Главная Учебники - Разные Лекции (разные) - часть 28
МЭИ (ТУ) Филиал в городе Смоленске Кафедра ТОЭ Лабораторная работа Простые цепи синусоидального тока Группа : ОЭС-09 Бригада : № 10 Студент: Бабурченков М. А. Преподаватель: Зезюлькин Г. Г. Смоленск 2010 г. I. Краткое содержание работы В работе исследуются соотношения между синусоидальными напряжениями и токами при последовательном и параллельном соединении резистивных, индуктивных и емкостных элементов цепи. По экспериментальным данным производится определение параметров последовательной и параллельной схем замещения реальных элементов цепи, строятся векторные диаграммы токов и напряжений. Для последовательной резонансной цепи исследуются переменные режимы при изменении индуктивности. Все расчеты и анализ экспериментальных результатов выполняются с использованием символического (комплексного) метода. Работа может выполняться на сильноточном стенде. II. Подготовка к работе 1. U=40B I=0,4A f=80 град а) последовательная схема замещения катушки. Z= z= Комплексное сопротивление Z можно представить в виде Z=zcosf+jzsinf=R+jX R (активное сопротивление) = zcosf = 100cos800
= 17,4 (Ом) X (реактивное сопротивление) = zsinf = 100sin800
= 98,5 (Ом) б) параллельная схема замещения катушки. По определению комплексной проводимости имеем: Комплексную проводимость можно представить в виде: g = ycosf - активная проводимость. b = ysinf - реактивная проводимость. g = 0,01.
cos800
= 0,0017 (См) b = 0,01.
sin800
= 0,0098 (См) По закону Ома: где U = 40 B R = 50 Ом С = 160 мкФ Z = R - z = 54 (Ом) 4. 5. f = 50 Гц I = 1 A R = 40 Ом C = 160.
10-6
Ф I = 1 A U = Ip
= 6. R = 40 Ом C = 160.
10-6
Ф Входное сопротивление цепи на частоте 50 Гц будет чисто активным при резонансе. Условием наступления резонанса в данной схеме является где w0
– резонансная частота. III. Рабочее задание. 1. рис. 1 параметр значение U I f А) последовательная схема замещения. r = z·cosf = x = z·sinf = Б) параллельная схема замещения g = y·cosφ = b = y·sinφ = рис. 2 параметр Измеренное значение Расчетное значение I UC
UR
f 3. рис. 3 параметр Измеренное значение Расчетное значение U I IR
IC
Xl, Ом I, A UR, B
UL, B
UC, B
|