Главная Учебники - Разные Лекции (разные) - часть 55
УПИ – УГТУ Кафедра радиоприёмные устройства.
по дисциплине:
“
Элементная база радиоэлектронной аппаратуры
“
.
Вариант № 17 Шифр: Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс: 3 Работу не высылать.
УПИ – УГТУ Кафедра радиоприёмные устройства.
по дисциплине:
“
Элементная база радиоэлектронной аппаратуры
“
.
Вариант № 17 Шифр: Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс: 3 Работу не высылать.
Аннотация.
Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов. Исходные данные:
Тип транзистора ………………………………………………………………… ГТ310Б
Величина напряжения питания Еп
……………………………………………... 5 В
Сопротивление коллекторной нагрузки R
к
…………………………………… 1,6 кОм
Сопротивление нагрузки R
н
……………………………………………………. 1,8 кОм
Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно- ёмкостной связью с нагрузкой.
Биполярный транзистор ГТ310Б.
Краткая словесная характеристика:
Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p
усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,1 г.. Электрические параметры.
Коэффициент шума при ƒ
= 1,6 МГц,
Uкб
= 5 В,
IЭ
= 1 мА
не более ……………. 3 дБ Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб
= 5 В,
IЭ
= 1 мА,
ƒ
= 50 – 1000 Гц
……………………………….. 60 – 180 Модуль коэффициента передачи тока H21
э
при Uкб
= 5 В,
IЭ
= 5 мА,
ƒ
= 20 МГц
не менее …………………………... 8 Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб
= 5 В,
IЭ
= 5 мА,
ƒ
= 5 МГц
не более ………………………….… 300 пс Входное сопротивление в схеме с общей базой при Uкб
= 5 В,
IЭ
= 1 мА
…………………………………………………… 38 Ом Выходная проводимость в схеме с общей базой при Uкб
= 5 В,
IЭ
= 1 мА,
ƒ
= 50 – 1000 Гц
не более …………………….. 3 мкСм Ёмкость коллектора при Uкб
= 5 В,
ƒ
= 5 МГц
не более ………………………… 4 пФ Предельные эксплуатационные данные.
Постоянное напряжение коллектор- эмиттер: при Rбэ
= 10 кОм
……………….………………………………………… 10 В при Rбэ
= 200 кОм
……………….……………………………………….. 6 В Постоянное напряжение коллектор- база ………………………………………... 12 В Постоянный ток коллектора ……………………………………………………… 10 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 – 308 К
………... 20 мВт Тепловое сопротивление переход- среда ………………………………………... 2 К/мВт Температура перехода ……………………………………………………………. 348 К Температура окружающей среды ………………………………………………... От 233 до 328 К Примечание.
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 – 328 К
определяется по формуле: PК.макс
= ( 348 – Т )/ 2
Входные характеристики.
Для температуры Т = 293 К
:
160
80 40
0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,35 Uбэ
,В
Выходные характеристики.
Для температуры Т = 293 К
: мА
7
1 2 3 4 5 6 Uкэ
,В
Нагрузочная прямая по постоянному току.
Построим нагрузочную прямую по двум точкам: при Iк
= 0,
Uкэ
= Еп
= 9 В,
и при Uкэ
= 0,
Iк
= Еп
/
Rк
= 9 / 1600 = 5,6 мА
мА
А
Iк
0
1
1 2 3 4 5 Uкэ
0
6 7 8 9 Еп
Uкэ
,В
40
Iб0
20 10
0,15 0,17 0,19 0,21 0,23 0,25 0,27 0,29 Uбэ0
0,31 Uбэ
,В
Параметры режима покоя (рабочей точки А
): Iк0
= 3 мА,
Uкэ0
= 4,2 В,
Iб0
= 30 мкА,
Uбэ0
= 0,28 В
Определим
H–параметры в
рабочей точке.
мА
Δ
Iк
0
Δ
Iк
1
1 2 3 4 5 Uкэ
0
6 7 8 9 Еп
Uкэ
,В
Δ
Iб
Iб0
10
0,15 0,17 0,19 0,21 0,23 0,25 0,27 0,29 Uбэ0
0,31 Uбэ
,В
Δ
Uбэ
Δ
Iк
0
= 1,1 мА, Δ
Iб
0
= 10 мкА, Δ
Uбэ
= 0,014 В
, Δ
Iб
= 20 мкА, Δ
Uкэ
=
4 В, Δ
Iк
= 0,3 мА
Определим
G
– параметры.
Величины G
-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц: G
-параметр: G11
э
= 1,4 мСм,
G12
э
= - 0,4*10 –6
G21
э
= 0,15 ,
G22
э
= 4,1*10 –3
Ом
Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.
Крутизна: Определим граничные и предельные частоты транзистора.
Предельная частота проводимости прямой передачи: Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току: Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя Iк0
= 3 мА,
Uкэ0
= 4,2 В
и точку с координатами: Iк
= 0,
Uкэ
=
Uкэ0
+ Iк0
*
R~
=
4,2 + 3*10 –3
* 847 = 6,7 В
мА
А
Iк
0
1
1 2 3 4 5 Uкэ
0
6 7 8 9 Еп
Uкэ
,В
Определим динамические коэффициенты усиления.
мА
А
Δ
Iк
3 Iк
0
1
1 2 3 4 5 Uкэ
0
6 7 8 9 Еп
Uкэ
,В
Δ
Uкэ
Δ
Iб
Iб0
10
0,15 0,17 0,19 0,21 0,23 0,25 0,27 0,29 Uбэ0
0,31 Uбэ
,В
Δ
Uбэ
Δ
Iк
= 2,2 мА, Δ
Uкэ
= 1,9 В, Δ
Iб
= 20 мкА, Δ
Uбэ
= 0,014 В
Выводы:
Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах. Библиографический
список.
1) “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г.. 2) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г. 3) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1969г. 4) Справочник “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.: Энергоатомиздат, 1985г.. 5) Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам; М.: Энергия, 1976г.. 6) Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения ”; М.: Радио и связь, 1981г.. |