров элементов с помощью новых тех­нологических методов: от первых ИМС с малой степенью интегра­ции-SSI (менее чем 100 элементов на кристалл) до ИМС сред­ней — MSI (от 100 до 1000 элементов на кристалл) и большой — LSI (от 1000 до 100000 элементов на кристалл) степени интеграции. Например, у микропроцессора типа 8086 на кристалле площадью 33 мм2 содержится 29 тыс. транзисторов. Многие из современных больших ИМС эквивалентны по функциональным возможностям большим радиоэлектронным устройствам. В настоящее время насту­пила стадия создания и сверхбольших ИМС (VLSI). Значительное повышение уровня интеграции ИМС приводит к слиянию в единый технологический цикл процессов создания ИМС и РЭА. Однако рост степени интеграции, а значит, и сложность ИМС, будет ограничи­ваться, очевидно, экономическими и практическими факторами из-за специфичности и узкого применения (ограниченного спроса) таких сверхбольших ИМС, а также такими проблемами, как проблема внутренних межсоединений, занимающих все большую площадь по мере увеличения числа элементов. Кроме того, с уменьшением гео­метрических размеров элементов возрастает сопротивление межсо­единений, вследствие чего увеличивается мощность рассеяния и снижается быстродействие ИМС. Не менее важной проблемой явля­ется сборка ИМС в корпуса с большим числом выводов. РАЗДЕЛ ПЕРВЫЙ УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЗАРУБЕЖНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ За рубежом существуют различные системы кодирования (обо­значения) ИМС, действующие как в международном масштабе, так и внутри отдельных стран и фирм. В европейских странах система кодирования ИМС аналогична системе, принятой для кодирования дискретных полупроводниковых приборов, и используется примерно 40 фирмами различных стран (Англии, Бельгии, Италии, Испании, Нидерландов, Швеции, ФРГ), выпускающими полупроводники. Основные принципы кодирования, по которым обозначения присваиваются организацией Association International Pro Electron, приводятся ниже. Код состоит из трех букв, за которыми следует серийный номер (например, ТВА810, SAB2000). Первая буква (для одиночных схем) отражает принцип преоб­разования сигнала в схеме: S — цифровая схема; Т — аналоговая схема; U — смешанная аналого-цифровая схема. Вторая буква не имеет специального значения (выбирается фирмой-изготовителем), за исключением буквы Н, которой обозна­чаются гибридные схемы. Для серий (семейств) цифровых схем первые две буквы обо­значают: FL, FZ, GD — цифровые схемы; GA — маломощные ТТЛ-схемы; GF — стандартные ТТЛ-схемы; GJ — быстродействующие ТТЛ-схемы; GM — маломощные с диодами Шоттки ТТЛ-схемы; НВ — комплементарные МОП-схемы 4000А; НС — комплементарные МОП-схемы 4500В. Третья буква обозначает рабочий диапазон температуры или как исключение — другую важную характеристику: А — температурный диапазон не нормирован; В — от 0 до +70 °С; С — от — 55 до +125 °С; D — от — 25 до + 70°С; Е — от — 25 до +85°С; F — от — 40 до +85 °С; G — от — 55 до +85°С. Затем следует серийный номер. Он может быть либо четырех­значным числом или серийным номером, состоящим минимум из четырех цифр существующего внутрифирменного номера. Если по­следний состоит менее чем из четырех цифр, то количество цифр увеличивается до четырех путем добавления нулей перед ними. Кроме того, за цифрами может следовать буква для обозначе­ния варианта (разновидности) основного типа. При обозначении вариантов корпусов (после серийного номера) первая буква показывает тип корпуса: С — цилиндрический корпус; D — с двухрядным параллельным расположением выводов F — плоский (с двусторонним расположением выводов); G — плоский (с четырехсторонним расположением выводов); К — металлический корпус типа ТО-3; Q — с четырехрядным параллельным расположением выводов; вторая буква показывает материал корпуса: В — бериллиевая кера­мика; С — керамика; G — стеклокерамика; М — металл; Р — пласт­масса. Ниже приводятся другие условные обозначения ИМС некото­рых зарубежных фирм. Вначале дается пример внутрифирменного обозначения, а затем на его основе показано цифро-буквенное ко­дирование ИМС. Фирма Advanced Micro Devices Пример обозначения AM 27 S 1 8 F M 1. Фирменное буквенное обозначение: AM. 2. Функциональное назначение и технология: 25 — специализи­рованные схемы со средним уровнем интеграции (MSI); 26 — интер­фейсные схемы; 27 — биполярные запоминающие устройства; 28, 90, 91, 92, 94, 95 — МОП-схемы; 29 — биполярные микропроцессоры. 3. Тип схемы: L — маломощные; S — с диодами Шоттки; LS — маломощные с диодами Шоттки. 4. Серийный номер. 5. Тип корпуса: D — с двухрядным вертикальным расположени­ем выводов типа DIP; Р — пластмассовый; F — плоский; X — бес­корпусная ИМС. 6. Рабочий диапазон температуры: С — от 0°С до +75 °С (ком­мерческое назначение); М — от — 55°С до 125 °С (специальное на­значение). Фирма American Microsystems Inc. Пример обозначения S 1103 А 2 Р 1. Фирменное буквенное обозначение: S (другие варианты- MX UL, SP). 2; 3. Серийный номер прибора и его вариант. 4. Тип корпуса: 1 — пластмассовый: 2 — керамический с двух­рядным расположением выводов (Cer-DIP); 3 — керамический типа DIP с однослойной металлизацией (SLAM); 4 — керамический (трехслойный); 5 — типа ТО (стандартный корпус, принятый в США). 5. Количество выводов: С — 22; D — 14; F — 12 (корпус ТО) Н — 16; 1 — 28; L — 24; М — 40 (SLAM); Р — 18 (DIP); Т — 40- U — 16! W-24; Z-28. Фирма Analog Devices Пример обозначения AD 7520 J N 1. Фирменное буквенное обозначение: AD. 2. Серийный номер. 3. Диапазон температуры: А, В, С (промышленное назначение); J, К, L (коммерческое назначение); S, Т, U (специальное назначе­ние). 4. Тип корпуса: D — керамический типа DIP; F — плоский кера-митеский; Н — типа ТО-5; N — пластмассовый типа DIP. Фирма Beckman Instruments Inc. Пример обозначения 877- 85 М V - D1 1. Функциональное назначение: 801 — 809; 851 — 859 — регулято­ры напряжения; 811 — 816, 862, 863 — резистивные матрицы; 822, 823, 833, 866 — усилители; 840 — источники опорного (эталонного) напряжения; 845 — 872, 877 — цифро-аналоговые преобразователи; 873, 876 — аналого-цифровые преобразователи; 882, 883 — активные фильтры. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: М — металлический; С, G — керамический. 4. Модификация. 5. Точность: D1 — лучшая. Фирма Datel Systems Inc. Пример обозначения AM 490- 2 А С 1. Функциональное назначение: ADC — аналого-цифровые пре­образователи; AM — усилители; DAC — цифро-аналоговые преобра­зователи; DAS — система сбора данных; FLT — фильтры; MV, MX — мультиплексоры; SHM — схемы выборки и хранения; VF — преобразователи напряжение — частота; VI — инвертор напряжения; VR — источник опорного напряжения; ТТ — датчик температуры. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: а) для монолитных схем: 1 — DIP с 14 вывода­ми; 2 — металлический ТО-99; б) для гибридных схем: G — пласт­массовый; М — металлический. 4. Вариант прибора по параметрам. 5. Диапазон температуры: С — от 0°С до 70 °С; М — от — 55 °С до + 125 °С; R — от — 25 °С до -1-85 °С. Фирма Exar Integrated Systems Пример обозначения: XR 567 С Р 1. Фирменное буквенное обозначение: XR. 2. Серийный номер. 3. Диапазон температуры: С — коммерческое назначение; М — специальное назначение. 4. Тип корпуса: D — бескорпусная ИМС; К — ТО-66 (модифи­кация); Р — пластмассовый; N — керамический; Т — металлический (ТО-99; ТО-100; ТО-101). Фирма Fair child Пример обозначения: цА 741А Н М; 35342 D С 1. Фирменное буквенное обозначение: F — основной разработ­чик; SH — гибридные схемы; цА — аналоговые схемы. 2. Серийный номер и модификация схемы. 3. Тип корпуса: С — бескорпусная ИМС; D — керамический DIP (ТО-116); Е — пластмассовый (ТО-105; ТО-106); F — плоский (ТО-86; ТО-91); Н — металлический (ТО-5; ТО-18; ТО-33; ТО-39; ТО-52; ТО-71; ТО-72; ТО-78; ТО-96; ТО-99; ТО-100; ТО-101); J — ме­таллический (ТО-66); К — металлический (ТО-3); Р — пластмассо­вый типа DIP; R — керамический типа мини-DIP; Т — пластмассо­вый типа мини-DIP; U — пластмассовый (ТО-220); W — пластмассо­вый (ТО-92). 4. Диапазон температуры: С — от 0°С до +75°С (для КМОП-схем от — 40 °С до +85°С); L — для МОП-схем от — 55 °С до + 85 °С (для аналоговых схем от — 20 °С до +85 °С); для гибрид­ных схем — от — 20°С до +85°С; М — от — 55°С до +85/125°С; V — от — 40°С до +85°С. Фирма General Instrument Пример обозначения RO 6 хххх хх 1. Фирменное буквенное обозначение: AY, CU — матрицы; СР — микропроцессоры; DL, DS — динамические сдвиговые регистры ем­костью соответственно более и менее 50 бит; ER — перепрограмми­руемые постоянные запоминающие устройства с электрическим сти­ранием информации; LC — линейные схемы; LG — логические схемы; MEM — мультиплексоры, ключи, счетчики на полевых транзисторах; MUX — коммутаторы (мультиплексоры); NC, PC — гибридные схе­мы; PIC, SBA — однокристальные микро-ЭВМ; RA — оперативные запоминающие устройства; RO — постоянные запоминающие устрой­ства; SL и SS — статические сдвиговые регистры емкостью соответ­ственно более или менее 50 бит. 2. Диапазон температуры и технология: 0 — от — 55 °С до +85 °С (MTOS); 1 — от 0°С до +70 °С (MTOS); 4 — с n-каналом; 5 — от 0°С до +70 °С (MTNS); 6 — от — 55 °С до +125°С; 7 — MTNS; 8 — от — 55°С до +125°С (с кремниевым затвором); 9 — от 0°С до +70°С (с кремниевым затвором). 3. Для мультиплексоров первые две цифры показывают типовое значение сопротивления канала в открытом состоянии tds: 01 < <100 Ом; 02<200 Ом; 03<300 Ом и т. д. Остальные две цифры показывают число каналов. Для оперативных и постоянных запоминающих устройств четы­ре цифры показывают значение информационной емкости (число бит). Для сдвиговых регистров первая цифра показывает количест­во схем в корпусе (1 — одна; 2 — две; 3 — три и т.д.). Остальные три цифры показывают число бит. 4. Тип корпуса: 01 — бескорпусная ИМС; 12 — с 8 выводами DIP; 14 — типа ТО-5 с 4 выводами; 15 — типа ТО-78 с 8 выводами; 16 — типа ТО-5 с 8 выводами; 17 — типа ТО-5 с 8 выводами (моди-.фикация); 21 — типа ТО-5 с 10 выводами; 22 — типа ТО-5 с изоли­рованными выводами; 23 — типа ТО-100 с 10 выводами; 29 — пласт­массовый DIP с 24 выводами; 30 — пластмассовый DIP с 14 выво­дами; 31 — пластмассовый с 16 выводами; 32 — пластмассовый DIP с 24 выводами; 33 — пластмассовый DIP с 40 выводами; 35 — пло­ский пластмассовый с 36 выводами; 51 — типа ТО-8 с 12 выводами; 55 — DIP с 16 выводами; 60 — плоский с 10 выводами; 61 — плоский с 14 выводами; 62 — плоский с 16 выводами; 63 — плоский с 20 вы­водами; 64 — плоский с 24 выводами; 65 — плоский с 40 выводами; 66 — с 36 выводами; 68 — плоский с 44 выводами; 69 — DIP с 14 выводами; 71 — с 16 выводами; 72 — DIP с 24 выводами; 73 — DIP с 24 выводами (модификация); 74 — DIP с 40 выводами; 75 — DIP с 40 выводами (модификация); 76 — DIP с 28 выводами; 77 — DIP с 18 выводами; 79 — DIP с 24 выводами (модификация); 80 — ке­рамический DIP с 14 выводами; 81 — керамический DIP с 16 выво­дами. Фирма Harris Sem Пример обозначения Н А 1 - 2900 - 2 1. Фирменное буквенное обозначение: Н. 2. Функциональное назначение: А — аналоговые схемы; В — от­ладочное плато; С — схемы средств связи; CF — бескорпусная ИМС; D — цифровые схемы; I — интерфейсные схемы (ключи, коммутато­ры, ЦАП и т.д.); М — запоминающие устройства, микропроцессоры, диодные матрицы; PROM — программируемые постоянные запоми­нающие устройства; RAM — оперативные запоминающие устройства; ROM — постоянные запоминающие устройства; S — программное обеспечение; Т — транзисторные сборки. 3. Тип корпуса: 1 — типа DIP с двухрядным расположением вы­водов; 2 — типа ТО-5; 3 — пластмассовый типа DIP; 4 — безвывод­ной; 7 — типа мини-DIP; 9 — плоский; 0 — бескорпусная ИМС. 4. Серийный номер. 5. Диапазон температуры: 1 — от О°С до +200°С; 2 — от — 55 °С до +125°С; 4 — от — 25° С до +85 °С; 5 — от О °С до +75 °С; 9 — от — 40 °С до 85 °С (для серии 4000 КМОП); от — 55 °С до +125°С (для серии 5400); от 0°С до + 70°С (для серии 7400). Фирма Hitachi Пример обозначения: HD 25 48 Р 1. Фирменное буквенное обозначение: НА — аналоговые; HD — Цифровые; HN — постоянные запоминающие устройства (ROM); НМ — оперативные запоминающие устройства (RAM), 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: Р — пластмассовый. Фирма JTT Пример обозначения: MIC 9300 1 D 1. Фирменное обозначение: ITT, MIC, SAK, SAJ, SAY, TAA, ТВА, ТСА, TDA (в соответствии с системой Pro Electron). 2. Серийный номер и вариант прибора. 3. Диапазон температуры: 1 — от — 55 °С до +125°С; 5 — от 0°Сдо +75°С. 4. Тип корпуса: В — плоский; С — типа ТО-5; D — керамиче­ский типа DIP; N — пластмассовый типа DIP. Фирма Intel Пример обозначения; I Р 3301A L-4 1. Рабочий диапазон температуры: I — промышленное назначе­ние; М — специальное назначение. 2. Тип корпуса: В — керамический типа DIP; С — металлокера-мический типа DIP; D — стеклокерамический типа DIP; М — метал­лический; Р — пластмассовый типа DIP; X — бескорпусная ИМС. 3. Серийный номер и вариант прибора. 4. Модификация по мощности, быстродействию и другим пара­метрам. Фирма Intersil Inc. Пример обозначения: IM 6518A М D D 1. Фирменное буквенное обозначение: DG — аналоговые ключи; D — схемы управления; IH — гибридные схемы; ICL — аналоговые схемы; ICM — таймеры; IM — цифровые схемы или запоминающие устройства. 2. Серийный номер и вариант прибора (буква). 3. Диапазон температуры: С — от 0°С до +70 °С; I — от — 40 °С до +70°С; А, М — от — 55 °С до +125 °С; В — от — 20 °С до +85 °С. 4. Тип корпуса: В — пластмассовый плоский миниатюрный; D — керамический типа DIP; Е — типа ТО-8; F — плоский керамический; 1 — DIP с 16 выводами; J — керамический типа DIP; К — типа ТО-3 с 8 выводами; L — керамический безвыводной; Р — пластмассовый типа DIP; Q — металлический с двумя выводами; Т — типа ТО-5; DR — типа ТО-72. 5. Число выводов: А — 8; В — 10; С — 12; D — 14; Е — 16; F — 22; G — 24; 1 — 28; J — 32; К — 36; L — 40; М — 48; N — 18. Для серии 7600 (операционные усилители) пример обозначения: ICL 7611A C TY 2. Третья цифра в серийном номере показывает: I — одиночные; 2 — сдвоенные; 3 — строенные; 4 — счетверенные; буква показывает значение напряжения смещения нуля: А — 2 мВ; В — 5 мВ; С — 10 мВ; D — 15 мВ; Е — 25 мВ. 3. Диапазон температуры: С — от 0°С до +70°С; М — от — 55 °С до +125°С. 4. Тип корпуса: TY — типа ТО-99 с 8 или 4 выводами; РА — пластмассовый мини-DIP с 8 выводами; PD — пластмассовый с 14 выводами; РЕ — пластмассовый с 16 выводами; JD — керамический DIP с 14 выводами; JE — керамический DIP с 16 выводами. Фирма Matsushita (Panasonic) Пример обозначения: DN 830 1. Фирменное буквенное обозначение: AN — аналоговые схе­мы; DN — цифровые биполярные схемы; MN — цифровые МОП-схемы; М, J — разрабатываемые образцы. 2. Серийный номер. Фирма Mitsubishi Electric Corp. Пример обозначения: М 5 1 01 Р 1. Фирменное буквенное обозначение приборов серийного произ­водства: М. 2. Диапазон температуры: 5 — промышленное назначение; 9 — специальное назначение. 3. Функциональное назначение и технология (типы серий): О — КМОП; 1, 10 — 19 — аналоговые; 3, 32, 33, 41 — 47 — ТТЛ; 8, 81, 82 — МОП; 9 — ДТЛ; 84, 89 — КМОП; 87 — n-МОП; 85, 86, 88 — р-МОП. 4. Серийный номер. 5. Тип корпуса: К — стеклокерамический типа DIP (K-1 с 16 вы­водами); Р — пластмассовый (Р-1 с 14 выводами типа ТО-116; Р-2 с 14 выводами; Р-3 с 16 выводами; Р-4 с 18 выводами; Р-5 с 24 вы­водами; Р-11 с 8 выводами); S — металлокерамический;Т — метал­лический (Т-1 с 8 выводами типа ТО-99; Т-2 с 10 выводами типа ТО-100); Y — металлический с 10 выводами, модификация корпуса типа ТО-3. Фирма Monolithic Memories Пример обозначения: 6 2 41-1 J; SN 74 LS 373 J 1. Фирменное буквенное обозначение: SN, PAL — программируе­мые логические матрицы. 2. Диапазон температуры: 5, 54, 57М — специальное назначение; 6, 67, 74; С — коммерческое назначение. 3. Функциональные группы: 2 — постоянные запоминающие уст­ройства; 3 — программируемые постоянные запоминающие устрой­ства; 5 — оперативные запоминающие устройства; 7 — микро-ЭВМ (процессорно ориентированные БИС). 4. Серийный номер. 5. Технология: 1 — ТТЛ с диодами Шоттки; 2 — усовершенство­ванный вариант; S — с диодами Шоттки; LS — маломощные с диода­ми Шоттки. 6. Тип корпуса: F — плоский; J — керамический типа DIP; L — безвыводной; N — пластмассовый типа DIP. Фирма Mostek Corp. Пример обозначения: МК 4027 Р 1. Фирменное буквенное обозначение: МК. 2. Серийный номер, 1ХХХ или 1ХХХХ — регистры сдвиговые, постоянные запоминающие устройства (ROM); 2ХХХ ЗХХХ или 2ХХХХ, ЗХХХХ — постоянные запоминающие устройства; перепро­граммируемые запоминающие устройства со стиранием информации ультрафиолетовыми лучами; 4ХХХ или 4ХХХХ — оперативные запо­минающие устройства (RAM); 5ХХХ или 5ХХХХ — счетчики для аппаратуры связи и промышленного применения. 3. Тип корпуса: Е — безвыводной с керамическим кристаллодер-жателем (микрокорпус); F — керамический плоский; J — керамичес­кий DIP (Cer-DIP); К — керамический типа DIP с металлической крышкой; М — пластмассовый плоский; N — пластмассовый типа DIP; Р — с позолоченной крышкой керамический типа DIP; Т — ке­рамический типа DIP с прозрачной крышкой.. Фирма Motorola Пример обозначения: МС 14510А L 1. Фирменное буквенное обозначение: МС — корпусные инте­гральные схемы; МСВ — корпусные схемы с балочными выводами; МСВС — бескорпусные (кристаллы) схемы с балочными выводами; МСС — кристаллы бескорпусных интегральных схем; MCCF — линей­ные интегральные схемы с шариковыми выводами; МСЕ — интеграль­ные схемы с диэлектрической изоляцией элементов; МСМ — инте­гральные схемы запоминающих устройств; MLM — эквиваленты линейных интегральных схем, выпускаемых фирмой National Semicon­ductor. 2. Серийный номер и вариант прибора. Цифровое обозначение может показывать рабочий диапазон температуры, например при­боры серии 1400 работают при температуре от 0°С до +75°С, а 1500 от — 55 °С до +125°С. 3. Тип корпуса: F — плоский керамический; G — металлический (типа ТО-5); К — металлический ТО-3; L — керамический типа DIP; Р — пластмассовый; PQ — пластмассовый типа DIP; R — металли­ческий типа ТО-66; Т — пластмассовый типа ТО-220; U — керамичес­кий. Фирма National Semiconductor Corp. ( NSC) Примеры обозначения: LF 355А N; АDC 0800 P C N 1. Фирменное буквенное обозначение: ADC — аналого-цифровые преобразователи; АЕЕ — для микро-ЭВМ; AF — активные фильтры; АН — аналоговые ключи (гибридные); AM — аналоговые ключи (мо­нолитные); CD — КМОП-схемы (только для серии 4000); СОР — мик­роконтроллеры; DAC — цифро-аналоговые преобразователи; DH — цифровые (гибридные) схемы; DM — цифровые (монолитные) схе­мы; DP, DS — микропроцессоры и интерфейсные схемы; IDM, IMP, INS, IPC, ISP, NSC (серии 800, 1600) — микропроцессоры; LF — аналоговые схемы по BI FET технологии; LFT — аналоговые схемы по BIFET-II технологии; LH — аналоговые гибридные схемы; LM — аналоговые монолитные схемы; МН — гибридные МОП-схемы; ММ — монолитные МОП-схемы; NH — гибридные схемы (устаревшие); SD — специальные цифровые схемы; SL — специальные аналоговые схемы; SM — специальные МОП-схемы. Примечание. Для преобразователей (ЦАП и АЦП) третья буква в буквенном обозначении обозначает: С — полные (функцио­нально законченные); В — стандартные блоки; D — измерительные приборы с цифровым отсчетом; М — модульные. 2. Серийный номер (основной тип) и дополнительные буквы: fc — улучшенные электрические характеристики; С — промышленный диапазон температуры. Для ЦАП и АЦП цифры показывают коли­чество разрядов: 08 — 8 бит; 10 — 10 бит; 12 — 12 бит; 25, 35, 37, 45 — 2 — , 3 , 3 — , 4 — двоичных разрядов соответственно. 3. Для ЦАП и АЦП технология: Р — р-МОП; С — КМОП; Н — гибридные; В — биполярные; N — n-МОП; L — линейные; I — И2 Л. 4. Для ЦАП и АЦП диапазон температуры: С (промышленное назначение). 5. Тип корпуса: D — металлостеклянный типа DIP; F — плоский металлостеклянный; G — металлический ТО-8 с 12 выводами; Н — металлический многовыводной (Н-05 — ТО-5 с 4 выводами; Н-46 ти­па ТО-46 с 4 выводами); J — керамический типа DIP (J-8 мини-DIP с 8 выводами; J-14 с 14 выводами; К — металлический типа ТО-3; КС — металлический (алюминиевый) типа ТО-3; N — пластмассовый (N-8 мини-DIP с 8 выводами; N-14 с 14 выводами); Р — ТО-202 с 3 выводами; Т — ТО-220 пластмассовый с 3 выводами; S — пластмас­совый с 14 выводами большой мощности; W — керамический плос­кий; Z — с 3 выводами пластмассовый ТО-92. Для аналоговых схем в серийном номере первая цифра показы­вает;, 1 — диапазон температуры от — 55 °С до +125°С (за исклю- ченнем серии LM1800 для коммерческой аппаратуры); 2 — от — 25 Э С до +85 °С; 3 — от 0 до +70 °С. Для цифровых схем: первые две цифры в серийном номере по­казывают: 54, 55 — специальное назначение; 74, 75 — коммерческое назначение (все другие типы с обозначением, начинающимся с цифры 7, имеют диапазон температуры от +55 °С до +125°С); все типы с обозначением, начинающимся с цифры 8, имеют диапазон температуры от О °С до 70 °С. Интегральные микросхемы для вторичных источников питания обозначаются по специальной цифровой системе. Фирма Nippon Electric Corp (NEC) Пример обозначения: цР В 1 А 1. Фирменное буквенное обозначение: м P. 2. Функциональное назначение: А — набор элементов; В — циф­ровые биполярные (запоминающие устройства); С — аналоговые биполярные схемы; D — цифровые МОП-схемы. 3. Серийный номер. 4. Тип корпуса: А — типа ТО-5; В — плоский; С — пластмассовый типа DIP; D — керамический типа DIP. Фирма Plessey Пример обозначения: SL 521 DG 1. Фирменное буквенное обозначение: MJ — n-МОП; ML, MT — аналоговые МОП; МР — цифровые МОП; NOM — запоминающие устройства; SL — биполярные аналоговые; SP — биполярные цифро­вые. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: СМ — типа ТО-5 (многовыводной); DG — кера­мический типа DIP; DP — пластмассовый типа DIP; ЕР — для ИМС большой мощности; FM — плоский с 10 выводами; GM — плоский с 14 выводами; КМ — типа ТО-3; SP — пластмассовый с однорядным расположением выводов. Фирма Precision Monolithics Inc. ( PMI) Пример обозначения: OP 01H К 1. Фирменное буквенное обозначение: BUF — изолирующие или развязывающие (буферные) усилители, повторители напряжения; СМР — компараторы напряжения (прецизионные); DAC — цифро-аналоговые преобразователи; МАТ — подобранные сдвоенные моно­литные транзисторы; MUX — мультиплексоры; ОР — операционные усилители; РМ — отвечающие стандартной спецификации; REF — прецизионные источники опорного напряжения; SMP — схемы вы­борки и хранения; SSS — схемы, отвечающие улучшенной специфи­кации; SW — аналоговые ключи. 2. Серийный номер и вариант прибора. 3. Тип корпуса: Н — ТО-78; J — ТО-99; К — ТО-100; L — плос­кий с 10 выводами; М — плоский с 14 выводами; N — плоский с 24 выводами; Р — пластмассовый (мини-DIP) с 8 выводами; Q — DIP с 16 выводами; Т — DIP с 28 выводами; V — DIP с 24 вывода­ми; W — DIP с 40 выводами; X — DIP с 18 выводами; Y — DIP с 14 выводами. Фирма Raytheon Sem. Пример обозначения: RS И8 DD; AM 2901 D M 1. Фирменное буквенное обозначение: LH1, LM1, RM (диапазон температуры от — 55 °С до +125°С); LH2, LM2 (от — 25 °С до +85 °С); LH3, LM3, RC (от 0°С до +70 °С); RV (от — 40 °С до + 85°С); элементы микро-ЭВМ: AM, R; 93. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: BL — с балочными выводами; ВМ — пластмас­совый DIP с 16 выводами; CJ, СК — плоский керамический с 14 вы­водами; CL — плоский керамический с 16 выводами; JD — металли­ческий DIP с 14 выводами; DB — пластмассовый DIP с 14 выводами; DC, DD, DE — керамические DIP с 14, 16 и 8 выводами соответст­венно; DM — керамический DIP с 16 выводами; DZ — керамический DIP с 40 выводами; F — плоский; FY — плоский керамический с 28 выводами; FZ — плоский керамический с 42 выводами; Н — ме­таллический с 3, 8 или 10 выводами; J — керамический DIP с 14 или 16 выводами; К — типа ТО-3; MB — пластмассовый DIP с 16 выво­дами; ML, MS, MZ — керамические типа DIP с металлической крышкой с 16, 20 и 40 выводами соответственно; N — плоский ме­таллический с 24 выводами; NB — пластмассовый DIP с 8 вывода­ми; PS, PU, PV, PZ — пластмассовый DIP с 20, 24, 28 и 40 вывода­ми соответственно; Q — плоский с 10 выводами; R — керамический DIP с 24 выводами; Т — металлический с 3, 8 или 10 выводами;, ТК — типа ТО-66 с 3 выводами; W — плоский керамический с 14 выводами. Для микро-ЭВМ: D — с двухрядным расположением выводов; F — плоский; Р — пластмассовый типа DIP; X — бескорпусная ИМС. 4. Диапазон температуры: С — от О °С до +75 °С; М — от — 55 °С до +125°С Фирма RCA Solid State Пример обозначения: CD 4070 D 1. Фирменное буквенное обозначение: СА — аналоговые схемы; CD — цифровые схемы; CDP — микропроцессоры; MW — МОП-схе­мы; внутрифирменное обозначение для всех классов полупроводни­ковых приборов: ТА. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: D — керамический типа DIP; E — пластмассо­вый DIP; F — керамический типа DIP; G — кристалл с пластмассо­вой герметизацией; Н — бескорпусная ИМС; К — керамический плос­кий; L — с балочными выводами; Q — с 4-рядным расположением выводов; S, Т — типа ТО-5. Фирма Sanyo Пример обозначения: LA 1230 1. Фирменное буквенное обозначение: LA — биполярные линей­ные; LB — биполярные цифровые; LC — КМОП; LE — n-МОП; LM — рМОП; LD, STK — тонкопленочные и толстопленочные схемы. 2. Серийный номер. Фирма Sescosem ( Thomson) Пример обозначения:SF F 8 1104A P T 1. Фирменное буквенное обозначение: SF (имеются и другие сбозначения, например ESM, TDB). 2. Технология: С — биполярные; F — МОП. 3. Функциональные группы: 1 — мультиплексоры (коммутато­ры); 2 — аналоговые или КМОП логические схемы; 3 — динамичес­кие сдвиговые регистры; 4 — статические сдвиговые регистры; 5 — универсальные; 7 — постоянные запоминающие устройства; 8 — опе­ративные запоминающие устройства; 9 — микропроцессоры. 4. Серийный номер: три цифры с буквой, обозначающей вариант, для аналоговых ИМС; от двух до пяти цифр для цифровых ИМС и дополнительно от двух до четырех цифр для обозначения номера типа. 5. Тип корпуса: при отсутствии буквы — металлический корпус (ТО-5; ТО-99; ТО-100); D — пластмассовый типа мини-DIP; Е — пластмассовый DIP (ТО-116; МР-117); G — керамический типа ми­ни-DIP; J — керамический типа DIP; К — керамический типа DIP; Р — плоский (ТО-91); R — металлический (ТО-3); U — пластмассо­вый плоский мини-корпус. 6. Диапазон температуры: при отсутствии буквы для цифровых схем — от 0°С до +70 °С; С — от 0°С до +70°С; Т — от — 25 °С до + 85°С; V — от — 40°С до +85°С; М — от — 55°С до +125°С. Фирма Signetics Corp. ( Philips) Пример обозначения: N 74123 F 1. Рабочий диапазон температуры: N или NE — от 0°С до 70 °С (N8 — от 0°С до +75°С); S или SE — от — 55°С до 125°С; SA — от — 40 °С до 85 °С; SU — от — 25 °С до +85 °С; серии 5400 — от — 55 °С до +125 °С; серии 7400 — от О °С до +70 °С. 2. Серийный номер: 8200 — стандартные MSI; 82SOO — с дио­дами Шоттки MSI; 8T — интерфейсные схемы. Примечание: Типы приборов, выпускаемых с обозначением других фирм:-СА, DS, LF, LH, LM, МС, ОМ, SG, ТАА, ТВА, ТСА, TDA, TDB, TEA, UA, ULN — аналоговые стандартные; DAC — циф­ро-аналоговые преобразователи; HEF, MB, MJ, PCD, PCE — серии КМОП; SAF, SC — цифровые; SD — аналоговые ДМОП. 3. Тип корпуса: D — микроминиатюрный пластмассовый (типа SO) с 8, 14 или 16 выводами; N — пластмассовый с 8, 14, 16, 18, 22, 24, 28 или 40 выводами; F — керамический DIP с 8, 14, 16, 18, 20, 22, 24 или 28 выводами; Н — металлический ТО-99 или ТО-100; I — керамический DIP с 8, 10, 14, 16, 18, 24, 28, 40 или 50 вывода­ми; К — ТО-100; L — ТО-99; Q — керамический плоский с 10, 14, 16 и 24 выводами; R — бериллиевый плоский с 16, 18, 24, 28 или 40 вы­водами; W — керамический плоский с 10, 14, 16 или 24 выводами. Фирма Siticonix Sem. Dev. Пример обозначения: DG 187 А Р 1. Фирменное буквенное обозначение: D — схемы управления для ключей на полевых транзисторах; DF-цифровые схемы; DG — аналоговые ключи; DGM — аналоговые ключи (монолитный вариант гибридных схем); G — многоканальные переключатели; Н — высоко­вольтные (28 В) логические схемы; L — аналоговые схемы; LD — аналого-цифровые преобразователи; LH — аналоговые гибридные схемы; LM — аналоговые монолитные схемы. 2. Серийный номер (три или четыре цифры). 3. Диапазон температуры: А — от — 55 °С до +125°С- В от — 20 °С до +85 °С; С — от О °С до +70 °С; D — от — 40 °С до + 85°С. 4. Тип корпуса: А — ТО-99, ТО-100; F — плоский с 14 и 16 вы­водами; J — пластмассовый DIP с 14 и 16 выводами; К — керами­ческий DIP с 14 и 16 выводами; L — плоский с 10 и 14 выводами; Р — DIP с 14 и 16 выводами; R — DIP с 28 выводами; N — пласт­массовый типа мини-DIP. Фирма Silicon General Пример обозначения: SG 108 AT 1. Фирменное буквенное обозначение: SG 2. Серийный номер. 3. Характеристика: А — улучшенный вариант; С — ограничен­ный температурный диапазон. 4. Тип корпуса: F — плоский; J — DIP (Cerdip) с 14 и 16 выво­дами; К — типа ТО-3; М — пластмассовый DIP с 8 выводами; N — пластмассовый DIP с 14, 16 выводами; Р — типа ТО-220 пластмас­совый; R — типа ТО-66 (3 и 8 выводов); Т — типа ТО-5 (ТО-39 ТО-99, ТО-100, ТО-101); Y — керамический DIP (Cerdip) с 8 выво­дами. Фирма Sprague Electric Пример обозначения: UL N 2004 А 1. Фирменное буквенное обозначение: UC — серии КМОП, PL; U.D — цифровые формирователи; UG — с датчиками Холла; UL — аналоговые схемы; UH — интерфейсные. 2. Диапазон температуры: N — от — 25 С С до +70 °С- S — от — 55 °С до +125°С. 3. Серийный номер. 4. Тип корпуса: А — пластмассовый типа DIP; В — пластмассо­вый типа DIP с теплоотводом; С — бескорпусная ИМС; D — ТО-99; Е — пластмассовый DIP с 8 выводами; F — ТО-86 или с 30 вывода­ми плоский; J — TO-87; К — ТО-100; М — пластмассовый DIP с 8 выводами; N — пластмассовый с 4-рядным расположением выво­дов; R — керамический DIP с 8 выводами; S — с однорядным рас­положением выводов SIP с 4 выводами; Т — SIP с 3 выводами- Y — ТО-92; Z — типа ТО-220 с 5 выводами. Для серии UH : 2 — тип корпуса (С — плоский; К — бескорпус­ная ИМС; D — типа DIP; Р — пластмассовый типа DIP). Фирма Solitron Пример обозначения: СМ 4000 A D 1. Фирменное буквенное обозначение: СМ — КМОП; UC4XXX — аналоговые схемы; UC6XXX, UC7XXX — запоминающие устройства (р-МОП-схемы). 2. Серийный номер. 3. Рабочее напряжение: А — (3 — 15) В; В — (3 — 18) В. 4. Тип корпуса и диапазон температуры: а) для КМОП-схем; D — керамический типа DIP, от — 55 °С до + 125°С; Е — пластмассовый типа DIP, от — 40°С до +85°С- F — керамический типа DIP, от — 55 °С до +85 °С; Н — бескорпусная ИМС; К — плоский, от — 55 °С до +85 °С; б) для аналоговых схем: без буквы — ТО-99, от — 55 °С до 125 °С; С — ТО-99, от О °С до +70 °С; СЕ — мини-DIP с 8 выводами, от О °С до +70 °С; ID — бескорпусная ИМС. Фирма Texas Instruments Примеры обозначения: SN 74 S 188 J; IMS 4030 - 15 J L 1. Фирменное буквенное обозначение: SBP — биполярные мик­ропроцессоры; SN — стандартные типы ИМС; SNA, SNC, SNH, SNM — повышенной надежности; ТВР — биполярные запоминающие устройства; TL — аналоговые схемы; TMS — МОП-схемы (запоми­нающие устройства; микропроцессоры); ТМ — модули микро-ЭВМ. 2. Диапазон температуры: серии 52, 54, 55, ТР — от — 55 °С до +125 °С; серии 72, 74, 75 — от О °С до +70 °С; серия 62 — от — 25 °С до +85 °С; для биполярных схем: С — от 0°С до +70°С; I — от — 25 °С до +85 °С; Е — от — 40 °С до +85 °С; М — от — 55 °С до + 125°С; для МОП-схем (TMS): L — от 0°С до +70°С; С — от — 25 °С до + 85°С; R — от — 55 °С до +85 °С; М — от — 55 °С до + 125°С. 3. Классификация для ТТЛ-схем: Н — быстродействующие, L — маломощные; LS — маломощные с диодами Шоттки; S — с дио­дами Шоттки. 4. Серийный номер. 5. Тип корпуса: FA — плоский; J — плоский керамический; JA, JB, JP — с двухрядным расположением выводов типа (DIP); L, LA — металлический; N — пластмассовый; ND, Р — пластмассовый типа DIP; RA, U, W — плоский керамический; SB — плоский метал­лический; Т — плоский металлостеклянный. 6. Только для быстродействующих МОП-схем в обозначении дополнительно указывается быстродействие: 15 — <150 не; 20 — < <200 не; 25 — <250 не; 35 — <350 не. Фирма Toshiba Пример обозначения: ТА 7173А Р Т 2 Т 1. Фирменное буквенное обозначение: ТА — биполярные ли­нейные (аналоговые) схемы; ТС — КМОП-схемы; TD — биполярные цифровые схемы; ТМ — МОП-схемы. 2. Серийный номер и вариант прибора (А — улучшенный). 3. Тип корпуса: С — керамический; М — металлический; Р — пластмассовый. Фирма TRW Пример обозначения: TDC 1016 J M 1. Фирменное буквенное обозначение: MPY — умножители; TDC — все другие функции. 2. Серийный номер. 3. Тип корпуса: J — керамический типа DIP; N — пластмассо­вый типа DIP. 4. Диапазон температуры: М — от — 55 °С до +125°С; без обо­значения — от О °С до +70 °С. В табл. 1.1 приведены буквенные обозначения ИМС, выпускае­мых различными фирмами. Таблица 1.1. Буквенные обозначения ИМС различных фирм Буквенное обозна­чение Фирма Буквенное обозна­чение Фирма AD Analog Devices HS Harris ADC Datel Systems (DS) HT Harris ADX National Sem. Corp. IB Intel (NSC) 1C Intel AF NSC ICL Intersil АН NSC ICM Intersil AM Advanced Micro De- ID Intel vices IDM NSC AN Matsushita IH Intersil AY General Instrument IM Intel, Intersil, NSC (GI) IMP NSC BUF Precision Monolithics INS NSC Inc. (PMI) IP Intel CA RCA IPC NSC CD RCA; NSC ISP NSC CDP RCA ITT ITT CF Harris IX Intel CM Solitron J Matsushita CMP PMI L Siliconix, SGS-Ates CP GI LA Sanyo CU GI LB Sanyo D Intersil; Siliconix LC Sanyo; GI DAC DS; PMI LD Siliconix DAS DS LE Sanyo DAX NSC LF NSC DF Siliconix LFT NSC DG Intersil; Siliconix LG GI DGM Siliconix LH NSC; Raytheon; Sili- DH NSC conix DL GI LM NSC; Raytheon; Sa- DM NSC ny; Siliconix; Signe- DN Matsushita tics DP NSC M Mitsubishi; Matsushita DS GI; NSC MAA ITT ER GI MAT PMI ESM Sescosem (Thomson) MB Intel; Fujitsu F Fairchild MC Motorola; Intel G Siliconix MCB Motorola H Siliconix MCBC Motorola HA Harris; Hitachi MCC Motorola HC Harris MCCF Motorola HD Harris; Hitachi MCE Motorola HI Harris MCM Motorola HM Harris; Hitachi MD Intel HN Hitachi MEM GI HPROM Harris MH NSC HRAM Harris MIC ITT HROM Harris MK Mostek ML Plessey SM NSC MLM Motorola SMP PMI ММ Intel, NSC SN TI; Monolithic Memo- MN Matsushita rices МР Intel; Plessey SNA TI мт Plessey SNC TI мих PMI SNH TI MV Datel Systems (DS) SNM TI MX DS; American Micro* SP American Microsys- systems; Intel tems; Plessey MW RCA ss GI N Signetics sss PMI NC GI STK Sanyo NE Signetics su Signetics NH NSC sw PMI NOM Plessey ТА Toshiba; RCA OP PMI TAA ITT; Siemens; Valvo; PAL Monolithic Memories Telefunken PC GI TBA ITT; Siemens; Valvo; PIC GI Telefunken PM PMI TBB Siemens R Raytheon TBC Siemens RA GI TBP TI RC Raytheon TC Toshiba REF PMI TCA ITT; Siemens; Valvo; RM Raytheon Telefunken RO GI TD Toshiba RV Raytheon TDA ITT; Siemens; Telefunken S American Microsystems; Signetics TDB Sescosem; Siemens SA Signetics TDC TRW; Siemens SAB Telefunken TL TI; Telefunken SAK ITT; Valvo TM Toshiba SAJ ITT TMS TI SAS Telefunken и Telefunken SAY ITT UAA Telefunken SBA GI UCN Spraque SBP Texas Instruments ucs Spraque (TI) UC4 Solitron SD NSC UC6 Solitron SDA Siemens UC7 Solitron SE Signetics UDN Spraque SFC Sescosem UDS Spraque SFF Sescosem UGN Spraque SG Silicon General UL American Microsys- SH Fairchild tems SHM DS ULN Spraque SL Plessey; GI; NSC ULS Spraque м А Fairchild VF DS м РА NEC XR Exar Integr. Systems м PB NEC ZN Ferranti м РС NEC ZSS Ferranti м PD NEC ZST Ferranti РАЗДЕЛ ВТОРОЙ АНАЛОГОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ 2.1. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ Операционные усилители (ОУ) благодаря своей универсально­сти и возможности многофункционального использования нашли широкое применение в радиоаппаратуре. Они представляют собой специальные усилители постоянного тока. Операционные усилители делятся на усилители с одним входом (инверсным, например НА2530) или с двумя входами (инверсным и неинверсным), т.е. дифференциальные. По способу компенсации дрейфа нуля различают ОУ с параметрической компенсацией дрейфа (с непосредственными связями без преобразования сигнала); с преобразованием сигнала; автоматической коррекцией дрейфа нуля. В усилителях с непосред­ственными связями компенсация дрейфа нуля осуществляется путем построения входных каскадов по симметричной балансной или диф­ференциальной схеме. В усилителях с преобразованием сигнала для усиления постоянной составляющей используется усилитель типа МДМ (с модуляцией, усилением на несущей и последующей демо­дуляцией), например НА2905, АМ490 и др. Усилители с автомати­ческой коррекцией дрейфа нуля (с автокомпенсацией) подразделя­ются на усилители с периодической и непрерывной коррекцией дрейфа нуля. Последние включают два усилителя, работающие по­переменно: один обеспечивает усиление входного сигнала, другой осуществляет автоматическую подстройку нуля (например, ICL7600). Более широкое распространение получили ОУ без преобразования сигнала с входными каскадами по дифференциальной схеме, обла­дающие высокой помехозащищенностью по цепям питания. Кроме того, наличие неинверсного входа делает их более универсальными и расширяет их эксплуатационные возможности. Реализация широ­кой полосы пропускания достигается легче у усилителей с одним (несимметричным) входом. Усилители с преобразованием сигнала применяются в случаях, когда необходим минимальный дрейф нуля. Однако быстродействие у них невысокое. Если усилители без пре образования сигнала не удовлетворяют требованиям в отношении дрейфа нуля, а применение усилителей типа МДМ нежелательно, могут использоваться усилители с автокомпенсацией (автокоррекци­ей) нуля, но они имеют также невысокое быстродействие. Обеспе­чение устойчивости ОУ при работе с обратной связью достигается с помощью цепей частотной коррекции как внешних, так и внутрен­них. Например, внутренняя частотная коррекция осуществляется созданием МОП-конденсатора емкостью 30 — 100 пФ, присоединенно­го к соответствующим точкам схемы. Таблица 2.1. Операционные усилители Тип Uип, B UCM , мВ Д U см/ ДТ, мкВ/°С Iвх , НА ДIвх , нА 1 <7 VU вых , В/мкс Kос.сф, дБ Kвл.и.п- ДБ*; K вл.и.п- МКВ/В Uш.н, нВ/VГц; Uш.эф, МКВ Rвх , Ом tуст , мкс Iпотр, МА Р потр, МВТ f1 , МГц Тип корпуса Дополни­тельные сведения A109D AD504J ±18 ± (5 — 18) <7,5 <2,5 <25 <5 <1500 <200 <500 <40 >15.103 >250 103 0,1 >65 >94 <200 40 8 >50-103 0,5-106 - <200* <4 0,3 ТО-99 ТО-99 Малошумя­щий AD504K AD504L AD504M ± (5-18) ± (5 — 18) ± (5-18) <1,5 <0,5 <0,5 <3 <1 <0,5 <100 <80 <80 <15 <10 <10 >500-103 >106 > 106 0,12 0,12 0,12 >100 >110 >110 <25 <15 <15 8 8 <9 106 1.3-106 1,3 -10е - <3 <3 <3 0,3 0,3 0,3 ТО-99 ТО-99 ТО- 100 Быстродей- ствующий AD505J AD505K AD507J AD507K AD509J AD509K ± (5 — 18) ± (5 — 18) ± (5 — 20) ± (5 — 20) ± (5 — 20) ± (5 — 20) <5 <2,5 <5 <3 <10 <8 15 <15 15 15 20 <30 <75 <25 <25 <15 <250 <200 <25 <15 <50 <25 >100- 103 >200 103 >80 103 >100-103 >7,5.103 >10-10з >120 >120 >20 >20 >80 >100 >74 >80 >74 >80 <S200 <100 <200 <100 10* 10* 12 12 2.10е 2-103 >40-106 >40.106 >40 10s >50-10в 0,8 0,8 0,9 0,9 0,2 <0,5 <в <8 <4 <4 <6 <6 10 10 35 35 20 20 ТО.100 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 Широко­полосный Быстродей­ствующий > AD512K ± (5 — 18) <ёЗ <20 <200 <50 >50-103 0,5 >80 <100 10е <3,3 1 ТО-99 C внутренней компенсацией AD517J ± (5-18) <0,15 <3 <5 <1 106 0,1 >94 <40 20 2.10й — <4 0,25 ТО.99 Прецизион-ный С внутрен- AD517K ± (5 — 18) <0,05 <1 <2 <0,75 10е 0,1 >110 <15 20 2.1011 <3 0,25 ТО-99 ней компен­сацией AD517L ± (5-18) <0,025 <0,5 <1 <0,25 106 0,1 >110 <15 20 2.1011 <3 0,25 ТО-99 прецезисион- ный AD517S AD518J =t (5-22) ± (5 — 20) <0,05 <10 <1 10 <2 <500 <0,75 <200 Ю1 >25-103 0,1 >50 >110 >65 <20 >70* 20 2-1011 >5-l05 0,8 <3 <10 0,25 12 ТО-99 ТО-99 С внутренней компенсацией Прецизионный Быстродейст­вующий, с AD516K AD518S + (5 — 20) ± (5-20) <4 <4 <10 <10 <200 <200 <50 <50 >50-103 >50 103 >50 >50 >70 >70 >80* >80* — >5.10s >5-105 0,8 0,8 <7 <7 >10 >10 ТО-99 ТО-99 внутренней компенсацией Прецизионный С внутренней AD542J ± (5-18) <2 <20 <0,05 <0,005 >50-103 3 >76 <200 30 1010 — <1,5 1 ТО-99 компенсацией Прецизионный AD542K AD542L AD542S AD544J AD544K AD544L ADX118 ± (5-18) ± (5 — 18) ± (5 — 18) ± (5 — 18) ± (5 — 18) + (5-18) ±20 <1 <0,5 <1 <2 <1 <0,5 <10 <10 <5 <15 <20 <10 <5 <0,025 <0,025 <U, 025 <O.U5 <0,025 <0,025 <500 0,002 0,002 0,002 0,005 0,002 0,002 <200 >150-103 >150-103 >150-103 >30-103 >50-103 >50-103 >25 103 3 3 3 >5 >7,5 >10 >50 >80 >80 >80 >74 >80 >80 >70 <100 <100 <100 <200 <100 <100 >65* 30 30 30 18 18 18 10Ш 101 > 1010 1010 1010 1010 >5-105 3 3 3 <1,5 <1,5 <1,5 <2,5 <2,5 <2,5 <10 1 1 1 2 2 2 15 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 ТО-99 CN1 BIFET > > Прецизионный > Быстродей­ствующий с внутренней ADX218 ADX318 АМ405-2 ±20 -4-20 ±15 <4 <4 <60 50 <250 <250 <0,02 <50 <50 <0,02 >50-Юз >50-10з >7,5-103 >50 >50 120 >80 >80 >70 >70* >70* 10* >10в >103 1012 0,40 <8 <8 <8 15 15 20 CN1 CN1 ТО-99 компенсацией То же > Быстродей- АМ406-2 АМ450-2 АМ452-2 АМ460-2 АМ462-1 АМ462-2 АМ464-2 АМ490-2А ±15 ±15 ±15 + 15 + 15 + 15 + (10-40) + (Г2-20) <60