Нормативный срок освоения программы 4 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 21. 12. 2009 №745, зарегистрирован в Министерстве юстиции РФ 03. 02. 2010 №16217 Санкт-Петербург Министерство образования и науки Российской Федерации Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования сАНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Согласовано Сопредседатель УМС по направлению 223200 А.Э. Фотиади (подпись) (ФИО) "____" ________ 2010 г. Вариативная часть Примерной оСНОВНой образовательной программы высшего профессионального образования по направлению 223200 «Техническая физика» профиль 4 «Физика и техника полупроводников» Квалификация выпускника бакалавр Форма обучения очная . Нормативный срок освоения программы 4 года ФГОС ВПО утвержден приказом Минобрнауки России от 21.12.2009 № 745, зарегистрирован в Министерстве юстиции РФ 03.02.2010 №16217 Санкт-Петербург 2010 Содержание Введение. 3 1.1 Вариативная часть примерного учебного плана подготовки бакалавра по направлению 223200 «Техническая физика», профиль: «Физика и техника полупроводников». 4 1.2 Компетентностные требования к результатам освоения вариативной части основной образовательной программы (ООП) подготовки бакалавров. 8 1.2.1 Структура, содержание и коды формируемых компетенций. 8 1.2.2 Общекультурные компетенции. 8 1.2.3 Общепрофессиональные компетенции. 8 1.2.4 Компетенции в области научно-исследовательской деятельности. 9 1.2.5 Компетенции в области производственно-технологической деятельности. 9 1.2.6 Компетенции в области проектно-конструкторской деятельности. 9 1.2.7 Компетенции в области организационно-управленческой деятельности. 10 1.2.8 Компетенции в области научно-педагогической деятельности. 10 1.2.9 Компетенции в области научно-инновационной деятельности. 10 1.3 Аннотации примерных программ учебных дисциплин вариативной части профессионального цикла профиля. 11 1.3.01 Дисциплина Б3.В.01 Микросхемотехника. 11 1.3.02 Дисциплина Б3.В.02 Физика твердого тела и полупроводников. 13 1.3.03 Дисциплина Б3.В.03 Оптические материалы и технологии. 15 1.3.04 Дисциплина Б3.В.04 Теория оптико-электронных приборов. 17 1.3.05 Дисциплина Б3.В.05 Квантово-размерные системы.. 19 1.3.06 Дисциплина Б3.В.06 Квантовая и оптическая электроника. 21 1.3.07 Дисциплина Б3.В.07 Микро-и оптоэлектроника. 23 1.3.08 Дисциплина Б3.В.08 Введение в специальность. 25 1.3.09 Дисциплина Б3.В.09 Основы менеджмента наукоемких производств. 27 1.3.10 Дисциплины по выбору обучающихся. 29 1.3.10.01 Семинарские занятия. 29 1.3.10.02 Лекционные курсы.. 30 1.3.10.03 Научно-исследовательская работа в лаборатории. 30 Введение Вариант ПООП разработан для одного из профилей («Физика и техника полупроводников»), который реализуется на кафедре Физики полупроводников и наноэлектроники Радиофизического факультета ГОУ ВПО СПбГПУ. Приведенный набор дисциплин вариативной части всех циклов и дополнительные компетенции по данному профилю не являются обязательными и могут изменяться в ООП вуза в соответствии со специализацией подготовки выпускников в области физики и техники полупроводников. При этом рекомендуется сохранить в ООП объем и распределение по семестрам указанных дисциплин. 1.1 Вариативная часть примерного учебного плана подготовки бакалавра по направлению 223200 «Техническая физика», профиль: «Физика и техника полупровлдников» В приведенном плане указана суммарная трудоемкость всех дисциплин базовой и вариативной части циклов Б.1-Б.3 в зачетных единицах и в академических часах, а также рекомендуемое распределение этих дисциплин по семестрам. Пересчет академических часов в зачетные единицы проводился по следующей методике: 1. одна зачетная единица эквивалентна (в среднем по плану) 36 академическим часам. В результате округления до целого это соотношение для разных дисциплин (за исключением физической культуры) может меняться от 34 до 38 часов; 2. текущая и промежуточная аттестация, зачет по дисциплине и курсовые проекты (работы) рассматриваются как вид учебной работы по дисциплине и входят в общую трудоемкость дисциплины; каждый экзамен по дисциплине увеличивает ее трудоемкость примерно на 1 зачетную единицу; Дисциплины «по выбору студента» являются обязательными, а факультативные дисциплины, предусматриваемые учебным планом вуза, не являются обязательными для изучения студентом и их трудоемкость не оценивается в зачетных единицах. № п/п Наименование дисциплин (в том числе практик) Трудоемкость Примерное распределение по семестрам Зачетные единицы Академические часы 1-й семестр 2-й семестр 3-й семестр 4-й семестр 5-й семестр 6-й семестр 7-й семестр 8-й семестр Форма итогового контроля Примечание Количество недель 18 17 18 17 18 17 18 13 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 Б.1 Гуманитарный, социальный и экономический цикл 30 1013 Б1.Б Базовая часть 15 524 + + + + + + Б1.В Вариативная часть, в т.ч. дисциплины по выбору студента 15 524 Б1.В.01 Семинар на иностранном языке 7 246 + + + + З Б1.В.02 Экономика 3 90 + З КПр Дисциплины по выбору студента 5 188 Б1.В.03 1 Психология и педагогика 2. Русский язык и культура речи 1 51 + З Б1.В.04 1. Правоведение 2. Социология 2 72 + З Б1.В.05 1. Культурология 2. Политология 2 65 + З Б.2 Математический и естественнонаучный цикл 77 2569 Базовая часть 39 1225 Вариативная часть, в т.ч. дисциплины по выбору студента 38 1344 Б2.В.01 Практикум по математике 9 314 + + + + З Б2.В.02 Практикум по информационным технологиям 3 90 + З Б2.В.03 Физический практикум 11 386 + + + З Б2.В.04 Практикум по химии и экологии 3 108 + З Б2.В.05 Теория вероятностей и математическая статистика 3 90 + З Дисциплины по выбору студента 9 356 Б2.В.06 Семинары по технической физике: 1. Семинар по физике наноразмерных структур. 2. Семинар по физике источников и приемников излучения 3. Семинар по физическим основам наноэлектроники 4. Семинар по фотонике 3 124 + + З Б2.В.07 Дополнительные главы информатики: 1. Теория вычислительных систем. 2. Объектно-ориентированное программирование. 2 72 + З Б2.В.08 Дополнительные главы физики : 1 – конденсированного состояния; 2 – наноразмерных структур; 3 – полупроводниковых гетероструктур. 4 160 + + З Б.3 Профессиональный цикл 106 3324 Базовая часть 53 1673 Вариативная часть, в т.ч. дисциплины по выбору студента 53 1651 Б3.В.01 Микросхемотехника 5 136 + Э Б3.В.02 Физика твердого тела и полупроводников 10 297 + + Э,З Б3.В.03 Оптические материалы и технологии 13 360 + + Э,З Б3.В.04 Теория оптико-электронных приборов 3 72 + Э Б3.В.05 Квантово-размерные системы 2 65 + Э Б3.В.06 Квантовая и оптическая электроника 2 78 + Э Б3.В.07 Микро-и оптоэлектроника 2 78 + Э,З Б3.В.08 Введение в специальность 3 88 + + З Б3.В.09 Основы менеджмента наукоемких производств 2 78 + З Дисциплины по выбору студента 11 399 Б3.В10 Научная работа в лаборатории 1. физики горячих носителей; 2. микро и наноэлектроники; 3. внутреннего фотоэффекта; 4. высокотемпературной сверхпроводимости; 5. органической электроники. 8 297 + + З Б3.В.11 Семинары по физике и технике полупроводников: 1. семинар по физике горячих носителей; 2. семинар по микро и наноэлектронике; 3. семинар по физике полупроводниковых гетероструктур; 4. семинар по высокотемпературной сверхпроводимости; . 4 126 + З Б3.В.12 Специальные дисциплины 1. Физика сверхпроводников; 2. Приборы и методы наноэлектроники 3 102 + З 1.2 Компетентностные требования к результатам освоения вариативной части основной образовательной программы (ООП) подготовки бакалавров 1.2.1 Структура, содержание и коды формируемых компетенций Данная ПООП формулирует общекультурные, общепрофессиональные и профессиональные (по видам деятельности) требования к компетенциям выпускника, включающие требования, определяемые ФГОС ВПО по направлению подготовки 223200 «Техническая физика», а также дополнительные требования, сформированные разработчиком с учетом профиля подготовки. При этом в ПООП используются следующие сокращения: ОК - общекультурные компетенции по ФГОС ВПО; ДОК – дополнительные общекультурные компетенции, определяемые вузом; ПК – профессиональные компетенции по ФГОС ВПО; ДПК – дополнительные профессиональные компетенции, определяемые вузом 1.2.2 Общекультурные компетенции Таблица 1.1 Общекультурные компетенции Коды общекультурных компетенций Дополнительные требования к общекультурным компетенциям (ДОК-1) Выпускник готов уважительно и бережно относиться к историческому на­следию и культурным традициям России, толерантно воспринимать соци­альные и культурные различия и особенности других стран (ДОК-2 Выпускник владеет приемами рационализации жизнедеятельности, ориен­тированными на снижение антропогенного воздействия на природную среду и обеспечение безопасности личности и общества (ДОК-3) Выпускник готов использовать в личной жизни и профессиональной дея­тельности этические и правовые нормы, регулирующие межличностные отношения и отношение к обществу, окружающей среде, основные зако­номерности и нормы социального поведения, права и свободы человека и гражданина (ДОК-4) Выпускник способен проявлять свои дарования, осмысливать и развивать свои жизненные планы интеллектуального, культурного, нравственного, физического и профессионального саморазвития и самосовершенствования 1.2.3 Общепрофессиональные компетенции Таблица 1.2 Общепрофессиональные компетенции Коды компетенций Дополнительные требования к общепрофессиональным компетенциям (ДПК-1) Выпускник готов и способен учитывать тенденции развития современной физики и техники полупроводников в своей профессиональной деятельности. (ДПК-2) Выпускник готов и способен использовать фундаментальные законы физики твердого тела и полупроводников, физики полупроводниковых гетероструктур и физики структур пониженной размерности в профессиональной деятельности (ДПК-3) Выпускник способен собирать, обрабатывать, анализировать и систематизировать научно-техническую информацию по тематике исследования, использовать достижения отечественной и зарубежной науки, техники и технологии в области физики и техники полупроводников 1.2.4 Компетенции в области научно-исследовательской деятельности Таблица 1.3 Компетенции в области научно-исследовательской деятельности Коды компетенций Дополнительные требования к профессиональным компетенциям (ДПК-4) Выпускник способен строить простейшие физические и математические модели приборов, схем, устройств и установок полупроводниковой электроники различного функционального назначения, а также использовать стандартные программные средства их компьютерного моделирования (ДПК-5) Выпускник способен аргументировано выбирать и реализовывать на практике эффективную методику экспериментального исследования параметров и характеристик приборов, схем, устройств и установок полупроводниковой электроники различного функционального назначения (ДПК-6) Выпускник готов анализировать и систематизировать результаты исследований, готовить и представлять материалы в виде научных отчетов, публикаций, презентаций 1.2.5 Компетенции в области производственно-технологической деятельности Таблица 1.4 Компетенции в области производственно-технологической деятельности Коды компетенций Дополнительные требования к профессиональным компетенциям (ДПК-7) Выпускник способен выполнять работы по технологической подготовке производства материалов и изделий микро – и наноэлектроники (ДПК-8) Выпускник готов организовывать метрологическое обеспечение производства материалов и изделий полупроводниковой промышленности (ДПК-9) Выпускник способен осуществлять контроль соблюдения экологической безопасности 1.2.6 Компетенции в области проектно-конструкторской деятельности Таблица 1.5 Компетенции в области проектно-конструкторской деятельности по ФГОС ВПО Коды компетенций Дополнительные требования к профессиональным компетенциям (ДПК-10) Выпускник способен проводить предварительное технико-экономическое обоснование проектов (ДПК-11) Выпускник готов выполнять расчет и проектирование электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения в соответствии с техническим заданием с использованием средств автоматизации проектирования (ДПК-12) Выпускник способен разрабатывать проектную и техническую документацию, оформлять законченные проектно-конструкторские работы (ДПК-13) Выпускник готов осуществлять контроль соответствия разрабатываемых проектов и технической документации стандартам, техническим условиям и другим нормативным документам 1.2.7 Компетенции в области организационно-управленческой деятельности Таблица 1.6 Компетенции в области организационно-управленческой деятельности по ФГОС ВПО Коды компетенций Дополнительные требования к профессиональным компетенциям (ДПК-14) Выпускник готов участвовать в разработке организационно-технической документации (графиков работ, инструкций, планов, смет и т.п.) и установленной отчетности по утвержденным формам (ДПК-15) Выпускник умеет выполнять задания в области сертификации технических средств, систем, процессов, оборудования и материалов (ДПК-16) Выпускник владеет методами профилактики производственного травматизма, профессиональных заболеваний, предотвращения экологических нарушений 1.2.8 Компетенции в области научно-педагогической деятельности Таблица 1.7 Компетенции в области научно-педагогической деятельности по ФГОС ВПО Коды компетенций Дополнительные требования к профессиональным компетенциям 1.2.9 Компетенции в области научно-инновационной деятельности Таблица 1.8 Компетенции в области научно-инновационной деятельности по ФГОС ВПО Коды компетенций Дополнительные требования к профессиональным компетенциям (ДПК-17) Выпускник умеет внедрять результаты исследований и разработок и организовывать защиту прав на объекты интеллектуальной собственности 1.3 Аннотации примерных программ учебных дисциплин вариативной части профессионального цикла профиля 1.3.01 Дисциплина Б3.В.01 Микросхемотехника Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 5 зач. ед. (136 часов) 1. Цели изучения дисциплины Главная цель данного курса - ознакомить студентов с современными микроэлектронными устройствами, подготовить их к самостоятельному проектированию электронных схем, необходимых в научно-исследовательской работе, к дальнейшему углублению и расширению научно-технического образования с помощью специальной литературы. 2. Место дисциплины в учебном плане Дисциплина Б3.В.01 «Микросхемотехника» изучается в четвертом семестре и опирается на знания, приобретенные при изучении предшествующих дисциплин: Б2.Б.03 «Физика», Б2.Б.01 «Математика», Б3.Б.07.02 «Электронные приборы». Б3.Б.07.03 «Радиотехнические цепи и сигналы». Полученные знания и навыки закрепляются и углубляются в ходе изучения последующих дисциплин: Б3.В.02 «Физика твердого тела и полупроводников», Б3.В.06 «Квантовая и оптическая электроника», Б3.В.07 «Микро- и оптоэлектроника», Б3.Б.08. «Метрология и физико-технические измерения» а также в процессе самостоятельной научно-исследовательской работы студентов (Б3.В.10). В результате изучения дисциплины студенты должны знать основные свойства и методы анализа и расчета линейных и нелинейных электрических цепей, основы схемотехники и микросхемотехники, способы построения и принцип действия электронных устройств. 3. Основные дидактические единицы (разделы) Разделы программы Лекции Практич. занятия Самост. работа 1. Введение 4 2 2 2. Транзисторы и схемы на их основе 6 6 3. Основы цифровой схемотехники 5 2 10 4. Последовательностные схемы 8 4 10 5. Микросхемы памяти 4 4 4 6. Программируемые микросхемы. 6 2 10 7. Синтезируемые элементы аналоговой схемотехники 12 1 16 8. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи 6 2 10 Итого В том числе с элементами НИРС – 34 часа 51 17 68 Трудоемкость дисциплины 136 В результате изучения дисциплины студенты должны: знать: - активные и пассивные элементы полупроводниковых микросхем; - физическую структуру, топологию и электрические параметры элементов; - основные параметры и характеристики ИС; - основы цифровой схемотехники уметь: - использовать полученные знания в своей учебной и профессиональной деятельности; владеть: - навыками построения различных устройств на основе цифровых и аналоговых микросхем, в том числе с использованием современного программного обеспечения; иметь представление - о роли микросхемотехники в современной науке, технике и технологии; - об истории ее возникновения, развития и выдающихся ученых; - о возможных применениях в различных областях науки и о прогнозировании научно-технического прогресса. 4. Объем дисциплины по видам учебной работы и формы контроля Виды занятий и формы контроля Объем по семестрам Лекции, ч/нед 3 Практические занятия, ч.нед 1 Самостоятельные занятия, ч/нед 4 Экзамены, шт/сем 1 Общая трудоемкость дисциплины составляет 136 часов. 1.3.02 Дисциплина Б3.В.02 Физика твердого тела и полупроводников Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 8 зач. ед. (297 часов) 1 Цели и задачи изучения дисциплины Целью дисциплины является обеспечение фундаментальных знаний и навыков в области физики твёрдого тела и физики полупроводников. 2. Место дисциплины в рабочем учебном плане Дисциплина Б3.В.02 «Физика твердого тела и полупроводников» является дисциплиной вариативной части профессионального цикла ФГОС ВПО по профилю «Физика и техника полупроводников» направления подготовки бакалавров «Техническая физика» и изучается в двух семестрах. Дисциплина опирается на знания, полученные при изучении предшествующих курсов «Физика», «Математика» и параллельно читаемые курсы «Квантовая механика», «Методы математической физики». Знания, умения и навыки, приобретенные в результате изучения дисциплины, закрепляются и углубляются в ходе изучения последующих специальных дисциплин Б3.В.05 «Квантово-размерные системы», Б3.В.06 «Квантовая и оптическая электроника» и Б3.В.07 «Микро- и оптоэлектроника», а также необходимы для самостоятельной научно-исследовательской работы, для подготовки выпускной работы, для быстрой адаптации в первичной должности выпускника, работающего в области современных наукоемких технологий, и для его дальнейшего профессионального роста. № Разделы дисциплины по РПД Объем занятий, час Л ПЗ СР 1 Структура и симметрия идеальных и реальных кристаллов 10 5 5 2 Основные типы дефектов кристаллической структуры 10 5 5 3 Дифракция в кристаллах и обратная решетка 6 4 6 4 Упругие колебания в кристаллах, оптические и акустические фононы 6 2 4 5 Тепловые свойства кристаллов 6 3 2 6 Модель свободных электронов 6 3 2 7 Основы зонной теории, классификация твердых тел 8 4 2 8 Статистика электронов 6 4 4 9 Диэлектрические и магнитные свойства, ферромагнетизм; сегнетоэлектрики. 6 2 3 10 Оптические свойства; 6 3 3 11 Сверхпроводимость 6 3 3 12 Собственная и примесная проводимость полупроводников; основные полупроводниковые материалы 4 2 2 13 Некристаллические полупроводники 8 4 2 14 Диффузия и дрейф носителей 8 3 3 15 Генерация и рекомбинация 6 3 5 16 Контактные явления 6 3 7 17 Электронно-дырочный переход; гетеропереходы 8 4 6 18 Поверхностные электронные состояния; эффект поля 6 3 7 19 Фотоэлектрические и акустоэлектронные явления 6 4 5 20 Оптика полупроводников 6 3 5 21 Сильно легированные полупроводники 6 3 3 Общая трудоемкость 297 час. 140 70 87 В результате изучения дисциплины студенты должны: Знать: - основные физические явления в твердом теле, их теоретическое истолкование, применения в технике и практике научно-исследовательской работы; - основы метрологии, методологии наблюдений и экспериментального исследования явлений в твердых телах и определения их физических параметров; - физическую сущности процессов, протекающих в проводящих, полупроводниковых, диэлектрических, магнитных материалах и в структурах, созданных на основе этих материалов, в том числе и при воздействии внешних полей и изменении температуры. Уметь: - выполнять количественные оценки величины эффектов и характеристических параметров с учётом особенностей кристаллической структуры, электронного и фононного спектров, типа и концентрации легирующих примесей; - самостоятельно осваивать и грамотно использовать результатов новых экспериментальных и теоретических исследований в области физики твёрдого тела и полупроводников; - самостоятельно выбирать методы и объекты исследований Владеть: - навыками использования методов количественной оценки основных твердотельных характеристик. Иметь представление: - о современных тенденциях в развитии физики твёрдого тела и полупроводников, приборов и устройств на их основе. 4. Распределение объема учебной дисциплины по видам учебных занятий и формы контроля Виды занятий и формы контроля Объем по семестрам 5-й сем. 6-й сем. Лекции (Л), час/нед. 4 4 Практические занятия (ПЗ), час/нед. 2 2 Самостоятельная работа (СР), час.нед. 2 3 Курсовые работы, шт. - 1 Экзамены, (Э), шт. 1 1 Общая трудоемкость дисциплины составляет по РПД 297 часов. 1.3.03 Дисциплина Б3.В.03 Оптические материалы и технологии. Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 13 зач. ед. (360 часов) 1. Цели и задачи изучения дисциплины Целью изучения дисциплины является формирование у студента профессиональных компетенций в области оптических материалов и технологий, основанных на усвоении современных представлений о теоретических основах материаловедения и общих физико-химических закономерностях технологических процессов, используемых в современной электронике. 2. Место дисциплины в рабочем учебном плане Дисциплина Б3.В.03 «Оптические материалы и технологии» является дисциплиной вариативной части профессионального цикла ФГОС ВПО по профилю «Физика и техника полупроводников» направления подготовки бакалавров «Техническая физика» и изучается в двух семестрах.Дисциплина опирается на знания, полученные при изучении предшествующих курсов «Физика», «Математика», «Химия», «Электронные приборы» и «Физика твердого тела и полупроводников». Знания, умения и навыки, приобретенные в результате изучения дисциплины, закрепляются и углубляются в ходе изучения последующих специальных дисциплин Б3.В.06 «Квантовая и оптическая электроника» и Б3.В.07 «Микро- и оптоэлектроника», а также необходимы для самостоятельной научно-исследовательской работы, для подготовки выпускной работы, для быстрой адаптации в первичной должности выпускника, работающего в области современных наукоемких технологий, и для его дальнейшего профессионального роста. Основные дидактические единицы (разделы) Разделы программы Объемы занятий, часов Лекции Практич. занятия Самост. работа 5 семестр 1.Введение 2.Классификация материалов электронной техники 3.Элементы геометрической кристаллографии 4.Химическая связь в кристаллах 5.Геометрические факторы определяющие структуру кристаллов 6.Основные типы кристаллических структур 7.Проводящие материалы 8.Полупроводниковые материалы 9.Диэлектрические материалы 10.Магнитные материалы 2 5 5 7 8 5 10 10 5 1 2 3 4 4 2 4 4 4 6 1 6 6 8 8 10 10 12 11 12 Итого 54 36 90 7-й семестр 1. Введение 2. Основы теории фазовых равновесий в гетерогенных системах 3. Методы получения полупроводниковых соединений 4. Технология получения материалов высокой чистоты 5. Технология выращивания кристаллов и пленок материалов электронной техники 6. Термодинамика фаз переменного состава. Методы получения соединений с контролируемой концентрацией носителей тока 7. Гетерогенные равновесия в тройных системах 8. Технология керамических и стеклообразных материалов электронной техники 1 7 6 6 7 6 5 6 6 4 9 4 4 4 4 4 3 2 1 10 6 10 12 8 10 10 10 10 Итого 54 36 90 Общая трудоемкость дисциплины 360 В результате изучения дисциплины студенты должны: - Знать основные законы геометрической кристаллографии; операции и элементы симметрии, свойства полупроводниковых и диэлектрических кристаллов, Теорию фазовых равновесий в гетерогенных системах, методы получения полупроводниковых соедмнений, методы получения материалов высокой чистоты, технологию получения полупроводниковых кристаллов и пленок, керамик, материалов в стеклообразной форме - Уметь использовать полученные знания для решения типичных задач технологии и техники полупроводников, для очистки, синтеза и кристаллизации веществ различных классов, использовать аналитические и численные методы, пользуясь современным программным обеспечением. - Владеть навыками проведения расчетов простейших гетерогенных систем. - Иметь представление о роли изучаемых процессов в современной науке, технике и технологии, об истории их исследования и выдающихся ученых, о возможных применениях в различных областях науки (включая проблемы разработки устройств для обеспечения жизнедеятельности и решения экологических задач) и о прогнозировании научно-технического прогресса. 4. Распределение объема учебной дисциплины по видам учебных занятий и формы контроля Виды занятий и формы контроля Объем по семестрам 5-й сем. 7-сем. Лекции (Л), час. 54 54 Практические занятия (ПЗ), час. 36 36 Самостоятельная работа (СР), час. 90 90 Курсовые проекты (КП), шт. 1 - Расчетные задания, шт. - 1 Зачеты, (З), шт. 1 - Экзамены, (Э), шт. 1 Общая трудоемкость дисциплины составляет 360 часов. 1.3.04 Дисциплина Б3.В.04 Теория оптико-электронных приборов Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 3 зач. ед. (72 часа) 1. Цели и задачи изучения дисциплины Целью изучения дисциплины является формирование у студента профессиональных компетенций в области - фундаментальных основ оптико-электронных приборов, необходимых для подготовки бакалавров, способных к исследованию, разработке, использованию и производству оптико-электронных приборов как в научных лабораториях, так и в условиях производства, другой практической деятельности. 2. Место дисциплины в рабочем учебном плане Дисциплина Б3.В.04 «Теория оптико-электронных приборов» является дисциплиной вариативной части профессионального цикла ФГОС ВПО по профилю «Физико и технико полупроводников» направления подготовки бакалавров «Техническая физика» и изучается в седьмом семестре. Дисциплина опирается на знания, полученные при изучении предшествующих курсов «Физика», «Математика», «Математическая физика», «Электродинамика» и «Квантовая механика». Знания, умения и навыки, приобретенные в результате изучения дисциплины, закрепляются и углубляются в ходе изучения последующей дисциплины Б3.В.06 «Квантовая и оптическая электроника» и также необходимы для самостоятельной научно-исследовательской работы, для подготовки выпускной работы, для быстрой адаптации в первичной должности выпускника, работающего в области физики и техники полупроводниковых оптико-электронных приборов и ее приложений, в частности, систем передачи и приема информации. 3. Основные дидактические единицы (разделы) № Разделы дисциплины по РПД Объем занятий, час Л ПЗ СР 1 Основные уравнения теории полупроводниковых приборов 2 2 2 2 Электронные процессы и контактные явления в полупроводниках 8 3 3 3 Энергетические диаграммы полупроводников и полупроводниковых структур 8 4 4 4 Фото- и светодиоды 10 4 4 5 Поверхность полупроводника, полевые приборы 6 3 3 6 Приборы на квантово-размерных эффектах 2 2 2 Общая трудоемкость 72 час 36 18 18 В результате изучения дисциплины студенты должны: знать: - физические основы теории оптико-электронных приборов; - принципы создания и механизмы работы важнейших типов оптико-электронных приборов; уметь: - экспериментально и теоретически оценивать достижимые характеристики основных типов электронных и оптико-электронных ; - оценивать области возможного их применения; владеть: - навыками практического использования и разработки оптико-электронных устройств различного назначения; Иметь представление: - об использовании результатов теоретических разработок оптико-электронных приборов практической деятельности; - об основных научно-технических проблемах и перспективах развития оптико-электронных приборов. 4. Объем дисциплины по видам учебной работы и формы контроля Виды занятий и формы контроля Объем по семестрам 7-й семестр Лекции, ч/нед 2 Практические занятия, ч/нед 1 Самостоятельные занятия, ч/нед 1 Экзамены, шт/сем 1 Общая трудоемкость дисциплины составляет 72 часа. 1.3.05 Дисциплина Б3.В.05 Квантово-размерные системы Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 2 зач. ед. (65 часов) 1. Цели и задачи изучения дисциплины Целью дисциплины является усвоение студентами знаний и навыков в области физики и технологии низкоразмерных систем, понимании основных свойств системы с пониженной размерностью, использующихся как при физических исследованиях, так и при проектировании и создании устройств на основе низкоразмерных структур. Особое внимание уделяется качественному и количественному сравнению различных эффектов, возникающих в объемных материалах и системах с пониженной размерностью. 2. Место дисциплины в учебном плане Дисциплина Б3.В.05 «Квантово-размерные системы» является дисциплиной вариативной части профессионального цикла ФГОС ВПО по профилю «Физическая электроника» направления подготовки бакалавров «Техническая физика» и изучается в седьмом семестре. Дисциплина опирается на знания, полученные при изучении предшествующих курсов «Физика», «Математика», «Математическая физика», «Теоретическая физика», , «Физика твердого тела и полупроводников» и «Теория оптико-электронных приборов». Знания, умения и навыки, приобретенные в результате изучения дисциплины, необходимы для самостоятельной научно-исследовательской работы, для подготовки выпускной работы, для быстрой адаптации в первичной должности выпускника, работающего в области современных наукоемких технологий, и для его дальнейшего профессионального роста.       № Разделы дисциплины по РПД Объем занятий, час Л ПЗ СР 1 Введение 1 0 0 2 Размерное квантование и квантово-размерные структуры 8 2 4 3 Технология квантово-размерных структур 5 2 4 4 Свободные и связанные носители в структурах с пониженной размерностью 6 2