|
|
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- нанесением плёнки на характеристики пленочного
Типовая программа обучения
покрытия и основные электропараметры ГИС»
по направлению
•
Строение кристаллической решетки твердого тела. Элементарная ячейка. Типы эле-
ментарных ячеек. Индексы Миллера. Межплоскостные расстояния. Плотность упаков-
«Инженер-технолог вакуумных
ки. Монокристалл. Поликристаллическое вещество. Аморфное состояние. Точечные и
протяжённые дефекты. Контроль плотности дефектов.
тонкопленочных покрытий
•
Основные требования к подложкам. Прочностные, электрические, по температурным
расширениям; химическая стойкость, газовыделение в вакууме, химическая стойкость
гибридной микроэлектроники»
к агрессивным средам, физическая и химическая стойкость к высоким температурам и
термоциклам, адгезия с наносимым слоем, теплопроводность, полируемость.
Введение
•
Основные материалы подложек: ситалл СТ-38-1, сапфир, поликор, А-995, ГМ, сапфирит,
22-ХС, брокерит, кварц, титалан, алюмооксид, полиимид. Основные характеристики ма-
териалов, специфика применимости.
«Общеинженерная эрудиция»
• Первичные определения и понятия о тонких
3. Топология ГИС
пленках и вакуумных методах и средствах их
нанесения. PVD - процессы нанесения: терми-
«Осознанное проектирование
ческое испарение, ионное распыление. CVD-
топологии в соответствии с
процессы. Типовая структурная схема вакуум-
технико -экономическими
ных установок для PVD- и CVD-процессов.
требованиями»
• Применение вакуумных тонкопленочных
покрытий в гибридных интегральных схе-
• Основные понятия. Примеры топологий.
мах (ГИС). Факторы, определяющие свойства
• Исходные данные для разработки топологии.
тонких пленок.
Технология изготовления, принципиальная
• Маршрут PVD- и CVD- технологических процес-
электрическая схема, принятые способы за-
сов. Ведение технологической документации.
щиты ГИС данной серии.
• Контроль, настройка и корректировка эле-
ментов топологии.
1. Гибридные интегральные схемы. Основные понятия
«Понимание основ функционирования, построения
4. Основные технологические, схемотехнические
и технологии ГИС»
и конструктивные требования и ограничения при
производстве ГИС
• Основные термины и определения. ГИС, элемент, компонент ГИС; корпус, подложка, пла-
та, контактная площадка, разводка, ёмкость, индуктивность, бескорпусная ГИС. Активные
элементы: диоды, диодные матрицы, транзисторы, полупроводниковые ИС.
• Параметры ГИС. Степень интеграции, интегральная плотность ГИС, интегральная плот-
«Понимание влияния конструкторско
ность на подложке.
-технологических решений на качество изделий в
• Классификация и система обозначения ГИС. Серия, первый - пятый элементы обозначения.
соответствии с требуемыми характеристиками и
параметрами»
•
Технологические нормы и ограничения в производстве ГИС.
2. Подложка ГИС
•
Основы определения электрических параметров элементов ГИС
«Понимание влияния характеристик материалов
подложек, состояния их поверхности перед
3
4
|